La lettre de la MRIS A LA UNE. Mission pour la recherche et l innovation scientifique DGA/DS/MRIS. ASTRID Maturation. Bilan campagne de thèses 2014

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1 La lettre de la MRIS Mission pour la recherche et l innovation scientifique DGA/DS/MRIS N 1 31 mars 2014 Chères lectrices, chers lecteurs, Vous avez sous les yeux la première édition de la lettre de la MRIS. Plutôt que d effectuer un bilan annuel diffusé de manière classique et numérique, nous avons pensé qu une lettre électronique trimestrielle était plus adaptée pour vous faire part des nouveautés, des résultats marquants et des projets de la MRIS. Vous trouverez dans cette publication des informations diverses : quelques chiffres pour donner un bilan de nos activités, des informations sur nos appels à projets, nos dispositifs de soutien à la recherche et à l innovation De plus, chaque trimestre, un zoom sera fait sur des recherches prometteuses soutenues par la DGA. A l honneur pour cette première édition, les domaines scientifiques : Nanotechnologies, Matériaux-Chimie-Energie et Ondes Acoustiques et Radioélectriques. Notre ambition est de maintenir un contact et un dialogue constructif avec vous. N hésitez pas à nous faire part de vos remarques et suggestions pour améliorer cette lettre et à la diffuser au sein de vos réseaux. Nous vous souhaitons une agréable lecture. Hisham Abou-Kandil, Conseiller scientifique du DGA et chef de la MRIS Alain Filipowicz, Chef adjoint de la MRIS Sommaire : A LA UNE... 1 FORMATION PAR LA RECHERCHE... 2 PARTENARIATS et COOPERATION... 2 ICET 2 (Innovative Concept and Emerging Technologies)... 2 Chiffres-clés de la MRIS... 3 Domaine scientifique NANO (nanotechnologies). 3 Domaine scientifique MCE (matériaux, chimie, énergie)... 5 Domaine scientifique OAR (ondes acoustiques et radioéléctriques)... 6 Les domaines scientifiques de la MRIS... 9 Les pôles techniques Nous connaître Nous contacter A LA UNE ASTRID Maturation L appel à projet ASTRID-Maturation 2014 est ouvert depuis le 18 mars 2014 et sera clos le 20 juin 2014 à 13h00. Il est mis en ligne sur le site de l ANR La première édition (2013) de ce nouveau dispositif du pacte Défense PME a vu la sélection de 4 projets sur 12 proposés éligibles. Bilan campagne de thèses 2014 La campagne de thèses 2014 (hors Cifre-Défense) se termine sur un bilan positif de 392 sujets déposés. Les commissions de sélection DGA-CNRS ont conduit à retenir 220 projets. On rappelle que la sélection est organisée en deux étapes; la première étant franchie, les laboratoires ont jusqu au 17 mai 2014 pour proposer un candidat et pour la plupart d entre eux, la confirmation d un organisme de cofinancement, puisque la campagne 2014 vise globalement un taux de cofinancement des thèses de l ordre de 70%. 1

2 FORMATION PAR LA RECHERCHE Thèses CIFRE-Défense La procédure de candidature des thèses CIFRE-défense est spécifique. La date limite dépôt des projets est fixée au 10 septembre Séjours d études et de recherches à l étranger (ERE) et stages Post-doctoraux Comme pour les thèses, les candidatures doivent être déposées sur ixarm ; les personnes éligibles ont jusqu au 30 avril 2014 pour le faire. Les commissions d évaluation sont programmées la deuxième quinzaine de juin, pour des stages qui ne pourront commencer qu à partir de novembre Journée d intégration des doctorants 2013 Les nouveaux doctorants, nommés en octobre 2013, ont été conviés le 30 janvier 2014 à une journée d accueil à l Ecole Militaire, au cours de la laquelle la DGA a présenté ses activités, ses actions en matière de formation de la recherche ainsi que les relations qu elle entretiendra avec eux tout au long de leur thèse, jusqu à la soutenance. Cette journée a aussi permis aux jeunes doctorants de rencontrer leurs contacts scientifiques au sein du ministère, d échanger avec les étudiants du même domaine scientifique et de présenter leurs travaux. Contact : Pascale GIRAULT Site internet : PARTENARIATS et COOPERATION RAPID (Régime d Appui aux PME et ETI pour l Innovation Duale) 54 projets ont été sélectionnés pour l année 2013 pour un budget de 40 M. Ils se répartissent de la façon suivante entre les domaines scientifiques* de la MRIS et les pôles techniques* de la direction technique de la DGA *voir en fin de publication les acronymes cités ICET 2 (Innovative Concept and Emerging Technologies) ICET est un programme de R&T piloté par l AED et ciblé sur les niveaux de maturité technologique faibles (TRL 1 à 4) permettant de fédérer les principaux acteurs européens de la recherche et de l innovation et de coopérer sur des activités transverses en recherche de base. Les thématiques retenues pour le programme ICET 2 sont : 1. Artificial Intelligence driven systems for Data & Information Fusion 2. New Human & Systems concepts for cooperative working 3. Energy Storage Technologies 2

3 4. Criminology bioterrorism threat applications Forensic microbiology 5. Energy harvesting for soldier systems & sensor networks 6. Active Controls for Flow and Mixture of Gases 7. Space Environment 8. Verification and validation of mixed analogue/digital distributed systems Les 9 projets retenus sont en cours de contractualisation. Contact : Gilles BRAULT Chiffres-clés de la MRIS Dotations budgétaires 2013 Formation par la recherche 15,703 M Intelligence scientifique et technologique 1,037 M Innovation et stimulation des études amont 20,260 M Nombre de thèses soutenues en 2013 : 116 dont 15 brevets déposés Taux de thèses engagées en 2013 cofinancées : 69% Durée moyenne de la thèse : 40 mois (toutes disciplines confondues) Domaine scientifique NANO (nanotechnologies) Conception et fabrication de composants de puissance AlN/GaN fonctionnant au-delà du kilovolt pour la future génération de convertisseur de tension. Le domaine Nanotechnologies a retenu lors de la campagne de thèses 2012, l étude «Conception et fabrication de composants de puissance AlN/GaN fonctionnant au-delà du kilovolt pour la future génération de convertisseur de tension». Cette thèse, cofinancée DGA/ CNRS, est réalisée à l IEMN par le doctorant Nicolas Herbecq, qui travaille dans l équipe de Nathalie Rolland, avec comme encadrant Farid Medjdoub. L objectif de cette étude est de développer un convertisseur de tension DC/DC. Ce composant clé détermine les performances de nombreux systèmes. Il doit avoir un rendement élevé, un encombrement et coût réduits, pour des applications comme les dispositifs de stockage ou de conversion d énergie classiquement employés au niveau Défense ou dans le domaine civil. Les composants actuels essentiellement à base de Silicium atteignent leur limite de performance, leur résistance d accès limitant les rendements de conversion. De plus, les composants à base de Silicium ne fonctionnent plus après 150 C. Les composants à base de nitrure de Gallium (GaN) émergent comme des candidats attractifs : plus faible résistance d accès donc rendement de conversion meilleur, bonne tenue en tension et température (supérieure à 300 C). Pour atteindre des coûts de composants acceptables, l épitaxie du GaN devra être réalisée sur substrat Silicium. Ces travaux de thèse viennent de faire l objet d un communiqué de presse dans «Semiconductor TODAY» le 25 Février 2014, suite aux remarquables résultats obtenus après tout juste 18 mois de thèse. Combinaison de faible résistance d accès et de forte tension de claquage sur des transistors à base de GaN sur substrat de silicium. L Institut d Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) en France et la compagnie EpiGaN basée en Belgique ont annoncé une combinaison record en terme de résistance à l état passant et de tension de claquage, sur des transistors à double hétérojonction (DHFET), utilisant un canal en GaN, une couche barrière en AlN et dont la croissance est réalisée sur substrat Silicium (N. Herbecq et al, Appl. Phys. Express, , 2014). Les équipes sont parvenues à maîtriser le problème de conduction parasite sous très fort champ électrique, par gravure localisée du substrat en face arrière, spécifiquement entre les électrodes de grille et de drain. Cette innovation technologique couplée à une configuration de couches épitaxiées optimisée pour délivrer une forte densité de courant, leur a permis de démontrer une combinaison unique, avec une tension de claquage de 1.9 kv associée à une résistance à l état passant de 1.6 mω.cm 2. La croissance des couches épitaxiées a été réalisée par MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) sur un substrat Silicium de 100 mm de diamètre (Figure 1). Une couche superficielle de SiN déposée in-situ permet non seulement de passiver très tôt la surface, mais aussi de réduire fortement le phénomène de relaxation des contraintes et rend ainsi la surface beaucoup plus robuste. 3

4 Source Gate PECVD SiN layer (50 nm) In-situ SiN cap layer (3 nm) AlN barrier layer (6 nm) GaN channel (150 nm) Drain Al 0.04 Ga 0.96 N buffer layer (1.6 µm) Transition layers Si substrate Si substrate local removal Figure 1 : Schéma de la double hétérojonction AlN/GaN/AlGaN avec gravure localisée du substrat L utilisation d une barrière en AlN procure une densité de charges dans le canal extrêmement élevée, de l ordre de 2.3x10 13 /cm 2, avec une mobilité électronique de 990 cm 2 /(V.s). La résistance carré de l épitaxie est de 280 Ω/. Le composant inclut une couche tampon en AlGaN afin d améliorer le confinement des électrons sous fort champ électrique. La fabrication du transistor commence par la formation des contacts ohmiques (Ti/Al/Ni/Au) sur la barrière d AlN, après gravure de la couche superficielle de SiN. L isolation des dispositifs est ensuite réalisée par implantation d azote. Puis, une couche de passivation en SiN est déposée par PECVD (Plasma-Enhance Chemical Vapor Deposition). L électrode de grille est alors formée par gravure de la couche «SiN PECVD» et dépôt des métaux Ni/Au. Sur ces composants réalisés,la longueur de grille est de 1.5 µm et la distance grille-drain varie de 2 à 15 µm. Le procédé de fabrication se poursuit en face arrière avec l amincissement et le polissage du substrat à 230 µm, suivi d une gravure profonde par RIE (Reactive-Ion Etch), jusqu à la couche tampon localisée autour de l électrode de drain. La dimension des tranchées ainsi obtenues est de 20 µm de large. Les performances statiques des composants avec gravure localisée montrent une légère dégradation du courant de saturation et de la transconductance, due à la réduction de la dissipation thermique. Néanmoins, un courant de saturation élevé de 0.5 A/mm est maintenu après gravure en face arrière, donnant lieu à une faible résistance spécifique à l état passant de 1.6 mω.cm 2. Les mesures de tension de claquage réalisées à l état bloqué (V GS = -5 V) montrent une tenue en tension de 750 V sur le composant sans gravure localisée possédant une distance grille-drain de 15 µm. La limitation est attribuée à la conduction parasite à travers le substrat de silicium. Après gravure localisée, la tenue en tension augmente de manière drastique à 1.9 kv sur ce même composant, du fait de la suppression de cette limitation (Figure 2). Ces résultats représentent la meilleure combinaison en termes de résistance à l état passant et de tension de claquage démontrée à ce jour, sur un transistor à base de GaN sur substrat de silicium (Figure 3). I D (A/mm) Si local removal with Si BV (kv) Gate-Drain distance (µm) V DS (V) Figure 2 : Caractéristiques à l état bloqué des composants AlN/GaN-sur-silicium ayant une distance grille-drain de 15 µm Specific on-resistance (m cm 2 ) Si Limit NIT,14 GT,15 SNU,16 Furukawa,17 IMEC,18 MIT,19 This work SiC Limit GaN Limit Breakdown voltage (kv) Figure 3 : Etat de l art de la résistance spécifique à l état passant en fonction de la tension de claquage pour les transistors GaN sursilicium au-delà de 1 kv Les chercheurs pensent que cette approche pourrait permettre d atteindre 3 kv sur des composants GaN sur Silicium, par l extension de la distance grille-drain à 30 µm, tout en maintenant une résistance à l état passant inférieure à 5 mω.cm 2. 4

5 L atteinte de cette performance permettrait d envisager l utilisation de cette filière pour des applications au-delà de 1 kv, et de réduire ainsi de manière significative la taille des modules existants, tout en augmentant leur efficacité énergétique. Conclusion : Résultats donc très prometteurs à mi-parcours de cette thèse soutenue par la DGA/MRIS Contact : Rose-Marie SAUVAGE Domaine scientifique MCE (matériaux, chimie, énergie) Matériaux vitrocristallins auto-réparants pour applications haute température Les travaux de thèse de Sandra Castanié se sont déroulés de 2010 à 2013 à l université de Lille Nord de France dans l unité de catalyse et chimie du solide (UCCS ; UMR-CNRS8181 ; USTL F-59655), sous la direction de François Méar et Lionel Montagne. Cette étude a été menée en collaboration avec l équipe «nanomatériaux à visées photoniques» de l UCCS à l Université d Artois (Lens). Les efforts en recherche et développement de matériaux innovants s orientent sur la gestion des dommages, permettant ainsi la production de matériaux plus solides et plus robustes. Ils nécessitent de faire appel à de nouvelles stratégies de recherche comme le développement de la capacité d auto-réparer (ou d auto-cicatriser) des dommages d origine thermique, mécanique ou chimique se produisant pendant leur utilisation. L auto-cicatrisation a été développée dans de nombreuses applications telles que les polymères pour les revêtements protecteurs, les emballages micro-électroniques, des matériaux composites pour des applications dans l aérospatiale. Les verres et vitrocéramiques constituent une solution technologique efficace pour réaliser des matériaux devant fonctionner à haute température, avec pour effet d augmenter la longévité des systèmes où ils sont employés. Ils présentent un très fort intérêt pour des applications intéressant la SNECMA, le CEA et la Défense pour ses applications matériaux haute température. Ce travail concerne le développement de matériaux vitrocristallins auto-réparants (ou auto-cicatrisants) pour applications haute température. Ils associent des travaux de compréhension des propriétés en fonction de la composition chimique des matériaux par l étude de leurs diagramme de phase (binaire, ternaire ), avec l étude des procédés d élaboration pour optimiser la fonctionnalité des dépôts (multicouches ). Un procédé innovant d'auto-cicatrisation extrinsèque consistant à incorporer des particules actives à des compositions de verres ou vitrocéramiques afin d induire une auto-réparation lors de la formation d une fissure, a été étudié. A la température de fonctionnement, si ce matériau est fissuré sous l effet de contraintes externes, les particules actives vont s oxyder pour former des oxydes formateurs de verre, suffisamment fluides pour combler les fissures. Ce procédé est qualifié d «autonome» car la cicatrisation est obtenue spontanément, sans intervention extérieure. Une première partie des travaux de thèse concerne la compréhension et l optimisation du procédé d autocicatrisation autonome. Celle-ci nécessite l ajout d un agent cicatrisant dans le matériau vitreux dont la réactivité est activée par une contrainte dont l origine peut être mécanique, thermique, ou chimique. Pour cela, un choix approprié de l agent cicatrisant permet à la fissure de se cicatriser à haute température, ce qui prévient tout risque de dégradation de la structure. Des particules cicatrisantes du borure de vanadium ont été choisies. Ce choix a été justifié par la réactivité à haute température de ce borure avec l oxygène de l air et par ses caractéristiques thermiques compatibles avec celles du verre (coefficient d expansion thermique). Afin de mieux appréhender le mécanisme réactionnel, plusieurs études complémentaires ont été réalisées : - synthèse du matériau : influence de la granulométrie et du pourcentage massique des particules, influence de la réactivité (température, PO 2, atmosphère) sur l efficacité du procédé d auto-cicatrisation, évaluation de nouvelles particules cicatrisantes telles que VB 2. - vieillissement du verre cicatrisant : détection de toute cristallisation éventuelle en fonction du temps par des techniques spectrochimiques comme la Résonance Magnétique Nucléaire (RMN) et la Diffraction RX (DRX). - tests in situ d auto-cicatrisation par microscopie environnementale. Cette technique permet de déterminer in situ la cinétique du processus d auto-cicatrisation en température et de caractériser le mécanisme associé. Une deuxième partie du travail a consisté à optimiser la formulation des composites pour des applications à hautes températures (> 700 C) en recherchant de nouvelles particules cicatrisantes thermiquement plus stables. Des essais ont été menés sur AlB 2 et SiB 4 conduisant, par réactivité avec l oxygène de l air, à la formation d oxydes formateurs de verre tels que SiO 2, B 2 O 3. Cependant, à ces températures et sous atmosphère humide, la volatilisation de B 2 O 3 intervient rapidement. Des études physico chimiques par RMN DRX, infrarouge, thermogravimétrie ont permis de mettre en évidence la formation des différentes phases. 5

6 La troisième partie du travail a consisté à : - déterminer des cinétiques de cicatrisation en fonction des conditions de synthèse du composite verre/particules cicatrisantes (granulométrie, nature ), et des conditions d auto-cicatrisation (température, atmosphère ). - caractériser l écoulement des particules oxydées dans la fissure lors de la régénération du matériau. Deux types de mécanismes ont été envisagés : un écoulement du fluide en surface puis remplissage de la fissure ou un écoulement du fluide dans le fond de la fissure puis comblement par remontée en surface du fluide. Pour caractériser ces mécanismes d auto-cicatrisation, des analyses originales par micro-tomographie X couplées à des analyses en micro-diffraction et micro-fluorescence ont été réalisés ce qui a permis de reconstituer la fissure en volume (3D). B 2 O 3 5 µm 5 µm t 0 V 2 O 5 t 1 t f V 2 O 5 V Mécanismes d écoulement des oxydes fluides (a) B2O3 et (b) V2O5 au sein d une fissure Les résultats obtenus ont permis de valider des nouvelles particules cicatrisantes, à savoir SiB 4 /AlB 2 seules ou en mélange, pour des applications à haute température. Une perspective à ces travaux est de réaliser des revêtements en couches minces submicroniques de manière à disposer de revêtements auto-cicatrisants plus efficaces, et d optimiser les procédés de dépôts, en particulier en développement des méthodes de dépôt par ablation laser. L utilisation de cette technique devrait permettre de déposer des couches alternées de verre et de particules cicatrisantes. Ceci sera étudié par Thibault Carlier dans le cadre de sa thèse qui a débutée en Contact : Bruno MORTAIGNE Domaine scientifique OAR (ondes acoustiques et radioéléctriques) Activité du domaine sur les 3 derniers mois Deux des cinq projets Astrid sélectionnés en 2013 ont fait l objet d une réunion de lancement en février. - MOBILE «Modèle Bistatique dédié à l analyse de milieux forestiers et à la détection de cibles sous couvert» dont le titulaire est le laboratoire L2E de l UPMC, avec pour partenaire l EMC Laboratory du Professeur R. Mittra (Pennsylvania State University - US). L objectif est de réaliser un simulateur radar opérationnel dédié à l analyse de milieux naturels en présence d objets métalliques (problématiques FOPEN), sur une bande de fréquence étendue ( MHz). L innovation principale est l utilisation de la méthode CBFM (Characteristics Basis Functions Method) proposée par le Professeur Mittra et, à ce jour, jamais appliquée à ce type de problème (calcul du champ diffracté par une parcelle de forêt en présence d'une cible métallique). La représentation intégrale de volume pour les milieux diélectriques inhomogènes qui composent les troncs et branches primaires sera associée à la représentation intégrale de surface pour les cibles métalliques. La résolution se fera par une méthode de Moments associée à la CBFM multi-niveaux permettant de gérer un nombre d'inconnues important. Le choix de fonctions de bases adaptées au problème permet de réduire de façon très significative la taille de la matrice d'interactions, avec des taux de compression pouvant atteindre cent à deux cents. 6

7 - COCORAM «Co-design et co-intégration de réseaux d antennes actives multi-bandes pour systèmes de radionavigation par satellite» dont le titulaire est XLIM, avec pour partenaires CISTEME et l INRIA. Il s agit de développer une méthodologie de conception conjointe d antenne réseau et des circuits associés pour atteindre des performances (rayonnement, efficacité, ) optimales avec un dispositif intégré et compact. La démonstration considérera un réseau compact CRPA (Controlled Reception Pattern Antenna), à 4 éléments, pour systèmes GPS/GALILEO, tri-bandes (L MHz, L MHz et L MHz) à polarisation circulaire pour systèmes de radionavigation satellite. L objectif du projet est d intégrer les fonctions RF (amplification faible bruit et filtrage) au plus près de l antenne. Il est proposé une conception conjointe de tous les éléments (antenne/filtre/lna) pour gagner en intégration tout en optimisant les performances. Deux maquettes seront développées, l une basée sur la conception conjointe et l autre sur la conception disjointe des éléments (cette dernière servira de référence), et leurs performances respectives comparées. Le projet Rapid Hi-BOX, accepté en 2013, a également fait l objet d une réunion de lancement en février. Le titulaire IMACS a pour partenaires EADS et l INRIA. Le projet consiste à réaliser une bibliothèque générique de solveurs des équations des ondes EM / acoustique (méthode BEM pour Boundary Element Method) adaptés au calcul haute performance (HPC) et accélérés par les méthodes directes H-matrix (La méthode H-Matrix peut par exemple servir de base à un pré-conditionneur efficace) et itératives FMM. Les avancées attendues de ce programme d'étude sont le traitement d'un nombre très important de seconds membres (pour l'imagerie radar), l adaptation aux architectures hybrides (CPU/GPU...) via un moteur d exécution (STARPU), le traitement des maillages localement ou globalement sur-raffinés, l implémentation non intrusive dans les codes de calcul existants... A noter que la parallélisation de la méthode H-Matrix sera une première pour les équations des ondes. 7

8 Avancement du projet Astrid SAFAS (Structure Auto-complémentaire à FAible Signature) avec pour titulaire Télécom Paris Tech et partenaires l ONERA et la société SART. SAFAS propose de développer un réseau antennaire directif, léger et mince, dont la SER (Surface Equivalente Radar) résiduelle est très faible. Ces travaux portent sur les propriétés très particulières des topologies auto-complémentaires possédant une largeur de bande théoriquement illimitée et l emploi des méta-matériaux (Surfaces à Haute Impédance ou SHI) pour leur mise en œuvre technologique. Les premiers travaux de simulation et de modélisation analytique (circuits équivalents), sur une grille infinie, permettent d envisager une structure avec des performances inédites montrant une adaptation entre 3,5 GHz et 20 GHz jusqu à une incidence de 60. Une spécification de pré-maquettage du réseau antennaire directif, léger et mince, à faible SER, a été définie ; la réalisation d un réseau de 20 x 20 cellules va être lancée. L ONERA a terminé la phase d optimisation des méthodes implémentées dans le logiciel FACTOPO, en associant des éléments finis volumiques d ordre 1 avec la méthode de décomposition de domaine FETI (Finite Element Tearing and Interconnecting), pour les adapter à la simulation des réseaux bi-périodiques de dimensions limitées. Cela permettra de confirmer les résultats sur la structure de dimensions finies, c'est-à-dire en considérant les effets de bord et de couplage inter-éléments. Avancement du projet Astrid PECUMIA «Propagation Électromagnétique en Configuration Urbaine par des Méthodes Innovantes Asymptotiques» dont le titulaire est NOVELTIS et les partenaires TELECOM Paris Sud et THALES. Noveltis a développé une méthode d équation parabolique (EP) 3D permettant de calculer la propagation sur un cône de l ordre de 15 (approximation «petite angle»). Cette technique sera prochainement étendue sur un cône de l ordre de 45 (approximation «grand angle»). Une innovation intéressante est la prise en compte des 8

9 propagations «aller et retour» par le modèle EP 3D, alors que classiquement en 3D la méthode EP ne considère que le trajet aller. TELECOM Paris Sud a obtenu des résultats sur l introduction du concept de frame image pour le calcul des réflexions avec la méthode de Lancer de Faisceaux Gaussiens (LFG), la prise en compte de la présence du sol (supposé nu) et la gestion des incidences rasantes. Des premiers calculs EP 3D et LFG ont été effectués et comparés avec succès sur des calculs sans diffraction (sols plans infinis avec ou sans écran infini). Exemple de scène qui sera modélisée à l issue de PECUMIA Organisation le 4 décembre 2013 d une journée thématique sur le sujet «Méthodes asymptotiques pour les calculs de signatures radar et d antennes sur porteurs». 13 présentations (dont 6 liées à des études financées par la DGA) réparties en 4 sessions (Méthodes de Faisceaux Gaussiens Applications industrielles - Méthodes intégrant l Optique Physique - Méthodes analytiques pour calculs rigoureux) ont fait l objet de la journée. 30 participants étaient présents, des industriels (DASSAULT AVIATION, MBDA, THALES), des étatiques (CEA DAM et DGA), des PME (IEEA, OKTAL-SE, CELUM, NOVELTIS, ANTARES Engineering) et des académiques (IETR, LAPLACE, ENAC, TELECOM Paris Sud, L3I). L objectif principal était de réunir les acteurs nationaux, académiques, industriels, étatiques, afin de recenser les axes de recherche et les études en cours (DGA, industrie ), les besoins et les verrous à lever, les synergies possibles entre les acteurs. Réception à DGA/MI, le 19 novembre du Professeur Antar du Royal Military College of Canada, également vice doyen du «Queen s University». Le Pr. Antar a donné une conférence sur le thème Overview of Electromagnetic Engineering Research at the Royal Military College of Canada en soulignant 3 de ses principaux axes de recherche du moment : - Dielectric Resonator Antenna for Wireless and Other Applications - New Considerations for Antenna Electromagnetic Near Fields - A Class of Printed Leaky Wave Antennas Une discussion sur les axes de collaboration possible a suivi la présentation. Cette collaboration débute concrètement depuis janvier par la bourse DGA de post-doctorat obtenue par François Sarrazin pour aller travailler au sein de l équipe du Pr Antar sur des techniques innovantes de caractérisation des antennes. Contact : Philippe POULIGUEN Les domaines scientifiques de la MRIS I2R : Ingénierie de l'information et robotique RDS Véronique SERFATY FS : Fluides, structures RDS Yann DOUTRELEAU OAR : Ondes acoustiques et radioélectriques RDS Philippe POULIGUEN 9

10 NANO : Nanotechnologies RDS : Rose-Marie SAUVAGE PHOTON : Photonique RDS Philippe ADAM MCE : Matériaux, chimie et énergie RDS Bruno MORTAIGNE RDS adjoint Eric LAFONTAINE BIO : Biologie et biotechnologies RDS Emmanuelle GUILLOT-COMBE H&S : Homme et systèmes RDS Didier BAZALGETTE EGS : Environnement et géosciences RDS Carole NAHUM Les pôles techniques Pôle ASA : Architectures et techniques de systèmes aéronautiques Pôle ASC : Architectures et techniques de systèmes C3R (commandement, communication, conduite et renseignement) Pôle ASN : Architectures et techniques de systèmes navals Pôle AST : Architectures et techniques de systèmes terrestres Pôle CGN : Capteurs, guidage et navigation Pôle MAN : Missiles, armes et techniques nucléaires de défense Pôle MCM : Matériaux, composants, maîtrise des risques environnementaux Pôle SDS : Systèmes de systèmes Pôle SHP : Sciences de l'homme et protection Pôle SSI : Sécurité des systèmes d'informations Pôle TEC : Télécommunications Nous connaître Nous contacter Site Ixarm : Pour toute demande d abonnement à la lettre de la MRIS, ou pour suppression de notre liste de diffusion : 10

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