2006/2009 Doctorat spécialité Microondes et Microtechnologies à l université de Lille 1 (USTL).

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1 Nicolas Waldhoff Maître de conférences spécialité Electronique, Optronique et Système Affiliation Ecole d Ingénieurs du Littoral Côte d Opale Campus de Longuenesse La Malassise BP Longuenesse Cedex +33(0) nicolas.waldhoff@eilco-ulco.fr COMPÉTENCES Expertises Scientifiques et Techniques : Modélisation et Simulation de schéma équivalent (ADS), Simulation Electromagnétique (HFSS), Mesures sous pointes (VNA, Mesureur de bruit), Mises en œuvre de bancs de mesures (ICCAP, Wincal), Conception de design de LNA (Cadence). Conduite et Management de projet, Encadrement de doctorants et d étudiants, Veille technologique, Participation à l organisation d une conférence internationale EuMW10 (1500 participants, sept. 2010). FORMATIONS 2006/2009 Doctorat spécialité Microondes et Microtechnologies à l université de Lille 1 (USTL). 2002/2005 Ingénieur Polytech Lille, Informatique Microélectronique Automatique, à l USTL. 2000/2002 DUT GEII à Béthune. EXPÉRIENCES PROFESSIONNELLES 2011/ Maître de conférences spécialité Electronique, Optronique et Système à l EIL Côte d Opale. Chargé de mission pour le centre de transfert de technologie. 2010/2011 Post Doctorat CNRS en partenariat avec Infineon et e2v. Caractérisation et développement de modèles électriques de composants et systèmes. 2009/2010 ATER à l USTL. Enseignement : Electronique, Electrotechnique et Automatique. Recherche : Amélioration de la qualité des composants électroniques. 2006/2009 Doctorat à l Institut d Electronique, de Microélectronique et Nanotechnologie (IEMN) (2/3) à l USTL co-encadré par ST Microelectronics (1/3) à Crolles (Isère) (Titre : Caractérisations et modélisations des technologies CMOS et BiCMOS de dernières générations jusqu à 220 GHz)

2 o Objectifs : Optimisation des mesures et des modèles à travers des simulations jusqu à la réalisation de démonstrateurs dans le cadre d un transfert en industrie. o Domaines d application : Télécommunication RF & HF, Nanotechnologies, RFID, Spatial, Transport. Industries électroniques, microélectroniques et semi-conducteurs. o Enjeux scientifiques et économiques : Répondre aux contraintes en terme de taille, de performances électriques et réduire les temps et les coûts de fabrication. o Valorisations : 3 conférences internationales (avec acte), 5 conférences françaises, 3 publications internationales avec comité de lecture, 2 conférences internationales invitées. COMPÉTENCES INFORMATIQUES ET LINGUISTIQUES Français Anglais Simulation Programmation Bureautique langue maternelle courant PSPICE, ADS, HFSS, ICCAP, CADENCE, GOLDEN GATE, WINCAL, MATLAB langage C & HTML Word, Excel, Powerpoint, Origin AUTRES CENTRES D INTÉRÊT Sports : course à pied (10 km, Semi Marathon), badminton et VTT. Loisirs : voyages humanitaires en Afrique (Burkina Faso, Bénin, Togo). ENSEIGNEMENTS 2011/2012 : Enseignements à l EIL Côte d Opale Energies Renouvelables CM ingénieur 3 ème année Génie Industriel Electronique Analogique CM+TD+TP ingénieur 1 ère année Informatique Electronique Industrielle CM+TD+TP CP 2 ème année Electrotechnique TD+TP ingénieur 1 ère année Génie Industriel Systèmes Electriques TD+TP ingénieur 1 ère année Génie Industriel Sciences Appliquées CM+TD licence /2011 : Enseignements à Telecom Lille 1 Technologie des signaux TP + TD ingénieur 1 ère année 2009/2010 : Enseignements à l USTL Initiation à l instrumentation - TP Licence 3 Théorie du signal - TP Licence 3 Initiation à l EEA (Electronique, Electrotechnique et Automatique) - TP Licence 1 Electrocinétique - TP Licence 3 1

3 2008 : 2007 : Unité transversale Stage Licence 1 Techniques de communication - TD Master 1 Système électronique pour communication à fréquence porteuse - TP Master 1 Dispositifs électroniques pour émetteur/récepteur - TP Master 1 Projets : filtres et amplificateurs microondes - TP Master 2 Enseignements à Telecom Lille 1 Technologie des signaux TP + TD ingénieur 1 ère année Enseignements à l IUT Réseaux et Télécommunications Automatisme - TP Licence professionnelle Enseignements à Polytech Lille département IMA Ondes électromagnétiques - TP ingénieur 2 e année PUBLICATIONS Journals (5) N. Waldhoff, C. Andrei, D. Gloria, S. Lepilliet, F. Danneville, and G. Dambrine, Improved Characterization Methology for MOSFETs up to 220 GHz, Microwave Theory and Techniques (MTT), IEEE Transactions on, vol. PP, 2009, p. 1. N. Waldhoff, Y. Tagro, D. Gloria, F. Gianesello, F. Danneville, and G. Dambrine, Validation of the 2 Temperatures Noise Model Using Pre-Matched Transistors in W-Band for Sub-65 nm Technology, Microwave and Wireless Components Letters (MWCL), IEEE, vol. 20, 2010, pp Noudéviwa, Y. Roelens, F. Danneville, A. Olivier, N. Wichmann, N. Waldhoff, S. Lepilliet, G. Dambrine, L. Desplanque, X. Wallart, G. Moschetti, J. Grahn, and S. Bollaert, Sb-HEMT: Toward 100-mV Cryogenic Electronics, Electron Devices (ED), IEEE Transactions on, vol. 57, 2010, pp F. Medjoub, M. Zegaoui, N. Waldhoff, B. Grimbert, N. Rolland, et P.-A. Rolland, "Above 600 ms/mm Transconductance with 2.3 A/mm Drain Current Density AlN/GaN High-Electron- Mobility Transistors Grown on Silicon", Applied Physics Express (APEX), vol. 4, p , F. Medjoub, M. Zegaoui, N. Waldhoff, B. Grimbert, N. Rolland, et P.-A. Rolland, "Low-Noise Microwave Performance of AlN/GaN HEMTs Grown on Silicon Substrate", IEEE Electron Device Letters (EDL), vol. 32, n o. 9, p , International Conference Papers (7) N. Waldhoff, C. Andrei, D. Gloria, F. Danneville, and G. Dambrine, Small Signal and Noise Equivalent Circuit for CMOS 65 nm up to 110 GHz, Microwave Conference, EuMC th European, 2008, pp N. Waldhoff, F. Danneville, G. Dambrine, B. Geynet, and P. Chevalier, Investigation of SiGe HBT potentialities under cryogenic temperature, Solid State Device Research Conference, ESSDERC Proceedings of the European, 2009, pp

4 A. Noudeviwa, Y. Roelens, F. Danneville, A. Olivier, N. Wichmann, N. Waldhoff, S. Lepilliet, G. Dambrine, L. Desplanque, X. Wallart, J. Bellaiche, D. Smith, H. Maher, S. Bollaert, Potentiality of commercial metamorphic HEMT at cryogenic temperature and low voltage operation, in Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2010 European, pp , A. Noudeviwa, A. Olivier, Y. Roelens, F. Danneville, N. Wichmann, N. Waldhoff, L. Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert, 100mV noise performances of Te-doped Sb-HEMT, in Advanced Semiconductor Devices & Microsystems (ASDAM), th International Conference on, pp , F. Gianesello, R. Pilard, S. Lepilliet, N. Waldhoff, C. Durand, S. Boret, B. Martineau, G. Dambrine, D. Gloria, B. Rauber, C. Raynaud, 325GHz CPW band pass filter integrated in advanced HR SOI RF CMOS technology, in Microwave Conference (EuMC), 2010 European, pp , L. Poulain, N. Waldhoff, D. Gloria, F. Danneville, G. Dambrine, Small signal and HF Noise performance of 45nm CMOS technology in mmw range, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2011, p N. Waldhoff, F. Danneville, N. Rolland, P.-A. Rolland, K. Aufinger, Bias Point Optimization for Low Power / Low Noise Applications of Advanced SiGe HBT, Microwave Conference. EuMC Invited International Conferences (3) Nicolas Waldhoff, Gilles Dambrine, François Danneville, Daniel Gloria, S-parameters measurements and small signal modeling of sub-65nm Silicon MOSFETs up to 220 GHz, International Microwave Symposium Conference (IMS) 2008, Atlanta. Nicolas Waldhoff, Yoann Tagro, Laurent Poulain, Daniel Gloria, François Danneville, Gilles Dambrine, Noise characterization of mmw Si devices using classical and in-situ experimental set up, European Microwave Week (EuMW) 2010, Paris. Nicolas Waldhoff, On-wafer S-Parameters and Noise Measurements from D to J-band European Microwave Week (EuMW) 2011, Manchester. National Conference Papers (6) Cristian Andrei, Nicolas Waldhoff, Daniel Gloria, François Danneville, Gilles Dambrine, «Erreurs de mesures liées à l environnement des composants silicium RF onwafer en bande millimétrique», présentation orale, Journées Nationales Microondes (JNM) 2007, Toulouse. Nicolas Waldhoff, Cristian Andrei, François Danneville, Gilles Dambrine, «Extraction du schéma équivalent petit signal et bruit jusque 110 GHz pour les technologies CMOS 65nm», poster, Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM) 2008, Bordeaux. Daniel Gloria, G. Dambrine, N. Waldhoff, F. Danneville, «Caractérisations des paramètres S et paramètres de bruit en gamme millimétrique pour la filière MOSFET 65nm», présentation orale, Journées Nationales Microondes (JNM) 2009, Grenoble. 3

5 Nicolas Waldhoff, Cristian Andrei, Frédéric Gianesello, Daniel Gloria, François Danneville, «Mesures de bruit en gamme millimétrique : limitations et solutions», présentation orale, Journées Nationales Microondes (JNM) 2009, Grenoble. Romain Pilard, Daniel Gloria, Christian Person, François Le Pennec, Frédéric Gianesello et Nicolas Waldhoff, «Potentialités de la technologie CMOS 65nm sur substrat SOI haute résistivité pour les applications millimétriques : Amplificateur faible bruit et antenne intégrés sur un même substrat», poster, Journées Nationales Microondes (JNM) 2009, Grenoble. Poulain L., Waldhoff N., Gloria D., Danneville F., Dambrine G, «Extraction des performances AC et bruit HF d'une technologie CMOS 45 nm en gamme mmw», Actes des 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, Brest, France, mai, 2011, papier 162, 6E3, 1-4 4