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3 Mise

4 394 M. Vampouille et al. avec N x = frequence spatiale associee a la variable x. Compte tenu

5 Mise

6 396 M. Vampouille et al. 2.2 Caracteristiques des reseaux de diodes lasers couplees par ondes de fuite Con?us pour augmenter le couplage

7 Mise en phase de lasers 397 En conclusion, les performances des reseaux monolithiques

8 398 M. Vampouille et al. L'analyse du spectre d'ondes planes est faite par imagerie avec la lentille L' et son spectre de frequences temporelles est etudie avec un spectroscope a reseau. Les essais ont etc effectues avec un reseau de 20 diodes elementaires espacees de 10 fim, n'ayant pas subi de traitement antireflet sur la face avant. La puissance maximum d'emission est

9 Mise en phase de lasers 399 Laser maltre Observation Lent. cyl. Reseau mono frequence Isolateur optique de diodes esclaves Figure

10 400 M. Vampouille et al. emission libre -5 cleg re' res -HO -10 avec injection sur une moitie du reseau P mj = 15 mw = 100 mw MO -10 Champs lointains Spectres Figure 9 : Champs lointains et spectres recueillis dans le plan d'observation de la figure 8. En presence du faisceau injecte, la puissance emise par le reseau de diodes est concentree sur une seule raie dans un lobe unique de largeur egale a la limite de diffraction. II contient 72 % de la puissance totale. A 200 mw, le deuxieme lobe reapparait dans le champ lointain. Pompe attenuee Ip Signal amplifie I Cond. optimales : P S 0 ; 6p «67 (Brewster) ; 8 ~ 20 -»A «2 a 3 urn. Figure 10 : Principe du melange a deux ondes dans un cristal photorefractif de BaTiC>3.

11 Mise en phase de lasers Application a I'addition de deux lasers injectes C'est cette technique

12 402 M. Vampouille et al. Laser maftre /y2 Isolateurs monofre'quence Sortie I P inj = 10mW P escl #60mW I s = 98 mw Diodes lasers esclaves injectees Champs lointains us Ul V faisceau sonde Champs lointains faisceau pompe en amont du cristal en aval du cristal Figure

13 Mise

14 404

15 Mise en phase de lasers 405 (yum) Figure

16 406

17 Mise

18 408

19 Mise en phase de lasers 409 E(x) ~ E 0 [_/(*) *III s (jc)j. rect(x 19s), ouf(x), fonction reelle, definie sur a, nulle ailleurs, represente le champ emis

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