ÉCOLE DOCTORALE GÉNIE ÉLECTRONIQUE, ÉLECTROTECHNIQUE, TÉLÉCOMMUNICATIONS DE TOULOUSE

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1 UNIVERSITÉ PAUL SABATIER INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUÉES INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE ÉCOLE NATIONALE SUPÉRIEURE DE L'AÉRONAUTIQUE ET DE L'ESPACE ÉCOLE NATIONALE DE L'AVIATION CIVILE ÉCOLE DOCTORALE GÉNIE ÉLECTRONIQUE, ÉLECTROTECHNIQUE, TÉLÉCOMMUNICATIONS DE TOULOUSE MASTER RECHERCHE "MATÉRIAUX POUR L'ÉLECTRONIQUE ET PLASMAS DE DECHARGE" Responsable: Professeur G. ABLART Le master comprend deux parcours : Parcours MTCE "Matériaux, Technologies et composants de l'electronique" Responsable de la Formation: Guy ABLART Laboratoire de Génie Électrique de Toulouse Bât. III R2 Université Paul Sabatier 118 Route de Narbonne TOULOUSE CEDEX Téléphone : Télécopie : ablart@lget.ups-tlse.fr Responsable pour l'insat Professeur Jean Claude PORTAL portal@insa-tlse.fr Parcours IPD "Ingénierie des Plasmas et des Décharges" Responsable de la Formation: Michel AUBES Centre de Physique des Plasmas et de leurs Applications de Toulouse Bât. III R2 Université Paul Sabatier 118 Route de Narbonne TOULOUSE CEDEX Téléphone : Télécopie : aubes@cpat.ups-tlse.fr Secrétariat : Maryse CLAUZOLLES Téléphone : Télécopie : office@cpat.ups-tlse.fr Pour obtenir des informations sur les parcours de ce Master, s'adresser à l'un des responsables.

2 Les modalités d'admission sont communes à tous les Masters Recherche du Domaine "Sciences de la Modélisation de l'information et des Systèmes", Mention EEAS. Retirer et déposer les dossiers de demande d'admission auprès de : Secrétariat 3ème Cycle Madame Michelle Mora LAAS-CNRS 7, avenue Colonel roche Toulouse cedex mmora@laas.fr Présentation du Master 1 - Objectifs du Master Recherche 2 - Conditions d'admission 3 - Organisation de enseignements 4 Stage de recherche 5 Modalités du contrôle des connaissances 6 Poursuite en thèse

3 1- OBJECTIF PÉDAGOGIQUE, SCIENTIFIQUE ET PROFESSIONNEL Le MASTER RECHERCHE "Matériaux pour l'électronique et Plasmas de décharge" vise à poursuivre à travers cet enseignement la collaboration initiée depuis plusieurs années entre deux grands établissements toulousains: l Université Toulouse III et l Institut National des Sciences Appliquées. Ce Master Recherche est donc délivré sous sceau multiple: Université Paul Sabatier, INSAT. Cette formation est centrée sur l électronique de la matière solide ou gazeuse offre 2 parcours : le premier, Matériaux, Technologie et Composants de l Electronique concerne l électronique des solides, les techniques d'élaboration, l'épitaxie, les méthodes de dépôt et gravure par plasma, les matériaux nouveaux, SiC, SiGe, GaN, la physique des petites dimensions. Le deuxième, Ingéniérie des Plasmas et des Décharges est consacré d une part aux procédés plasmas (élaboration et traitement de matériaux) et d autre part à l étude des plasmas comme élément d un système du génie électrique ou de l électronique (disjoncteur, lampe, torche, écran plasma.). Les matières étudiées visent à donner aux étudiants les compétences théoriques et pratiques nécessaires à l'exercice des fonctions d'ingénieurs ou de chercheurs dans le domaine des matériaux, des composants de l'électronique et des plasmas. La formation accorde une large place à l aspect pratique : formation aux techniques de la Microélectronique (AIME) et illustration des enseignements théoriques par des présentations d expériences de laboratoires. Les enseignements théoriques du premier semestre représentent la moitié de la formation qui est complétée au second semestre par un stage à temps plein dans une des équipes d'accueil de doctorants rattachées au MASTER. La formation vise à assurer l adéquation entre le parcours prémaster des étudiants et la poursuite de leur formation par la préparation d une thèse dans le domaine des composants électroniques et des plasmas. 2- CONDITIONS D'ADMISSION Sont recevables de droit les candidatures des étudiants ayant obtenu une première année de Master, une maîtrise ou un diplôme d'ingénieur-maître en EEA ou en Physique, ou titulaires d'un diplôme jugé équivalent. Pour le parcours MTCE il est souhaitable que l'étudiant ait suivi des unités d'électronique et pour le parcours IPD une formation de physique générale de niveau licence. Les candidatures d'étudiants issus d'autres formations peuvent être acceptées après examen de leur dossier par les responsables du Master, examen pouvant être complété par un entretien. La sélection est effectuée en fonction des résultats obtenus en Licence et en première année de Master par un jury constitué des responsables des différents parcours et des responsables des différentes équipes d'accueil de Doctorants. Ce jury se réunit en Juillet pour la 1 ère session d'admission et en septembre pour la seconde. 3- ORGANISATION DES ENSEIGNEMENTS

4 La formation se compose de: 160 heures de cours obligatoires réparties en plusieurs unités d'enseignement dont la liste est donnée un peu plus loin (pour le parcours MTCE est incluse dans ces cours une formation aux techniques de la micro-électronique à l'atelier Inter universitaire de micro-électronique). conférences et séminaires illustrant et développant certains aspects desv enseignements. un stage de recherche de 5 mois dans une équipe d'accueil (EAD) du Master (voir liste plus loin). Répartition des unités d'enseignement entre les deux parcours : 2A9EP1M 2A9EP2M 2A9EP3M Ingénierie des Plasmas et des Décharges 2A9EIAM 2A9EPEM 2A9EPFM 2A9EPGM 2A9EPHM 2A9EPIM 2A9EP4M 2A9EP4M 2A9EP5M 2A9EPAM 2A9EPBM 2A9EPCM 2A9EPDM 2A9EP6M 2A9EP7M 2A9EPHM Matériaux, Technologies et Composants de l'electronique 2AAEP1M 2AAEP1M Unités d Enseignements du premier semestre :

5 UNITE ECTS (*) Horaire Titre 2A9EP1M 3,5 20 Electronique des gaz et des semiconducteurs 2A9EP2M 3,5 20 Caractérisation des matériaux et Plasmas 2A9EP3M 2 Séminaires et Conférences 2A9EP4M 3,5 20 Signal 2A9EP5M 3,5 20 Physique des dispositifs à hétérojonction 2A9EPAM 3,5 20 Elaboration 2A9EPBM 3,5 20 Technologies et matériaux nouveaux 2A9EPCM 3,5 20 Technologie MOS ou 2A9EPDM 2A9EP6M ou 2A9EP7M ou 2A9EPHM Technologie Microcapteurs 3,5 20 Semiconducteurs organiques Composants pour circuits intégrés Procédés Plasmas 2A9EIAM 3,5 20 Matiére et Rayonnement 2A9EPEM 3,5 20 Théorie et Propriétés des Plasmas 2A9EPFM 3,5 20 Génération des Plasmas 2A9EPGM 3,5 20 Modélisations et Simulations numériques 2A9EPHM 3,5 20 Procédés plasmas 2A9EPIM ou 2A9EP4M (*) ECTS : European Credit Transfer System 3,5 20 Matériaux et Isolants solides et gazeux Signal 2AAEP1M : Stage en laboratoire de Février à Juin 30 ECTS Contenu des unites d'enseignement et enseignants : Tronc commun : 2A9EP1M ( 20 h 3,5 ECTS) : Electronique des gaz et des semiconducteurs Electronique des semiconducteurs : Semiconducteurs, dispositifs et applications (G. ABLART 10h Electronique des gaz : Décharges dans les gaz, mobilité et diffusion, description des plasmas (M. AUBES 10h) 2A9EP2M ( 20 h 3,5 ECTS) : Caractérisation des matériaux et plasmas Techniques expérimentales pour la recherche et l'industrie (spectroscopie, interféromètrie, ellipsomètrie, fluorescence induite par laser, XPS,... (F. GABORIAU, P. RAYNAUD, M. RAZAFINIMANANA) 2A9EP3M (2 ECTS) : Séminaires et conférences. Parcours MTCE : 2A9EP4M (20 h 3,5 ECTS) : Signal Principes de base des capteurs, application à l'intégration (A. MARTINEZ) Fibres optiques, méthodes de fabrication, caractérisation, connexion (P. DESTRUEL)

6 2A9EP5M ( 20 h 3,5 ECTS) : Physique des dispositifs à hétérojonction Etude des hétérojonctions à base AsGa (A. MARTY) Composants pour systèmes photoniques (F. LOZES) 2A9EP6M ( 20 h 3,5 ECTS) : Semiconducteurs organiques Théorie et applications en électronique et en optoélectronique (P. DESTRUEL) Modèles physiques et simulations (A. CLAVERIE) 2A9EP7M ( 20 h 3,5 ECTS) : Fonctions analogiques Fonctions analogiques intégrées (M. LESCURE) TP modélisation. 2A9EPAM ( 20 h 3,5 ECTS) : Elaboration Matériaux aux premiers stades (J. C. PORTAL) Contact métal-semiconducteur (T. CAMPS) Epitaxie (C. FONTAINE). Traitement des surfaces (H. BEDEL) 2A9EPBM ( 20 h 3,5 ECTS) : Technologie et matériaux nouveaux Matériaux nouveaux à base de silicium (A. CLAVERIE) Matériaux pour capteurs (M. RESPAUD) Matériaux et structures organiques (F. OLIVIE) Technologies nouvelles (V. CONEDERA, N. FABRE) 2A9EPCM ( 20 h 3,5 ECTS) : Technologie MOS Stage technologie MOS à l'aime CAO 2A9EPDM ( 20 h 3,5 ECTS) : Technologies micro-capteurs Réalisation de microactionneurs. Modélisation. Parcours IPD : 2A9EIAM (20h 3,5 ECTS) : Matière et rayonnement Collisions élastiques et inélastiques, sections efficaces, taux de réaction, rayonnement, interaction matièrerayonnement. (Mme M-C. BORDAGE, M. TERRISSOL) 2A9EPEM (20h 3,5 ECTS) : Théorie et propriétés des plasmas (hors équilibre et thermiques) Phénomènes de base dans les plasmas, équation de Boltzmann, équations de transport, modèle fluide, ETL, écarts à l'équilibre, rayonnement des plasmas. (O. EICHWALD, P. TEULET) 2A9EPFM (20h 3,5 ECTS) : Génération des plasmas Alimentation continue, BF, RF, microonde, impulsionnelle. Plasmas magnétisés. Optimisation d'un réacteur pour une application. Arc et torche (P. BELENGUER, J-P. BOEUF, F. GABORIAU, P. GUILLOT, V. SEWRAJ, A. GLEIZES) 2A9EPGM (20h 3,5 ECTS) : Modélisation et simulations numériques

7 Modélisation de plasmas hors équilibre et de plasmas thermiques (J-P. BOEUF, P. FRETON, J-J. GONZALEZ, M. YOUSFI) 2A9EPHM (20h 3,5 ECTS) : Procédés plasmas Microélectronique, traitement de suface (14 h H. CAQUINEAU, F. GABORIAU) Procédés plasmas thermiques (6h - P. FRETON, J-J. GONZALEZ) 2A9EPIM (20h 3,5 ECTS) : Matériaux et isolants solides et gazeux Matériaux, isolants, matériels des réseaux (J-P. CAMBRONNE) Isolants solides et techniques de mesure (C. LAURENT, D. MALEC) Modalités particulières aux élèves des Écoles d'ingénieurs (?) Les élèves ingénieurs de l'insa de Toulouse peuvent suivre un parcours spécifique conduisant au Master Recherche MEIP. Le responsable de ce parcours est le Professeur J.-C. Portal. Pour ces étudiants, le stage obligatoire de fin d'année sera prolongé jusqu'en septembre. Une attention particulière sera portée à ce stage pour qu'il présente un aspect recherche suffisamment important pour rester dans le cadre d'un MASTER RECHERCHE. 4- STAGE DE RECHERCHE D'octobre à janvier, l'étudiant sera surtout occupé par les cours théoriques et mettra à profit une partie de son temps à la découverte de son environnement recherche L'initiation aux techniques de recherche s'effectue au cours d'un stage s'étendant de février à juin. Ce stage a lieu dans l'une des Équipes d'accueil de Doctorants associée à la formation ou dans un laboratoire industriel, sous le contrôle d'un enseignant ou d'un chercheur habilité aux fonctions de Directeur de Recherches. Pendant la période du stage des conférences et séminaires seront proposés aux étudiants pour compléter leur formation. EAD du parcours MTCE EAD n 1, 5, 6, 7, 27, 28 de l'ecole Doctorale GEET Aller sur le site puis Equipes d'accueil de doctorants (EAD) EAD du parcours IPD EAD n 6, 10, 11, 12, 29 de l'ecole Doctorale GEET Aller sur le site puis Equipes d'accueil de doctorants (EAD) 5- MODALITÉS DU CONTRÔLE DES CONNAISSANCES Il y a deux sessions d'examen. Pour les Unités d'enseignement du premier semestre, il y a un contrôle sur toutes les matières composant l'unité pour chaque session. Tout étudiant obtenant à l'ensemble des épreuves d'une Unité

8 d'enseignement une note moyenne supérieure ou égale à 10 sur 20 obtient les ECTS correspondant à cette UE. Si un étudiant n'a pas obtenu les ECTS de toutes les UE mais si la moyenne de l'ensemble des UE (moyenne pondérée par des coefficients proportionnels au nombre d'ects de chaque UE) est supérieure ou égale à 10, les ECTS manquants seront compensés pour toutes les UE où l'étudiant a obtenu une moyenne supérieure ou égale à 6 sur 20. Le stage de recherche est sanctionné: - en cours d'année par une note d'appréciation du travail en laboratoire, sur rapport du directeur de stage, - à l'examen terminal, par une note qui tient compte de la présentation d'un rapport écrit et de sa soutenance devant le Jury. Les 30 ECTS du stage sont acquis à tout étudiant obtenant une note moyenne supérieure ou égale à 10 sur 20. L'admission au MASTER RECHERCHE est prononcée pour tout candidat ayant obtenu 60 ECTS. Les étudiants qui n'ont pas obtenu 60 ECTS conservent les ECTS acquis. 6- POURSUITE EN THÈSE- DÉBOUCHÉS INDUSTRIELS. La poursuite en thèse est conditionnée par différents facteurs: l'obtention du MASTER RECHERCHE, la garantie de ressources suffisantes, l'accord du responsable de l'ead et du Laboratoire d'accueil. Un certain nombre d'allocations de recherche sont accordées par le Ministère de l'enseignement Supérieur et de la Recherche. D'autres sources de financement proviennent du CNRS ou de l'industrie. La durée moyenne de préparation de la thèse est de 3 ans. Le souci principal des responsables est, en premier lieu, d'obtenir une allocation de poursuite en thèse pour les différents candidats recevables. Ceci peut se faire: -soit dans le laboratoire d'accueil en MASTER RECHERCHE, -soit dans une autre équipe toulousaine -soit en fonction des disponibilités dans une équipe se trouvant dans une autre ville universitaire Les anciens étudiants du Master Recherche ont obtenu des emplois dans les différents organismes suivants: Enseignement supérieur (63 ème Section du CNU). Organismes publics ou parapublics : CEA, EDF, CNRS, CNET, ONERA, CNES, AEROSPATIALE. Organismes internationaux : Euratom, CERN, ESA, Grands groupes privés dans le domaine des matériaux, des composants électroniques et des systèmes : Motorola, IBM, Thomson, Eurotechnique, Matra, Renix, Texas, Philips, Bull, Alcatel Alsthom, Siemens, Schneider, Osram, General Electric, AREVA, Air Liquide. Laboratoires spécialisés dans le traitement de l'information, de l'électronique médicale des procédés plasmas. Petites et moyennes entreprises de ces secteurs d'activités. Une attention particulière a été portée aux contenus des enseignements du MASTER RECHERCHE pour permettre aux étudiants ne souhaitant pas ou ne pouvant pas poursuivre en thèse d'obtenir des emplois dans l'industrie prenant en compte cette année supplémentaire d études, leur MASTER RECHERCHE étant considéré comme un "Bac +5".