28/03/2014 COURS Page : 1 / 6
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- Côme Lefebvre
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1 COURS Page : 1 / 6 I Définiion Un maériau don le réseau crisallin n'empêche que pariellemen le passage du couran élecrique es appelé «semi-conduceur». Ci-dessous, le réseau crisallin du silicium (Si). II Noion de dopage II.1 Dopage de ype N Il consise à ajouer des aomes munis d'un élecron de plus par aome dans le réseau crisallin semi-conduceur de dépar. Dans ce cas, le semi-conduceur possède inrinsèquemen un élecron «de rop» que l'on désigne comme libre : un dopage négaif. II.2 Dopage de ype P Conrairemen au dopage de ype N, le dopage de ype P propose un excès de manque d'élecrons que l'on appeler «rou d'élecron» : un dopage posiif. III La joncion P-N Équilibrage pariel Joncion Trous d'élecrons P N Élecrons en excès Lorsque deux semi-conduceurs dopé P e dopé N son mis en conac, un rééquilibrage ne se fai que pariellemen au voisinage de la joncion.
2 COURS Page : 2 / 6 Sens du couran + Joncion P N Lorsqu'un poeniel posiif es appliqué sur le semi-conduceur posiif égalemen, deux charges élecriques ideniques se repoussan, les rous posiifs son repoussés vers la joncion. De la même manière, le poeniel négaif (du même généraeur élecrique) éan appliqué au semi-conduceur négaif, les élecrons son égalemen repoussés vers la joncion, il y a donc équilibre en oalié e le couran peu alors circuler : la joncion es die conducrice. + Sens du couran Joncion P N Lorsqu'un poeniel posiif es appliqué sur le semi-conduceur négaif, deux charges élecriques opposées s'airan, les élecrons son éloignés de la joncion. De la même manière, le poeniel négaif (du même généraeur élecrique) éan appliqué au semi-conduceur posiif, les rous d'élecrons son égalemen éloignés de la joncion, il y a donc déserificaion oale de poreurs élecrique au niveau de la joncion, le couran ne peu alors pas circuler : la joncion es die bloquée.
3 COURS Page : 3 / 6 IV Les semi-conduceurs de puissances en élecroechnique Symbole Désignaion Condiion(s) de conducion Condiion(s) de blocage A K Diode de Redressemen (PN) > cond. (0,6 à 1,8 V) I AK = 0 A B C E Transisor bipolaire (Type NPN) (I C = β.i B ) V BE > V BEsa (0,6 à 1,2 V) V CE > 0 V (réel : 0,2 V) I C V BE V BEsa D S C Transisor à oxyde méallique à effe de champs (MOSFET) (Canal N) (I D = g.v S ) Transisor bipolaire à grille isolée (IBT) (Canal N) V S > V Ssa (3,6 à 6,2 V) Aenion : de par sa consrucion, la joncion S-D correspond à la joncion d'une diode V E > V Esa (1,8 à 5,5 V) V CE > 0 V V S < V Ssa à condiion que V DS > 0 V V S < V Ssa I CE E (I C = χ.v E ) A K Thyrisor (diode commandée à la conducion) (PNPN) I > 0 A > 0 V (réel : 0,8 V) I AK A K Thyrisor (TO : ae Turn Off) (PNN + PN) I > 0 A > 0 V (réel : 0,8 V) I AK ou < 0 V A 1 A 2 Triac (équivalen à deux Thyrisors êe bêche) (PNPN-PNPN) I > 0 A (réel : 10 ma) V A1A2 0 V (réel : ±1,2 V) I A1A2 = 0 A
4 COURS Page : 4 / 6 V Applicaion direce des semi-conduceurs de puissances en élecroechnique V.1 La diode de redressemen (redressemen mono-alernance) Soi le circui ci-dessous (sorie sur charge résisive) avec u = Û.sin(ω). ~ u R u Valeur moyenne : = Û π Valeur efficace : U S = Û 2 Soi le circui ci-dessous (sorie sur charge résiso-inducive). ~ u L (l,r) u
5 COURS Page : 5 / 6 V.2 La diode de redressemen (redressemen double-alernance) Soi le circui ci-dessous (sorie sur charge résisive). u ~ R u Valeur moyenne : =2 Û π Valeur efficace : U S = Û 2 Soi le circui ci-dessous (sorie sur charge résiso-inducive). u ~ L (l,r) u
6 COURS Page : 6 / 6 Soi le circui ci-dessous (sorie sur charge résiso-capaciive). u ~ R C u V.3 Domaine d'applicaions de la diode de redressemen Type de converisseur :
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