Systèmes électroniques

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Dimension: px
Commencer à balayer dès la page:

Download "Systèmes électroniques"

Transcription

1 Systèmes électroniques Introduction Fonctions électroniques analogiques amplification, filtrage, oscillation Conversion Analogique-Numérique Fonctions numériques Microprocesseur Systèmes Electroniques

2 Exemple de système Digital Camera Systèmes Electroniques

3 Exemple de système Capteur: CCD image sensor zone active Systèmes Electroniques

4 Exemple de système Capteur: Effet Photoélectrique photon photon énergie Conduction Band Valence Band 1.26eV : trou -: électron Les porteurs générés thermiquement sont indissociables des porteurs générés par effet photoélectrique : courant d obscurité Le silicium est transparent pour les longueurs d onde supérieures à 1µm Systèmes Electroniques

5 Exemple de système Capteur: CCD (charge coupled device) Interline Transfer zone photosensible registre Phase 1: acquisition Phase 2: transfert vers les registres Phase 3: transfert de la 1 ère ligne vers le registre horizontal Phase 4: nouveau transfert Systèmes Electroniques

6 Exemple de système Capteur: CCD (charge coupled device) Frame Transfer zone image zone registre Les n lignes sont transfèrées dans les registres en n coups d horloge Systèmes Electroniques

7 Exemple de système Capteur: acquisition Systèmes Electroniques

8 Exemple de système Capteur: transfert vers les registres Systèmes Electroniques

9 Exemple de système Capteur: transfert de la première ligne Systèmes Electroniques

10 Exemple de système Capteur: transfert horizontal de la première ligne Systèmes Electroniques

11 Exemple de système Capteur: transfert horizontal de la première ligne Systèmes Electroniques

12 Exemple de système Capteur: transfert des charges SiO2 N P Photons incidents Les photons génèrent des paires électron-trou. Les electrons sont accumulés sous les électrodes de potentiel le plus élevé. Systèmes Electroniques

13 Exemple de système Capteur: transfert des charges Charge accumulée N P Energie Les charges occupent les zones de potentiel le plus élevé Systèmes Electroniques

14 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

15 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

16 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

17 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

18 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

19 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

20 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

21 Exemple de système Capteur: transfert des charges N P Energie Systèmes Electroniques

22 introduction électronique analogique/numérique v(t) t t conversion analogique/numérique échantillonnage Systèmes Electroniques

23 32 voies introduction filtre PB 3,4 khz éch. 8 khz V(f) f V(f) f f max f max Mbits/s 64 kbits/s v 1 (t) mux v*(t) CAN CAN 8 bits 8 bits 32 ech.=125µs t 1 ech.=125µs t Systèmes Electroniques

24 matériau SC Colonne IV: Si, Ge Alliages III-V: AsGa, InP le nombre de porteurs pouvant participer à la conduction est modulable : par apport d énergie thermique ou lumineuse en dopant le matériau (impuretés de la colonne V (As, P ) ou III (Ga, B ) dans la maille cristalline Systèmes Electroniques

25 matériau SC hν cristal de Si à la température T As Si dopage Systèmes Electroniques

26 matériau SC conduction dans les matériaux SC conduction par champ électrique (dérive) E j = σe conduction par diffusion j = D.grad(n) n = D x Systèmes Electroniques

27 jonction PN P N B- E As + conduction par champ diffusion Systèmes Electroniques

28 jonction PN P N E conduction par champ diffusion courant intense Systèmes Electroniques

29 jonction PN P N E conduction par champ diffusion courant faible Systèmes Electroniques

30 jonction PN i P N i v v i i R v Systèmes Electroniques

31 composant de base : le transistor N P N P N P E B C S G D C bipolaire I c D MOS I ds I b B E V ce V gs S V ds I c Ib I ds V g V ce V ds Systèmes Electroniques

32 composant de base : le transistor 1 er modèle : interrupteur commandé C D I b I c G I ds B E V ce V gs S V ds Xc I p V p X c «petit»: interrupteur ouvert (I p =0) X c «grand»: interrupteur fermé (V p =0) Systèmes Electroniques

33 composant de base : le transistor I c I ds I b V g V ce V ds R R I p =0 I p =V dd /R 0 V s =V dd 1 V s =0 Systèmes Electroniques

34 composant de base : le transistor V dd I b =0 I c =0 V e =0 V ce V dd R V dd V dd V s I ds =0 V e V gs =0 V ds V dd Systèmes Electroniques

35 composant de base : le transistor V dd V e =V dd I b I c V ce 0 R V dd V dd V s I ds 0 V e V ds 0 V gs =V dd Systèmes Electroniques

36 composant de base : le transistor 2 ème modèle : source de courant contrôlée C D I b I c G I ds B E V ce V gs S V ds B G I b Ids = f(vgs ) I c = β I b V gs Systèmes Electroniques

37 composant de base : le transistor 2 ème modèle : source de courant contrôlée V dd I c I c I b I b V e V s = V ce V ce V be V s B S V e Systèmes Electroniques

38 composant de base : le transistor V s fonctionnement linéaire blocage saturation V e circuits logiques électronique de puissance autres (timer, ) circuits linéaires Systèmes Electroniques

39 circuits intégrés substrat (Si) gravure (HF ou plasma) oxyde (SiO 2 ) résine UV masque Systèmes Electroniques

40 circuits intégrés dépôt poly-si dépôt d'oxyde oxydation gravure poly-si ouverture des contacts gravure gravure oxyde mince dépôt de métal oxydation (grille) implantation-diffusion gravure du métal Systèmes Electroniques

41 circuits intégrés deux grandes familles technologiques: CMOS et bipolaire t I V C diminution du paramètre techno. diminution des tensions compromis vitesse - consommation t = V C I Systèmes Electroniques

42 circuits intégrés CMOS nmos technologie CMOS pmos Systèmes Electroniques

43 circuits intégrés CMOS D D G G V gs S V gs S nmos pmos S D V gs V dd V gs -V dd S D V gs 0 V gs 0 Systèmes Electroniques

44 circuits intégrés CMOS exemple : inverseur V alim V alim pmos E S E S nmos Systèmes Electroniques

45 circuits intégrés CMOS exemple : inverseur V alim E=1 S=0 E S E S 0 1 E S E=0 S=1 1 0 Systèmes Electroniques

46 circuits intégrés CMOS exemple : inverseur V alim grille E S n+ n+ p+ p+ substrat p V ref transistor n transistor p caisson n Systèmes Electroniques

47 circuits intégrés CMOS exemple : inverseur Systèmes Electroniques

48 circuits intégrés CMOS exemple : inverseur Systèmes Electroniques

49 circuits intégrés CMOS exemple : porte NAND A B S A V alim B A=1 et B=1 S= S A=0 ou B= S=1 A B S Systèmes Electroniques

50 circuits intégrés CMOS exemple : porte NAND Systèmes Electroniques

51 circuits intégrés CMOS exemple : porte NOR V alim A B S A B S A=1 ou B=1 S= A=0 et B=0 S=1 A B S Systèmes Electroniques

52 circuits intégrés CMOS exemple : porte NOR Systèmes Electroniques

53 circuits intégrés Systèmes Electroniques

54 circuits intégrés évolution du nombre de transistors des µp Intel nb de trans. param. techno. 1,0E+08 P-III 12 1,0E+07 1,0E P P-II ,0E ,0E+04 1,0E loi de Moore : N tr est multiplié par 1,4 par an Systèmes Electroniques

55 circuits intégrés évolution de la fréquence d'horloge des µp Intel MHz 1000 fréquence d'horloge P-III P-II P Systèmes Electroniques

56 circuits intégrés 1972: 2500 transistors 2000: > transistors 4004 P-II Systèmes Electroniques

57 circuits intégrés paramètre techno. (nm) nombre de transistors/cm2 (en millions) surface de la puce (mm 2 ) nombre d'e/s fréquence d'horloge (MHz) ,5 2 1,5 1 0,5 puissance (W) alimentation (V) a Systèmes Electroniques

58 circuits intégrés hiérarchie système fonction porte composant circuit Systèmes Electroniques

59 circuits intégrés salle blanche fours de diffusion masque de lithographie wafer Systèmes Electroniques

60 circuits intégrés "bonding" boitiers boitier DIL Systèmes Electroniques

61 microsystèmes Systèmes Electroniques

Les circuits logiques programmables :

Les circuits logiques programmables : Les circuits logiques programmables : Technologie du transistor au P.L.D. (Programmable Logic Device) 1 Toutes les composants logiques (de la porte logique au µp) sont obtenues à partir d association de

Plus en détail

Fabrication des circuits

Fabrication des circuits Fabrication des circuits Remerciements Rappels sur les semiconducteurs Composants élémentaires associées (diode, transistor), Vitesse de fonctionnement, consommation et performances. F Dupont; Ainsi que

Plus en détail

Transistor MOS. Transistor MOS Types de transistors

Transistor MOS. Transistor MOS Types de transistors Transistor MOS n n n Semi-conducteur Transistor nmos Transistor pmos andre.stauffer@epfl.ch Transistor MOS Types de transistors La technologie CMOS (MOS complémentaire) utilisée dans ce cours comporte

Plus en détail

Table des matières. CHAPITRE I: Introduction à la Microélectronique. CHAPITRE II: Le transistor MOS

Table des matières. CHAPITRE I: Introduction à la Microélectronique. CHAPITRE II: Le transistor MOS VII Table des matières CHAPITRE I: Introduction à la Microélectronique 1 La microélectronique... 1 1.1 Description d un circuit intégré... 2 1.2 Evolution des circuits intégrés... 3 2 Miniaturisation...

Plus en détail

24/10/2013. Qu est-ce qu une technologie? Quels sont les objectifs de la technologie? Exemple : Technologie MOS

24/10/2013. Qu est-ce qu une technologie? Quels sont les objectifs de la technologie? Exemple : Technologie MOS Elaboration des LA TECHNOLOGIE Qu estce qu une technologie? Qu'estce qu'une technologie? Exemple : Technologie MOS Quels sont les objectifs de la technologie? Les étapes de fabrication d'un circuit intégré

Plus en détail

GELE5340 Circuits ITGÉ (VLSI) Chapitre 2: Fabrication des circuits intégrés

GELE5340 Circuits ITGÉ (VLSI) Chapitre 2: Fabrication des circuits intégrés GELE5340 Circuits ITGÉ (VLSI) Chapitre 2: Fabrication des circuits intégrés Contenu du chapitre Introduction à la fabrication des circuits intégrés On verra en gros comment les circuits intégrés sont fabriqués.

Plus en détail

Aspects technologiques des circuits

Aspects technologiques des circuits Plan du cours Introduction : création de circuits 1. Codage de l Information 2. Algèbre de Boole 3. Aspects technologiques des circuits 4. Les Circuits combinatoires : Transcodeurs, Aiguilleurs, Comparateurs

Plus en détail

Diodes et transistors

Diodes et transistors et transistors Seatech - 4A Université de Toulon (UTLN) Plan du cours 1 Semi-conducteurs Silicium non dopé Silicium dopé 2 Principe Utilisation Les diodes particulières 3 Principe de fonctionnement Régime

Plus en détail

C.Dupaty Professeur de génie électrique Lycée Fourcade Gardanne

C.Dupaty Professeur de génie électrique Lycée Fourcade Gardanne C.Dupaty Professeur de génie électrique Lycée Fourcade 13120 Gardanne c.dupaty@aix-mrs.iufm.fr L ingénieur électronicien pour résoudre un problème associe entre eux des circuits électroniques remplissant

Plus en détail

Capteur CCD : principe et application à la chaine de numérisation d une image

Capteur CCD : principe et application à la chaine de numérisation d une image Leçon Capteur CCD : principe et application à la chaine de numérisation d une image 16 avril 2014 1 Introduction En 1970 Smith et Boyle publient un article sur des dispositifs à transfert de charge (DTC)

Plus en détail

ECOLE POLYTECHNIQUE. Majeure Micro-Nano-Optoélectronique. Phy 568 : Circuits électroniques. Cours 1 : du silicium aux portes CMOS de base

ECOLE POLYTECHNIQUE. Majeure Micro-Nano-Optoélectronique. Phy 568 : Circuits électroniques. Cours 1 : du silicium aux portes CMOS de base ECOLE POLYTECHNIQUE Département de Physique Majeure Micro-Nano-Optoélectronique Phy 568 : Circuits électroniques Cours 1 : du silicium aux portes CMOS de base G. Fontaine janvier 2006 Plan du Chapitre

Plus en détail

Technologie des puces

Technologie des puces Technologie des puces Alain GUYOT TIMA DEA MICROÉLECTRONIQUE (33) 04 76 57 46 16 Alain.Guyot@imag.fr http://tima-cmp.imag.fr/~guyot Techniques de l'informatique et de la Microélectronique pour l'architecture.

Plus en détail

CONCEPTION ET TEST DE CIs

CONCEPTION ET TEST DE CIs CONCEPTION ET TEST DE CIs 1. INTRODUCTION ET RAPPELS 1.1 Introduction à la conception de CIs 1.2 Rappels sur les transistors MOS et la technologie CMOS 1.3 Rappels sur les éléments d architecture des CIs

Plus en détail

Capteurs numériques CCD & CMOS

Capteurs numériques CCD & CMOS Master 1 SIA Capteurs numériques CCD & CMOS Olivier GODET (ogodet@irap.omp.eu) 1 Organisation du cours Support de cours et énoncés de TP sont disponibles sur ma page web : http://userpages.irap.omp.eu/~ogodet/

Plus en détail

Processeurs et Architectures Numériques De l architecture des portes logiques à l impact de la nanoélectronique sur l économie des TICs...

Processeurs et Architectures Numériques De l architecture des portes logiques à l impact de la nanoélectronique sur l économie des TICs... Processeurs et Architectures Numériques De l architecture des portes logiques à l impact de la nanoélectronique sur l économie des TICs... Yves Mathieu Plan Introduction Logique CMOS Performances de la

Plus en détail

Fabrication des circuits intégrés

Fabrication des circuits intégrés Chapitre 2 Fabrication des circuits intégrés Ce chapitre sert d introduction à la fabrication des circuits intégrés. On verra en gros comment les circuits intégrés sont fabriqués, sans aller trop en détail.

Plus en détail

Techniques de dépôt de couches minces

Techniques de dépôt de couches minces Approche Top-down Techniques de dépôt de couches minces Sylvia Matzen Maître de conférences Université Paris-Sud / CNRS Le transistor Source Grille Isolant Canal Substrat Semiconducteur Drain Source Le

Plus en détail

E ph E g. h=6, J s c= m s 1

E ph E g. h=6, J s c= m s 1 IV Efficacité quantique 1 Définition Seuls les photons avec une énergie électrons. Puisque E ph=hν= E ph E g peuvent générer des photo- hc, on a la relation : λ λ avec λc =1,1 μm (IR) c λ hc 1,24 [ μm

Plus en détail

TECHNOLOGIE M.O.S. EVOLUTION - LIMITES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES PERSPECTIVES

TECHNOLOGIE M.O.S. EVOLUTION - LIMITES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES PERSPECTIVES TECHNOLOGIE M.O.S. EVOLUTION - LIMITES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES PERSPECTIVES Richard HERMEL LAPP Ecole d électronique IN2P3 : Du détecteur à la numérisation Cargèse Mars 2004 Sommaire Introduction,

Plus en détail

Une technologie est la définition de la chronologie des modules de bases.

Une technologie est la définition de la chronologie des modules de bases. 1 Une technologie est la définition de la chronologie des modules de bases. 2 3 L objectif principal de la technologie est de disposer dans un même circuit intégré, un ensemble de dispositifs électroniques

Plus en détail

V. La puce : l intégration A. Lithographie. Principe : utiliser un masque, une résine (pos. ou neg.), une illumination

V. La puce : l intégration A. Lithographie. Principe : utiliser un masque, une résine (pos. ou neg.), une illumination V. La puce : l intégration A. Lithographie Principe : utiliser un masque, une résine (pos. ou neg.), une illumination La plaquette (wafer) de Si est traitée en surface : 1- En général, oxydée SiO 2 isolant

Plus en détail

Microélectronique. Jean-Marc Routoure L Jean-Marc Routoure : GREYC : UMR 6072, université de Caen. Microélectronique

Microélectronique. Jean-Marc Routoure L Jean-Marc Routoure : GREYC : UMR 6072, université de Caen. Microélectronique Microélectronique Jean-Marc Routoure L1 2005-2006 Jean-Marc Routoure : GRYC : UMR 6072, université de Caen. Microélectronique Who is who? Maître de conférences à l université de Caen. Chercheur au GRYC

Plus en détail

4 MNT DEVOIR SURVEILLE PEOS-DEOS le mardi 23 janvier 2007 Durée : 4 heures

4 MNT DEVOIR SURVEILLE PEOS-DEOS le mardi 23 janvier 2007 Durée : 4 heures 4 MNT EVOIR SURVEILLE PEOS-EOS le mardi 23 janvier 2007 urée : 4 heures Nota Bene : - ocuments non autorisés - Nombre de pages totales : 8 - Nombre de pages annexes : 3 (formulaire) - Nombre d annexe à

Plus en détail

Chapitre 5 bis Stockage et transmission de l information. Site WEB. Stockage de l information. Stockage de l information. Stockage de l information

Chapitre 5 bis Stockage et transmission de l information. Site WEB. Stockage de l information. Stockage de l information. Stockage de l information Site WEB www.rmn.uhp-nancy.fr/grandclaude/index.html Chapitre 5 bis Stockage et transmission de l information Stockage de l information Stockage de l information RAM Clef USB Stockage de l information

Plus en détail

Conception de circuits numériques et architecture des ordinateurs

Conception de circuits numériques et architecture des ordinateurs Conception de circuits numériques et architecture des ordinateurs Frédéric Pétrot Année universitaire 2013-2014 Structure du cours C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11 C12 Codage des nombres en base 2, logique

Plus en détail

PHOTODÉTECTEUR 18/04/16. Sommaire PARTIE 7. Structure de base des photodiodes. Caractéristiques électriques. Caractéristiques optiques

PHOTODÉTECTEUR 18/04/16. Sommaire PARTIE 7. Structure de base des photodiodes. Caractéristiques électriques. Caractéristiques optiques PARTIE 7 PHOTODÉTECTEUR S. FACI Sommaire Structure de base des photodiodes Caractéristiques électriques Caractéristiques optiques Circuits associés aux photodiodes Photodétecteur? Un photodétecteur absorbe

Plus en détail

Chapitre 7. Transistor MOS. Transistor MESFET Jonction métal-semiconducteur Diode Schottky MESFET Transistor MODFET/HEMT Transistor «Quantique»

Chapitre 7. Transistor MOS. Transistor MESFET Jonction métal-semiconducteur Diode Schottky MESFET Transistor MODFET/HEMT Transistor «Quantique» Transistor MOS Chapitre 7 Introduction Jonction Métal/Oxyde/Semiconducteur Diode MOS idéale Diode MOS réelle MOSFET principe MOSFET courant drain Effets d une grille courte MOS ultime Transistor MESFET

Plus en détail

Conversions. Analogique / Numérique & Numérique / Analogique T.CAMPS (09/2013)

Conversions. Analogique / Numérique & Numérique / Analogique T.CAMPS (09/2013) Conversions Analogique / Numérique & Numérique / Analogique T.CAMPS (09/2013) 1 CAN / CNA : Historique & Généralités Jusqu en 1960-1970 : Traitement du signal analogique Manque de fiabilité des résultats

Plus en détail

Master 2 Signal, Imagerie, Applications

Master 2 Signal, Imagerie, Applications Master 2 Signal, Imagerie, Applications 1 PLAN DU COURS 1 - Historique, domaine d application et généralités 2 Structure d un capteur CCD 3 Principe de fonctionnement 4 Aberrations 2 1 Historique, domaine

Plus en détail

Capteur CCD. I. Introduction

Capteur CCD. I. Introduction Capteur CCD I. Introduction Le capteur CCD (Charge-Coupled Device)est un composant électronique servant à convertir un rayonnement électromagnétique (Ultra-violet, Lumière visible, ou Infrarouge) en un

Plus en détail

Page 1 sur 5 Recherche sur le site Go Circuits et composants Guide d'achat Emplois Resources externe Forum de discussion Annonces Divers Connexion Datasheet Equiv. Nouv. Cat. Boitiers Broches Audio-Vidéo

Plus en détail

Transistors et portes logiques

Transistors et portes logiques Transistors et portes logiques On explique dans cette partie le fonctionnement schématique d'un transistor ainsi que la façon de réaliser des portes logiques avec des transistors. Semi-conducteurs Les

Plus en détail

Le remplacement progressif des capteurs CCD par des CMOS. TAI - De l'atome à la puce.

Le remplacement progressif des capteurs CCD par des CMOS. TAI - De l'atome à la puce. TP1 WORD 2011 Le remplacement progressif des capteurs CCD par des CMOS. TAI - De l'atome à la puce. RAMOS-DAVID Groupe D 02/01/2011 TP1 WORD Sommaire Le fonctionnement des capteurs d'images.... De la photodiode

Plus en détail

Examen 2 ième Session d Electronique Analogique ELE 004 Documents non autorisés Durée 3 heures

Examen 2 ième Session d Electronique Analogique ELE 004 Documents non autorisés Durée 3 heures CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS Année universitaire 2008-2009 Examen 2 ième Session d Electronique Analogique ELE 004 Documents non autorisés Durée 3 heures Exercice 1 (3pts): (Semi-conducteurs)

Plus en détail

IV. La Jonction. Jonction PN, diodes et transistors

IV. La Jonction. Jonction PN, diodes et transistors IV. La Jonction. Jonction PN, diodes et transistors A. La jonction 1. Le premier composant électronique : la diode a. Représentation schématique Tension U directe (dans le bon sens) & U > U T Tension U

Plus en détail

La réalisation de l'isolation

La réalisation de l'isolation La réalisation de l'isolation A partir d'un substrat Si de type P Croissance d'un oxyde de piédestal (oxydation) 120Α Dépôt d'une couche de nitrure de silicium (LPCVD) 800Α Nous allons maintenant décrire

Plus en détail

TP N 4 D ELECTRONIQUE NUMERIQUE. Technologie des composants

TP N 4 D ELECTRONIQUE NUMERIQUE. Technologie des composants ROBERT Véronique GE3 Année 2005-2006 TP N 4 D ELECTRONIQUE NUMERIQUE Technologie des composants Le but de ce TP est d étudier les caractéristiques électriques d une même porte logique réalisée dans différentes

Plus en détail

Cours électronique Chapitre 5: Les Diodes

Cours électronique Chapitre 5: Les Diodes Cours électronique Chapitre 5: Les Diodes 1 I-Introduction : Une diode est un élément de circuit non linéaire. La loi d Ohm telle que vue aupravant ne s applique plus de la même façon. II- Constitution

Plus en détail

Examen de Physique des Composantes

Examen de Physique des Composantes Examen de Physique des Composantes 24 Avril 2017 La durée de l'examen est de trois heures. La calculette est autorisée, les documents ne le sont pas. Les téléphones portables doivent être éteints. Bon

Plus en détail

U-32 Physique-appliquée

U-32 Physique-appliquée Session 2006 BREVET de TECHNICIEN SUPÉRIEUR CONTRÔLE INDUSTRIEL et RÉGULATION AUTOMATIQUE SCIENCES PHYSIQUES U-32 Physique-appliquée Durée : 2 heures Coefficient : 2,5 = = = = = = = = = = = = = Avant de

Plus en détail

Notes de cours : Électronique. Jean-Baptiste Théou

Notes de cours : Électronique. Jean-Baptiste Théou Notes de cours : Électronique Jean-Baptiste Théou 12 septembre 2009 Chapitre 1 Présentation Il y a deux parties en électronique : L électronique analogique, qui traite les signaux continues (Voix, tension,

Plus en détail

Master 1 Information, Signal, Image, Instrumentation. Caméras CCD & Imagerie numérique

Master 1 Information, Signal, Image, Instrumentation. Caméras CCD & Imagerie numérique Master 1 Information, Signal, Image, Instrumentation Caméras CCD & Imagerie numérique PLAN DU COURS I Notions sur les semi-conducteurs et interactions rayonnement-matière 1 Bandes d énergie, semi-conducteurs

Plus en détail

CONCLUSION GENERALE &RQFOXVLRQ

CONCLUSION GENERALE &RQFOXVLRQ CONCLUSION GENERALE L implantation ionique est une méthode indispensable pour la réalisation de dopages localisés dans le carbure de silicium. Elle est nécessaire par exemple pour la création de jonctions

Plus en détail

Conducteurs et isolants : Bandes d énergie :

Conducteurs et isolants : Bandes d énergie : Compétences travaillées : Savoir extraire, exploiter et organiser des informations Communiquer et argumenter en utilisant un vocabulaire scientifique adapté Analyser un résultat expérimental Formuler des

Plus en détail

Le jeu de masques DTC4R

Le jeu de masques DTC4R Le jeu de masques DTC4R Ce jeu de 4 masques est destiné à la fabrication de circuits NMOS à enrichissement, à grille autoalignée (process AIME AN4). Il remplace le jeu DTC2 dont il reprend les fonctions

Plus en détail

Composants photoniques hybrides

Composants photoniques hybrides Composants photoniques hybrides Matthieu Nannini Etienne Grondin Arnaud Gorin Vincent Aimez 1 Plan de la présentation Contexte Objectifs Principes et simulations Fabrication Applications Conclusion 2 Contexte:

Plus en détail

GEL-3000 Électronique des composants intégrés. Hiver MOSFET et amplificateurs de base -

GEL-3000 Électronique des composants intégrés. Hiver MOSFET et amplificateurs de base - GEL-3000 Électronique des composants intégrés - MOSFET et amplificateurs de base - MOSFET et amplificateurs de base Conditions préalables: Chapitre 5, sections 5.1 à 5.3 (rappel) Amplificateurs de base:

Plus en détail

6 Fonctionnement interne des composants électroniques

6 Fonctionnement interne des composants électroniques 6 Fonctionnement interne des composants électroniques Introduction 6.1 - Physique des semiconducteurs 6.2 - Jonction PN et diode 6.3 MOSFET 1 Les composants électroniques courants sont en silicium Pourquoi

Plus en détail

1 Semi-conducteurs. Physique des composants. 1.1 Dopage NOM : GROUPE :

1 Semi-conducteurs. Physique des composants. 1.1 Dopage NOM : GROUPE : NOM : GROUPE : Ce sujet comporte trois parties complètement indépendantes et un qcm sur 9 pages. Il doit être traité sans calculatrice ni document en répondant directement sur les feuilles de l énoncé

Plus en détail

Électronique analogique Cours et exercices. Kais Bouzrara

Électronique analogique Cours et exercices. Kais Bouzrara Kais Bouzrara Électronique analogique Cours et exercices Plans du Cours 1. Diodes : théorie des diodes. Polarisation. Caractéristique. Droite de charge. Approximation de la diode. Diodes spéciales. Circuits

Plus en détail

Cours d Opto-Electronique

Cours d Opto-Electronique Département Génie Electrique Cours d Opto-Electronique Chapitre 4 Capteurs d images 2016-2017 Chapitre 4 Chapitre 1 Chapitre 2 Chapitre 3 Chapitre 4 - Rappels et définitions - Thermométrie - Grandeurs

Plus en détail

Nanoélectronique : une introduction

Nanoélectronique : une introduction Nanoélectronique : une introduction Abdelkader SOUIFI INSA de Lyon Institut des Nanotechnologies de Lyon Plan Les débuts de l électronique : l électron dans le vide. L ère de la microélectronique : la

Plus en détail

Capteurs numériques CCD & CMOS

Capteurs numériques CCD & CMOS Master 1 SIA Capteurs numériques CCD & CMOS Olivier GODET (ogodet@irap.omp.eu) 1 Organisation du cours Support de cours et énoncés de TP sont disponibles sur ma page web : http://userpages.irap.omp.eu/~ogodet/

Plus en détail

Outils CNES pour le support à la conception et à l analyse de défaillanced. Kevin Sanchez

Outils CNES pour le support à la conception et à l analyse de défaillanced. Kevin Sanchez Outils CNES pour le support à la conception et à l analyse de défaillanced Kevin Sanchez 1 2 Sommaire Analyse électrique Buts & moyens Analyse optique Présentation des moyens et des techniques basés sur:

Plus en détail

Conception de circuits numériques et architecture des ordinateurs

Conception de circuits numériques et architecture des ordinateurs Conception de circuits numériques et architecture des ordinateurs Frédéric Pétrot Année universitaire 2012-2013 tructure du cours C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11 C12 Codage des nombres en base 2, logique

Plus en détail

La conception des blocs est facilitée si ceux-ci sont organisés comme le croisement de deux (ou plus) flux fonctionnels.

La conception des blocs est facilitée si ceux-ci sont organisés comme le croisement de deux (ou plus) flux fonctionnels. Flux directionnels La conception des blocs est facilitée si ceux-ci sont organisés comme le croisement de deux (ou plus) flux fonctionnels. flux de commandes flux de données cellule élémentaire Ecole polytechnique,

Plus en détail

TD Physique des composants partie 1

TD Physique des composants partie 1 TD Physique des composants partie 1 A) Semiconducteurs à l équilibre 1-Densités volumiques a. A quelle classe de matériaux appartient le silicium? b. Donner la structure cristallographique du silicium

Plus en détail

ELEN037 Microélectronique. H-M Nguyen et F. Senny Année académique

ELEN037 Microélectronique. H-M Nguyen et F. Senny Année académique ELEN037 Microélectronique H-M Nguyen et F. Senny Année académique 2008-2009 Agenda Répétition «au menu» + FPGA (FPGA +) Logique CMOS Labo FPGA Labo Protel Courbe Ids(Vds) et transfert (visite fonderie

Plus en détail

Cours PMO. 3 - Filtres et photodétecteurs

Cours PMO. 3 - Filtres et photodétecteurs Cours PMO 3 - Filtres et photodétecteurs 1 Interface air/verre - avec traitement antireflets aucun reflet Air Verre Couche stratifiée anti-reflets Une stratification de couches minces de divers matériaux

Plus en détail

Introduction à la CAO des circuits. intégrés LAYOUT

Introduction à la CAO des circuits. intégrés LAYOUT Introduction à la CAO des circuits intégrés LAYOUT Fabrice CAIGNET LAAS - CNRS fcaignet@laas.fr http://www.laas.fr/~fcaignet Plan du Cours d introduction I. Introduction sur la conception au niveau Layout

Plus en détail

II Les caméras à transfert de charges

II Les caméras à transfert de charges II Les caméras à transfert de charges 1 Historique Les CCDs (Charge Coupled Devices) ont été inventées au laboratoire Bell en 1969 par George Smith and Willard Boyle (prix Nobel de physique 2009). A l

Plus en détail

Sans-fil Haut-Débit. Partie I : Le monde de l intégré Partie II : La propagation hertzienne Partie III : Les enjeux de la montée en fréquence

Sans-fil Haut-Débit. Partie I : Le monde de l intégré Partie II : La propagation hertzienne Partie III : Les enjeux de la montée en fréquence ans-fil Haut-ébit Partie I : Le mone e l intégré Partie II : La propagation hertzienne Partie III : Les enjeux e la montée en fréquence 1 Chaîne e transmission Il existe beaucoup e moyens e transmission

Plus en détail

1 La logique électronique

1 La logique électronique 1 La logique électronique Peter Schlagheck Université de Liège Ces notes ont pour seule vocation d être utilisées par les étudiants dans le cadre de leur cursus au sein de l Université de Liège. Aucun

Plus en détail

Cours Familles des circuits intégrés (C.I.)

Cours Familles des circuits intégrés (C.I.) Module électronique numérique Cours Familles des circuits intégrés (C..) Année 2015-2016 E. AGOURANE Familles des circuits intégrés (C..) - ntroduction Les circuits intégrés numériques sont des montages

Plus en détail

2. Les amplificateurs, éléments de base de l analogique 2.1 L amplificateur simple étage Source commune à charge résistive de drain

2. Les amplificateurs, éléments de base de l analogique 2.1 L amplificateur simple étage Source commune à charge résistive de drain 2. Les amplificateurs, éléments de base de l analogique 2.1 L amplificateur simple étage Source commune à charge résistive de drain V dd Tensions de polarisations : V gs = V e V ds = V s I d I s + di d

Plus en détail

L'évolution des technologies Si

L'évolution des technologies Si L'évolution des technologies Si Michel Rivier IBM Microelectronics Laboratoire de développement des composants Corbeil-Essonnes rivier @ fr.ibm.com Plan introduction les DRAMs : un véhicule pour la lithogravure

Plus en détail

Françoise Massines, PROMES CNRS, Perpignan France

Françoise Massines, PROMES CNRS, Perpignan France Françoise Massines,, PROMES CNRS, Perpignan France Cellule photovoltaïque: convertisseur photon électron I V 2 étapes: génération des électrons et des trous Transport des charges vers les électrodes A.

Plus en détail

Chapitre 3 : Détecteurs optiques

Chapitre 3 : Détecteurs optiques Chapitre 3 : Détecteurs optiques Compléments : module «Systèmes de détection optique» Bibliographie : Cours Unniv St Etienne, N. Destouch https://dossier.univ-st-etienne.fr/destoucn/www/enseignements/cm-td-captopt.pdf

Plus en détail

Le Transistor Bipolaire en commutation

Le Transistor Bipolaire en commutation Objectifs du cours Ce cours traitera essentiellement les points suivants : - Présentation et symbolisation du transistor bipolaire en commutation - Fonctionnement et caractéristiques - Travaux pratiques

Plus en détail

Controle du dopage. Défi technologique : un dopage contrôlé III IV V. limite de solubilité. source et drain. contrôles de Vt.

Controle du dopage. Défi technologique : un dopage contrôlé III IV V. limite de solubilité. source et drain. contrôles de Vt. Défi technologique : un dopage contrôlé Controle du dopage type p type n 10 21 limite de solubilité 1 atome pour 100 B 10 19 source et drain Si P As 10 17 contrôles de Vt III IV V 10 15 10 13 limite pratique

Plus en détail

Les transistors NPN : Dans ce type de transistors, la couche mince dopée P est située entre les deux zones dopées N. (fig.1).

Les transistors NPN : Dans ce type de transistors, la couche mince dopée P est située entre les deux zones dopées N. (fig.1). III- Transistor bipolaire : Le transistor bipolaire a été inventé par Bardeen et Brattain en 1948, la théorie en a été élaborée par Shockley en 1949, le premier transistor à jonction a été fabriqué en

Plus en détail

adaptés à l'imagerie, ces composants échantillonnent l image par des

adaptés à l'imagerie, ces composants échantillonnent l image par des Les barrettes CCD La technologie Les CCD : Coupled Charge Device (Dispositif à Transfert de Charge), ont été inventés en 1970 par Boyle et Smith des laboratoires Bell Labs aux Etats- Unis. Initialement,

Plus en détail

Électronique Numérique

Électronique Numérique Électronique Numérique Plan de Cours http://flemarchand.perso.egim-mrs.fr/ 1 Circuits électroniques numériques: introduction Analogique/ numérique Technologie des transistors Transistor a effet de champ

Plus en détail

sciences et technologie de l'industrie et du developpement durable

sciences et technologie de l'industrie et du developpement durable sciences et technologie de l'industrie et du developpement durable Technologie des circuits logiques SiN CI1 : circuits logiques 1. La technologie CMOS 1.1. Historique de la technologie CMOS Depuis la

Plus en détail

Cours d Opto-Electronique

Cours d Opto-Electronique Département Génie Electrique Cours d Opto-Electronique 4GEA Chapitre 2 2016-2017 Chapitre 1 Chapitre 2 - Rappels et définitions - Thermométrie - Grandeurs photométriques - Emetteurs (LED et LASER) - Récepteurs

Plus en détail

1 La logique électronique. Peter Schlagheck

1 La logique électronique. Peter Schlagheck 1 La logique électronique Peter Schlagheck Université de Liège 1 La logique électronique 1.1 La préhistoire de l informatique 1.2 L électronique avec les tubes à vide 1.3 Les transistors 1.1 La préhistoire

Plus en détail

Injection de Fautes Laser et Localisation de Blocs Logiques

Injection de Fautes Laser et Localisation de Blocs Logiques Injection de Fautes Laser et Localisation de Blocs Logiques Cyril Roscian, Jean-Max Dutertre, Assia Tria CEA-LETI & ENSMSE CMP Georges Charpak, 880 Route de Mimet, 13541 Gardanne, France. 17 mai 2011 CRYPTO

Plus en détail

Les photo-éléments. Sensibilité (d'un élément photosensible) : courant débité / flux lumineux incident (A/lm)

Les photo-éléments. Sensibilité (d'un élément photosensible) : courant débité / flux lumineux incident (A/lm) I) Notion de photométrie Nature ondulatoire Les photo-éléments.f = c (c : vitesse de la lumière c=3. 1 8 ms -1 ) couleur (http://www.techmind.org/colour/coltemp.html) Nature corpusculaire E = hf (h constante

Plus en détail

Nanoélectronique. Qu est-ce que c est? Enquête sur le Plateau de Saclay. Gérard Bruneau, Simone Cassette, Louis Sangouard

Nanoélectronique. Qu est-ce que c est? Enquête sur le Plateau de Saclay. Gérard Bruneau, Simone Cassette, Louis Sangouard Nanoélectronique Qu est-ce que c est? Enquête sur le Plateau de Saclay Gérard Bruneau, Simone Cassette, Louis Sangouard Echelle nano 1à 100 nm Premier circuit intégré, Jack Kilby 12 septembre 1958, Texas

Plus en détail

LES RECEPTEURS PHOTOSENSIBLES

LES RECEPTEURS PHOTOSENSIBLES LES RECEPTEURS PHOTOSENSIBLES 1. L effet photoélectrique 1.1 Description Lorsqu une plaque de métal est éclairée par un faisceau lumineux de fréquence f, celle-ci émet dans certaines conditions des électrons.

Plus en détail

Examen 2 ième Session d Electronique Analogique ELE 004 (Durée 3 heures)

Examen 2 ième Session d Electronique Analogique ELE 004 (Durée 3 heures) CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS Année universitaire 2007-2008 Examen 2 ième Session d Electronique Analogique ELE 004 (Durée 3 heures) Exercice 1 (4pts): (Semi-conducteurs et Jonction PN) On

Plus en détail

Etude d une caméra CMOS industrielle

Etude d une caméra CMOS industrielle Etude d une caméra CMOS industrielle En 2014, 95 % des caméras produites sont des caméras CMOS (Complementary Metal Oxyd Semiconductor), pour 5 % de caméras CCD (Charge- Coupled Device). La différence

Plus en détail

Électronique. Cours 12: Conception et Révision

Électronique. Cours 12: Conception et Révision Électronique Cours 12: Conception et Révision Exemple pour portes CMOS Sur une puce, les pins sont dispendueux. Il est possible de partager un pin entre 2 (ou plus) systèmes On utilise typiquement un multiplexeur

Plus en détail

Elaboration des circuits intégrés - HISTORIQUE -

Elaboration des circuits intégrés - HISTORIQUE - Elaboration des circuits intégrés - HISTORIQUE - Histoire de la microéléctronique Le marché des semiconducteurs Filières et densité d'intégration Evolution des technologies DRAM Le cycle du besoin au produit

Plus en détail

ELE Circuits électroniques. Département génie électrique. 3 Crédits (3 1,5 4,5)

ELE Circuits électroniques. Département génie électrique. 3 Crédits (3 1,5 4,5) Plan de cours ELE2302 - Circuits électroniques Département génie électrique 3 Crédits (3 1,5 4,5) http://www.cours.polymtl.ca/ele2302 I. INFORMATIONS GÉNÉRALES Professeur : Philippe Levesque Téléphone

Plus en détail

CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS

CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS 1 CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS ELECTRONIQUE ANALOGIQUE (code ELE 004 ) Première session vendredi 9 février 2007 18h 30-21h 30 sans documents Tout résultat donné sans unités sera considéré

Plus en détail

Cours 7. Transistors CMOS

Cours 7. Transistors CMOS Cours 7 Transistors CMOS Mise en contexte Jusqu a present, on a parle de: La structure atomique du silicium Le dopage et l effet sur la conduction La combinaison de P et N: diode La combinaison de 2 diodes:

Plus en détail

La course à l infiniment petit et ses challenges technologiques

La course à l infiniment petit et ses challenges technologiques La course à l infiniment petit et ses challenges technologiques Source Cadence Design Systems Source Intel 1 Laurent Thénié - Cadence Design Systems Source AMD Un peu d histoire 1960: Le premier circuit

Plus en détail

LISTE DES FIGURES. Chapitre I : Du Transistor Bipolaire Si au Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe

LISTE DES FIGURES. Chapitre I : Du Transistor Bipolaire Si au Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe LISTE DES FIGURES Chapitre I : Du Transistor Bipolaire Si au Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe Figure I.1 : Représentation simplifiée 1 D du transistor bipolaire npn Figure I.2 : Diagramme

Plus en détail

Cellules photovoltaïques à hétérojonction de Silicium avec cristallin de type n : Caractérisations et Modélisations

Cellules photovoltaïques à hétérojonction de Silicium avec cristallin de type n : Caractérisations et Modélisations Cellules photovoltaïques à hétérojonction de Silicium avec cristallin de type n : Caractérisations et Modélisations Wilfried Favre Directeur de thèse : Jean-Paul Kleider Financement : ADEME et SUPELEC

Plus en détail

Circuits de conditionnement

Circuits de conditionnement Circuits de conditionnement - conditionneurs de capteurs passifs - amplificateurs à ampli-op - amplificateurs d instrumentation - amplificateurs monotension - comparateurs / triggers F. Delmotte, dec.

Plus en détail

ELE Circuits électroniques. Département génie électrique. 3 Crédits (3 1,5 4,5)

ELE Circuits électroniques. Département génie électrique. 3 Crédits (3 1,5 4,5) Plan de cours ELE2302 - Circuits électroniques Département génie électrique 3 Crédits (3 1,5 4,5) http://www.cours.polymtl.ca/ele2302 I. INFORMATIONS GÉNÉRALES Professeur : Abdelhakim Khouas Téléphone

Plus en détail

Lycée Viette. II. Dualité onde corpuscule

Lycée Viette. II. Dualité onde corpuscule Lycée Viette Aspect TSI 1 corpusculai ire de la lum mière II. Dualité onde corpuscule 1. Introduction En mécanique classique ( newtonienne ) la matière est un ensemble de points matériels appelés corpuscules

Plus en détail

ELP 304 Cours 3 et 4 Electronique des circuits numériques Septembre 2008

ELP 304 Cours 3 et 4 Electronique des circuits numériques Septembre 2008 ELP 304 ours 3 et 4 Electronique des circuits numériques eptembre 2008 atherine Douillard, Département Électronique Le marché des semi-conducteurs En 2008, les ventes de semi-conducteurs au niveau mondial

Plus en détail

TRONC COMMUN DEUXIEME ANNEE

TRONC COMMUN DEUXIEME ANNEE TRONC COMMUN DEUXIEME ANNEE 1. Optique. Principes généraux de l'optique géométrique, principe de Fermat, réflexion, réfraction, lois de Descartes-Snell. Systèmes centrés, approximation de Gauss, éléments

Plus en détail

Les semi-conducteurs - Jonction PN

Les semi-conducteurs - Jonction PN Les semi-conducteurs - Jonction PN Les semi-conducteurs Un semi-conducteur est un élément qui présente une conductivité électrique intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants Exemples (Silicium,

Plus en détail