TRANSISTOR BIPOLAIRE

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1 I Introduction I.1 Constitution Le transistor bipolaire est réalisé dans un monocristal comportant trois zones de dopage différentes. n p n collecteur base émetteur n C On reconnaît deux jonctions PN p B que l'on peut considérer comme deux diodes lorsque le transistor n E n'est pas polarisé. Pour polariser correctement un transistor, il faut que : la jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct, la jonction entre C et B soit polarisée dans le sens inverse. p n p Polytech Elec3 1

2 I.2 Symboles, tensions et courants NPN C I B B V CE V BE I E E L'émetteur est repéré par la flèche qui symbolise le sens réel du courant PNP C I B B V CE V BE I E E grandeurs positives grandeurs négatives Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire : I E = + I B Polytech Elec3 2

3 Remarques : I.3 Le transistor NPN polarisé la base est faiblement dopée la base est très fine 0 < V 1 < V seuil de la jonction PN La jonction BE est polarisée en directe mais n'est pas passante I B = 0. Il faut V 2 > V 1 pour polariser correctement le transistor. la jonction BC est polarisée en inverse, = courant inverse = Eo 0. Polytech Elec3 3

4 I.3 Le transistor NPN polarisé V 1 > V seuil de la jonction PN La jonction BE est passante Remarques : la base est faiblement dopée la base est très fine I B > 0, et V BE 0,6 V. Ce courant est constitué d'un flux d'électrons allant de l'émetteur vers la base. Les électrons arrivant dans la base peuvent rester libres longtemps avant d'être piégés. La base étant fine, ils arrivent à la 2 ème jonction et passent dans le collecteur. La majorité des électrons injectés par l'émetteur traversent la base et se retrouvent dans le collecteur. Il en résulte un courant positif de valeur bien supérieure à I B. Polytech Elec3 4

5 Lorsque le transistor est polarisé correctement, on peut définir plusieurs rapports de courants statiques (courants continus), notamment : alpha statique bêta statique DC = I E = DC DC = I B I B 1 car I B 0,99transitors classiques 0,95 transistors de puissance 100 DC 300transitors classiques 20 DC 100 transistors de puissance β DC est aussi appelé gain en courant du transistor. Ce gain est à l'origine de nombreuses applications Polytech Elec3 5

6 entrée TRANSISTOR BIPOLAIRE I.4 Le transistor considéré comme un quadripôle i1 i2 Le transistor ayant trois électrodes, l'une d'elles sera commune à l'entrée et à la sortie. Il en résulte trois montages principaux. v 1 T sortie v 2 Montage entrée sortie émetteur commun base collecteur collecteur commun base émetteur base commune émetteur collecteur Les montages correspondant à une permutation entréesortie sont sans intérêt car ils ne permettent pas de gain. EC CC BC I E I E I B I B V BE V CE V BC V EC V EB V CB Polytech Elec3 6

7 I.5 Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun) Polytech Elec3 7

8 Remarques : NPN grandeurs positives ; PNP grandeurs négatives. V BE ne dépend pratiquement pas de V CE, le réseau d'entrée ne comporte qu'une seule courbe. dépend faiblement de V CE, le réseau de transfert ne comporte souvent qu'une seule courbe. La puissance dissipée par un transistor est limitée à P max. Le réseau de caractéristiques est donné pour une température définie. Il existe une dispersion des caractéristiques pour des transistors de mêmes références. Ordres de grandeurs : V BE : 0.2 à 0,7 V ; V CE : 1 à qq 100 V ; : ma à A ; I B : µa. Le point de fonctionnement peut être porté sur le réseau. Polytech Elec3 8

9 II Le transistor en commutation II.1 Région de blocage Pour V B = 0, V BE = 0 et I B = 0 = β I = 0 B La jonction CB est polarisée en inverse. Il existe donc un faible courant de fuite Eo. En pratique ce courant est négligé et on considère le transistor comme un circuit ouvert. On dit que le transistor est bloqué. Polytech Elec3 9

10 II.3 Région de saturation Pour V B > V seuil de la jonction PN, on a : V B =R B I B V BE I B = V B V BE Lorsque V B >> V BE, on peut négliger V BE, d'où : Par ailleurs, E = R C + V CE, d'où : Si R B, I B donc et V CE. Lorsque V CE = 0, Si R B encore, = max mais Le transistor est saturé : V CE = V CEsat = 0,2 à 0,4 V et E / R C. R B = E V CE = V B R C I B = V B max R B R B = E I B = V B R B R C =max = I B = V B R B et la relation = β I B n'est plus vérifiée. Si β I B >>, le transistor est saturé. Polytech Elec3 10

11 Polytech Elec3 11

12 III Polarisation du transistor (zone linéaire) Polariser un transistor consiste à définir son état de fonctionnement par l'adjonction de sources de tension continues et de résistances. Cet état de conduction est caractérisé par un point dans chacun des quadrants du réseau de caractéristiques, ce point est appelé point de fonctionnement ou point de repos. Le point de fonctionnement caractérise deux variables indépendantes du transistor : et V CE. Il doit être choisi dans la zone linéaire, mais en dehors des zones interdites et doit être peut sensible aux variations de température. Polytech Elec3 12

13 III.1 Polarisation à deux sources de tension C'est un montage peu utilisé car il nécessite deux sources. III.2 Polarisation à une source de tension { E=R B I B V BE 1 E=R C V CE 2 = I B 3 1 I B = E V BE R B 3 = I B = E V BE R B 2 V CE =E R C =E R C E V BE R B Polytech Elec3 13

14 III.1 Polarisation à deux sources de tension C'est un montage peu utilisé car il nécessite deux sources. III.2 Polarisation à une source de tension { E=R B I B V BE 1 E=R C V CE 2 = I B 3 1 I B = E V BE R B 2 V CE =E R C =E R C E V BE R B 3 = I B = E V BE R B Montage instable en température Polytech Elec3 14

15 III.3 Polarisation par pont et résistance d'émetteur III.3.1 Détermination approchée du point de fonctionnement On considère I 1, I 2 >> I B I 1 = I 2 >> I B. On en déduit : V BM = R 2 E R 1 R 2 On a V BM = V BE + R E I E = V BE + R E ( + I B ) Si β est grand, >> I B et V BM V BE + R E d'où : = V BM V BE R E = E R 2 R 1 R 2 R E V BE R E On a E = R C + V CE + R E I E = R C + V CE + R E ( + I B ) R C + V CE + R E et on en déduit V CE =E R C R E =E E R C R E R 2 R 1 R 2 R E R C R E V BE R E Stabilité en température : si,v E donc V BE I B Polytech Elec3 15

16 III.3.2 Détermination rigoureuse du point de fonctionnement E=R C V CE R E I B V B =R B I B V BE R E I B R B = R 1 R 2 R 1 R 2 V B = E R 2 R 1 R 2 = I B V BE =valeur moyenne Polytech Elec3 16

17 III.3.3 Détermination graphique du point de fonctionnement En négligeant I B devant, on a E = R C + V CE + R E. On en déduit l'équation de la droite de charge : = E V CE R C R E Connaissant l'un des paramètres, on peut en déduire les autres. Polytech Elec3 17

18 IV Le transistor en régime dynamique L'étude en régime dynamique consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor polarisé lorsqu'on applique de petites variations à l'une des grandeurs électriques. IV.1 Analyse d'un montage EC montage EC entrée : base, sortie : collecteur IV.1.1 Polarisation En continu (transistor polarisé), le point de repos est défini par les points P 0, Q 0 et R 0, de coordonnées V CEo, Ico, I bo et V BEo. Polytech Elec3 18

19 IV.1.2 «Petits signaux» Z C = 1 jc pour =0, Z C, circuit ouvert pour 0, Z C 0 si C est grand, court circuit C LE, C LS : condensateurs de liaison. Polytech Elec3 19

20 IV.1.2 «Petits signaux» Z C = 1 jc pour =0, Z C, circuit ouvert pour 0, Z C 0 si C est grand, court circuit C LE, C LS : condensateurs de liaison. Polytech Elec3 20

21 On considère la charge infinie. Le point de fonctionnement se déplace alors entre R 1 et R 2, Q 1 et Q 2 et P 1 et P 2. Polytech Elec3 21

22 Remarques : Quand V BE, I B donc et V CE. V BE = V V << V = V V BE1 BE2 CE CE1 CE2 amplification de tension mais en opposition de phase. Les grandeurs électriques comportent une composante continue et une composante alternative. V BE t =V BEo v be t I B t =I Bo i b t V CE t =V CEo v ce t t =o i c t On peut donc décomposer l'analyse du montage en : une étude en continu (statique) pour calculer le point de repos, une étude en dynamique pour calculer les gains. Polytech Elec3 22

23 Ainsi en appliquant le théorème de superposition : Q : quadripôle équivalent au transistor en régime dynamique. Si la source E est de bonne qualité, r 0 = 0 : Q Statique Dynamique Polytech Elec3 23

24 IV.2 Modèle en régime dynamique En régime dynamique, le transistor peut être considéré comme le quadripôle suivant : ib ic v be v ce En utilisant les paramètres hybrides : { v =h i h v be 11 b 12 ce i c =h 21 i b h 22 v ce h 11 = v be i b vce =0 h 22 = i c v ce ib =0 h 21 = i c i b vce =0 h 12 = v be v ce ib =0 Polytech Elec3 24

25 Schéma équivalent : i b i c h 11 = v be i b vce =0 = d V BE d I B V CE =cste v be h 11 h 22 v ce h 12.v ce h 21.i b h 12 = d V BE d V CE I B =cste Sur un réseau de caractéristiques h 21 = d d I B V CE =cste h 22 = d d V CE I B =cste : les valeurs des paramètres dépendent du pt de polarisation Polytech Elec3 25

26 Remarques : = 0 tan( ) = 0 donc h 12 = 0. pour de faibles valeurs de, τ est très faible tan(τ) est très faible donc h 22 0 on peut donc simplifier le schéma équivalent : i b v be h 11 h 21.i b i c v ce donc i c = h 21 i b sachant que = I B, on a h 21 = Si augmente, les caractéristiques = f(v CE ) ne sont plus horizontales et h 22 n'est plus négligeable. On suppose que les paramètres sont réels. Ceci n'est vrai qu'aux basses fréquences. Pour les hautes fréquences, les capacités parasites qui existent dans le transistor conduisent à des expressions complexes pour les paramètres. Les valeurs des paramètres varient avec le point de polarisation du transistor. Polytech Elec3 26

27 IV.3 Montages fondamentaux On considère que l'impédance des condensateurs utilisés est très faible à la fréquence de travail. Ces condensateurs seront donc remplacés par des courtcircuits en régime dynamique. IV.3.1 Montage émetteur commun La résistance R E est indispensable pour obtenir un point de fonctionnement (point de repos) stable en température Le condensateur C E s'oppose aux variations de potentiel de l'émetteur. Du point de vue des «petits signaux», l'émetteur est donc connecté à la masse. Polytech Elec3 27

28 On considère que l'impédance interne de la source est nulle. En remplaçant les condensateurs par des court circuit et le transistor par un quadripôle équivalent, on obtient le schéma en régime dynamique suivant : En régime dynamique, l'émetteur est bien l'électrode commune à l'entrée et à la sortie. En négligeant les paramètres h 12 et h 22, le schéma devient : Polytech Elec3 28

29 Etude statique et dynamique dans le plan, V CE R B = R 1 // R 2 E = R C + V CE + R E = E V CE R C R E Droite de charge statique : lieu des points de fonctionnement en statique. E R C R E droite de pente point de repos 1 R C R E v s = v ce = R C i c i c = 1 R C v ce Droite de charge dynamique : lieu des variations du point de fonctionnement en dynamique. Il s'agit d'une droite de pente 1/R C. E R C R E droite de charge dynamique 1 de pente R C E V CE E 1 E V CE Polytech Elec3 29

30 R B = R 1 // R 2 Etude dynamique en charge dans le plan, V CE I droite de charge dynamique à vide de pente 1/R C E R C R E C droite de charge dynamique 1 en charge de pente R C // R ch en charge, on a : v s = v ce = (R C // R ch ) i c i c = R C R ch R C. R ch v ce V CEsat E 1ch E 1v E L'excursion maximale de v ce est inférieure à E 0. Elle est limitée par le droite de charge dynamique (point E 1 ) et par la zone de saturation. v ce Polytech Elec3 30

31 IV.3.2 Montage collecteur commun schéma équivalent en dynamique R B = R 1 // R 2 Polytech Elec3 31

32 IV.3.3 Montage base commune schéma équivalent en dynamique Polytech Elec3 32

33 IV.4 Caractéristiques des montages On considère le montage comme un quadripôle alimenté par un générateur de Thévenin e g, r g et chargé par une impédance Z ch. i 1 i 2 e g R g Q v 1 v 2 R ch IV.4.1 Définitions Z E = v 1 i 1 A v = v 2 v 1 Z E A vg = v 2 =A v e g Z E R g A i = i 2 i 1 Z s = v 2 i 2 eg =0 ou v 2 i 2 v1 =0 si r g =0 Polytech Elec3 33

34 IV.4.2 Propriétés des montages fondamentaux EC CC BC Z E moyenne (1kΩ) forte (100kΩ) faible (20Ω) Z S moyenne (50kΩ) faible (100Ω) très forte (1MΩ) A v A i négatif fort (-100) positif (1) positif fort (100) positif fort (50) négatif fort (-50) négatif faible Applications : EC : montage amplificateur (tension courant). CC : montage adaptateur d'impédance (Z E fort, Z S faible), étage de séparation entre deux étages dont les impédances sont inadaptées (Z S1 >> Z E2 ). BC : montage amplificateur de tension à forte impédance de sortie (qualité parfois recherchée en HF). Polytech Elec3 34

35 IV.4.3 Association de montages L'association de plusieurs étages est nécessaire : soit quand le gain d'un seul étage est insuffisant, soit quand les impédances d'entrée ou de sortie sont inadaptées. i 1 i 2 e g R g étage 1 étage 2 v 1 v 2 R ch On associe généralement : EC + EC : pour obtenir un gain élevé CC + EC : si l'impédance interne du générateur d'entrée est trop élevée EC + CC : si l'impédance de la charge est faible. CC + CC : pour obtenir un fort gain en courant. Polytech Elec3 35

36 IV.5 Etude des montages à transistors PNP En statique, le signe des courants et tensions du transistor est inversé. En dynamique, l'étude est identique à l'étude des transistors NPN. Polytech Elec3 36

37 V La rétroaction La rétroaction est un procédé qui consiste à renvoyer vers l'entrée d'un amplificateur une partie de la tension de sortie. Le réseau électrique permettant de prélever une fraction de la tension de sortie et de la réinjecter vers l'entrée se nomme boucle de rétroaction. Dans le cas où la rétroaction a tendance à augmenter l'amplification du montage initial, on parle de rétroaction positive ou de réaction. Dans le cas contraire où la rétroaction a tendance à diminuer l'amplification, on parle de rétroaction négative ou de contre réaction. boucle de rétroaction V E amplificateur V s Polytech Elec3 37

38 Principaux effets de la contre réaction : diminution de l'amplification par rapport au montage en boucle ouverte. grande indépendance des tensions de polarisation et de l'amplification vis à vis de la dispersion des paramètres des transistors. amélioration de la linéarité. limitation les oscillations spontanées. Exemples de rétroaction : Polytech Elec3 38

39 Exemples de rétroaction : Polytech Elec3 39

40 Théorème de Miller : On considère un ampli inverseur (V S est en opposition de phase avec V E ) de gain A. L'impédance Z est une impédance de contre réaction. Z Z IN Z OUT amplificateur amplificateur V E V inverseur s V E inverseur V s D'après le théorème de Miller : Z IN =Z A 1 Z OUT =Z A 1 A Polytech Elec3 40

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