Int 1 2 R. Int 2. Figure 1

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1 Examen partiel Electronique I Systèmes de Communications (Prof. A.M. Ionescu) Durée : 1h45 heures P1 : Soit le circuit de la Figure 1, ci-dessous : 2 M Int 1 A 2 2 N 2 Int 2 U U Figure 1 B Q1 : Les interrupteurs Int 1 et Int 2 sont ouverts (comme dessiné dans la figure 1). La résistance équivalente entre M et N vaut : a) MN = 3/2 b) MN = c) MN = 2 Q2 : On ferme (court-circuit) les interrupteurs Int 1 et Int 2. Les courants des branches MN et AB sont : a) I MN = U/2, I AB = 2U/ b) I MN = U/, I AB = 2U/ c) I MN = 2U/3, I AB =U/2 Q3 : La résistance équivalente de Thévenin entre A et B (avec interrupteurs fermés) vaut : a) TH = b) TH = 0 (Ω) c) TH =3/2

2 Q4 : La tension équivalente de Thévenin entre A et B (avec interrupteurs fermés) vaut : a) V TH = U b) V TH = 2U c) TH =U/2 P2: Soit le circuit de la figure 2 a ci-dessous et son circuit Norton équivalent entre A et B (figure 2 b): A A U I N N B (a) Figure 2 B (b) Q5 : Les valeurs des éléments du circuit équivalent de Norton de la figure 2b sont : a) I N = U/, N =/2 b) I N = U/(2), N =2 c) I N = U/2, N =/2 Q6 : On connecte entre les points A et B du circuit de la Figure 2 (b) une résistance de charge L. Si : U=10V et =10Ω, quelle est la valeur de L pour laquelle la valeur de la puissance dissipée sur L est maximale : a) L =5Ω b) L =10Ω c) L =20Ω Q7 : Dans les conditions de la question Q7 de puissance maximale dissipée sur L, la puissance maximum vaut : a) P max =10W b) P max =5W c) P max =2.5W

3 P3: Soit le circuit de la figure 3 ci-dessous : C1 V in C2 V out Figure 3 Q8 : Si le circuit de la figure 3 fonctionne à très haute fréquence, il est : a) Un diviseur capacitif (avec fonction de transfert dictée par C 1 et C 2 ) b) Un diviseur résistif (avec fonction de transfert dictée par 1 et 2 ) c) Un circuit à fonction de transfert, H(jω)=V out /V in, unitaire (=1) Q9 : Si la capacité C 1 est remplacé par un court-circuit, la fonction de transfert H(jω)=V out /V in du nouveau circuit vaut : a) b) jωc jωc jωc 2 c) jωc 2 Q10 : Le circuit de la figure 3 avec la capacité C 1 remplacée par un court-circuit peut être utilisé comme : a) Filtre passe haut b) Filtre passe bas c) Le type de filtre ne peut pas être identifié sans connaître les valeurs de et C.

4 Q11 : La caractéristique d une diode à jonction pn peut être obtenue à partir d un transistor bipolaire npn connecté comme dans la figure : a) Figure 4 (a) b) Figure 4 (b) c) On ne peut reproduire jamais la caractéristique d une diode avec un transistor bipolaire. (a) Figure 4 (b) Q12 : Si on dispose d un transistor bipolaire on peut : a) éaliser des circuits qui implémentent (séparément) les fonctions mathématiques exp et log. b) éaliser des circuits qui implémentent uniquement la fonction exp. c) Avec un transistor bipolaire on ne peut réaliser qu une amplification en régime de petits signaux et jamais des fonctions telles que exp et log. Q13 : On considère un transistor MOS polarisé en régime linéaire, en conduction (V GS > V T ). Sa transconductance vaut : I D 1 a) g m = 40I D ( kω ) ( kt / q ) g = βv b) m DS c) g = β (V V ) m GS T

5 Q14 : Un transistor MOS peut être utilisé comme interrupteur (switch) entre l état ON (de conduction) et l état OFF (bloqué). Ceci est possible: a) Uniquement si la conduction se fait en régime de saturation b) Uniquement si la conduction en régime linéaire c) Ca n a pas d importance dans quel régime le transistor MOS est polarisé : la commande de ON et OFF est uniquement assurée par la tension de grille indépendamment de la tension de drain. P4 : Soit le circuit amplificateur à transistor bipolaire ci-dessous (Figure 5) V CC 1 I C IN V CE OUT 2 3 Figure 5 On connaît : 1 = 2 =10kΩ, V CC =10V, 3 =2.2kΩ, β=200, V BE =0.6V. Q15 : Le courant statique I C du transistor bipolaire dépend de : a) V CC, 1, 2 et 3 b) V CC, β, 1, 3 c) V CC, 2 et 3 Q16 : Le point statique de fonctionnement du transistor bipolaire est : a) (I C, V CE )= (0.5mA, 5V) b) (I C, V CE )= (2mA, 5.6V) c) (I C, V CE )= (2mA, 4.4V)

6 Q 17 : Dans la configuration de polarisation (schéma) de la figure 5, avec V CC =10V: a) Le transistor bipolaire est toujours en égime Actif Normal (AN), indépendamment des valeurs des éléments du circuit b) Le transistor est en AN seulement si b t suffisamment grand (>100) c) Le régime de fonctionnement dépend essentiellement des valeurs des résistances 1 et 2. Q 18 : Si on définit les bornes d entrée (=IN) et de sortie (=OUT) comme dans la figure 5 et on applique un signal alternatif de faible amplitude (<5mV) à l entrée, l amplification en tension définie comme : A V =v out /v in sur une charge de sortie L =2.2kΩ, est : a) A V >10 b) 1< A V < 10 c) L étage n amplifie pas, il attenue : A V < 1. Q 19 : Quelle est la relation qui fixe la limite maximale approximative de l amplitude du signal d entrée appliqué à l entrée IN du circuit de la figure 5 pour que le résultat (valeur de l amplification) de la question Q19 soit toujours correcte: a) V inmax << V BE =0.6V b) V inmax << U T = kt/q = 26mV c) V inmax << V CE

7 Nom : Prénom : Lire bien attentivement les questions Q1-Q20 et ensuite compléter les réponses considérées correctes dans le tableau ci-dessous (mettre une croix dans la colonne de la réponse considérée correcte. Attention : UNE SEULE ET UNIQUE EPONSE EST COECTE POU CHAQUE QUESTION : IL FAUT DONC, COMPLETE UNE SEULE COIX DANS LE TABLEAU DES EPONSES ASSOCIEES A UNE QUESTION. PLUSIES COIX DANS LES COLONNES EPONSES A UNE QUESTION ANNULENT AUTOMATIQUEMENT LA EPONSE POPOSEE. EPONSE QUESTION A B C Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 Q8 Q9 Q10 Q11 Q12 Q13 Q14 Q15 Q16 Q17 Q18 Q19