Notice n 6 Photodiode autonome Jean Hare 13 septembre 25 1 Ce dispositif, disponible en plusieurs exemplaire, intègre dans un boîtier électronique de faible dimensions, les composants de base d un montage de photodétection : Une photodiode silicium OSD5-5T ou BPW34 (voir annexes) ; Un pile de 9 V pour la polarisation de la photodiode ; Un jeu de résistances calibrées de lecture de 1,, kω, et 1 MΩ. Ceci permet de disposer simplement et rapidement un détecteur de lumière pour toutes sortes d applications. Le boîtier métallique écrante efficacement les parasites électriques (secteur, HF) qui affectent souvent les signaux des montages volants. Un petit tube polymère noir occulte l essentiel de la lumière ambiante et évite ainsi, dans la plupart des cas, de travailler dans l obscurité. 2 Schéma électrique Le schéma électrique est donné sur la figure ci-dessous, les segments pointillés indiquant les contacts accessibles en tournant le contacteur rotatif. Pile 9 V + - 1kΩ kω kω 1 MΩ BNC 3 Mise en oeuvre Il suffit de brancher un câble coaxial sur la prise BNC, et de diriger le tube écran en direction de la source. Sélectionner la résistance de lecture en fonction de l intensité lumineuse, en veillant à ne pas dépasser 9 V pour conserver la linéarité du photocourant. Les deux positions extrêmes correspondent à un circuit ouvert, qui permet d accéder au photocourant sur une résistance ou un ampli externe, ou simplement de déconnecter les charges internes (OFF). Ne pas oublier, après l utilisation, de remettre le contacteur sur OFF, afin de ne pas vider la pile! 1
SIEMENS Photodiode Si PIN Propriétés Spécialement adaptées pour des applications de 4 nm à 1 nm Temps de commutation court (typ. 2 ns) Boîtier plastique DIL à haute densité : adapté pour soudure phase vapeur et IR-reflux Applications Photointerrupteurs Télécommandes IR Electronique industrielle Circuits de vontrôle, mesure et rédulation Type Type Référence Ordering Code Q6272-P73 Q6272-P162 Valeurs maximales Maximum Ratings Temperature d'opération et de stockage Operating and storage temperature range Tension inverse Reverse voltage Puissance dissipée Total power dissipation T A = 25 C Symbole Symbol Valeur Value T op ; T stg - 4... + 8 C V R 32 V Unité Unit P tot 15 mw Caracteristiques (T A = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (T A = 25 C, standard light A, T = 2856 K) Sensibilité spectrale Spectral sensitivity V R = 5 V Longueur d'onde de sensibilité max. Wavelength of max. sensitivity Plage spectrale de sensibilité S = % von S max Spectral range of sensitivity S = % of S max Surface photosensible Radiant sensitive area Symbole Symbol Valeur Value Unité Unit S 8 ( > 5) na/ix λs max 85 nm λ 4... 1 nm A 7. mm 2
SIEMENS Caractéristiques (T A = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (T A = 25 C, standard light A, T = 2856 K) (cont'd) Dimensions de la surface photosensible Symbole Symbol L B Valeur Value Unité Unit 2.65 2.65 mm mm Dimensions of radiant sensitive area Distance entre le circuit et la face avant Distance chip front to case surface Demi-angle Half angle Courant d'obscurité Dark current Sensibilité spectrale Spectral sensitivity Efficacité quantique Quantum yield Tension à vide Open-circuit voltage V R = V λ = 85 nm λ = 85 nm E v = Ix Courant de court-circuit E v = Ix Short-circuit current Temps de montée et de descente Rise and fall time of the photocurrent R L = 5 Ω; V R = 5 V; λ = 85 nm; I p = 8 µa Tension directe I F = ma, E = Forward voltage Capacité V R = V, f = 1 MHz, E = Capacitance L W H.5.3 () mm ϕ± 6 Grad deg. I R 2 ( 3) na S λ.62 A/W η.9 Electrons Photon V O 365 ( 3) mv I SC 8 µa t r, t f 2 ns V F 1.3 V C 72 pf Coefficient de température de V O TC V - 2.6 mv/k Temperature coefficient of V O Coefficient de température de I SC TC I.18 %/K Temperature coefficient of I SC Puissance équivalente de bruit Noise equivalent power V R = V, λ = 85 nm Limite de détection Detection limit V R = V, λ = 85 nm NEP 4.1-14 W Hz D* 6.6 12 cm Hz W
SIEMENS Relative spectral sensitivity S rel = f ( λ) S rel % 8 6 4 OHF78 Photocurrent I P = f (E v ), V R = 5 V Open-circuit voltage V O = f (E v ) OHF66 34 Am V P V 2 1 V O P 3 2 Total power dissipation P tot = f (T A ) OHF958 175 P mw tot 15 125 75 2 1 5 25 4 5 6 7 8 9 nm 1 λ -1 1 2 3 lx 4 EV 2 4 6 8 C TA Dark current I R = f (V R ), E = Capacitance C = f (V R ), f = 1 MHz, E = Dark current I R = f (T A ), V R = V, E = 4 OHF8 OHF81 3 OHF82 R pa C pf R na 3 8 7 2 6 2 5 1 4 3 2 5 15 V 2 V R -2-1 1 V V R 2-1 2 4 6 8 C TA Directional characteristics S rel = f ( ϕ) 4 3 2 5 1..8 OHF142 6.6 7.4 8.2 9 1..8.6.4 2 4 6 8 12
Centronics OSD5-5T
Centronics OSD5-5T