LE CARBURE DE SILICIUM (SiC)

ETUDE DE LA STRUCTURE DE COUT DES PROCEDES DE FABRICATION DE TECHNOLOGIES SPECIFIQUES EN PHASE DE DEVELOPPEMENT. LE CARBURE DE SILICIUM (SiC) 05/01/99

SOMMAIRE 1- Le matériau 3 1.1 Les caractéristiques électriques du matériau 3 1.2 La cristallographie du matériau 4 1.3 La croissance du cristal de SiC 6 2- Fabrication de dispositifs 12 2.1 Les diodes Schottky 12 2.2 Les diodes IMPATT 13 2.3 Les photodiodes 13 2.4 Les dispositifs à effet de champ 14 2.5 Les thyristors 19 2.6 Les MOS turn-off thyristors (MTO) 19 2.7 Les mémoires 20 2.8 Les dispositifs à transfert de charges 20 3- Les applications 21 3.1 Applications hautes températures 21 3.2 Applications dans l électronique de puissance 21 3.3 Applications micro-ondes 21 4- Qui fait? 22 4.1 La collaboration scandinave 22 4.2 Les autres 22 05/01/99 2

LE CARBURE DE SILICIUM : SiC Le SiC n est pas un nouveau venu sur la scène des semi-conducteurs. En effet, le premier compte rendu sur ce matériau date de 1824. Les propriétés de ce matériau étaient alors inconnues. En 1885, Achelson réussi à faire croître une couche de SiC et lui donna le nom de SiC. En 1907, la première LED sur substrat SiC fut conçue. En 1955, Lely proposa un nouveau concept pour faire croître des couches de SiC de hautes qualités. 1978 fut une année majeure dans le SiC avec la technique de croissance par sublimation qui est en fait une méthode dérivée de celle de Lely. En 1987, la société CREE RESEARCH fut fondée. Elle est devenue récemment fournisseur de substrat en SiC. Les LED en SiC sont déjà commercialisées et les progrès effectués sur cette technologie laissent supposer que de nombreuses autres applications devraient voir le jour dans un avenir proche. 1- Le matériau 1-1 Les caractéristiques électriques du matériau. Les caractéristiques du SiC sont les suivantes : - Large bande interdite. - Bonne conductivité et stabilité thermique. - Mobilité des porteurs importantes. - Bonne résistance mécanique. - Bonne résistance aux rayonnements. Comparaisons des caractéristiques de Si et de SiC Si 6H-SiC 3C-SiC Band gap Eg (ev) 1.11 2.86 2.2 Electron mobility (cm2/v/s) 1350 500 1000 Saturation drift velocity (cm/s) 10.0 E 7 2.0 E 7 2.5 E 7 Breakdown electric field 2.0 E 5 4.0 E 6 3.0 E 7 (V/cm) Dielectric constant 11.8 9.7 9.66 Thermal conductivity (W/cm.C) 1.5 4.9 4.9 Le SiC peut résister à des champs électriques importants or le taux de dopage maximum, pour une tension de claquage donnée, est proportionnel au carré du champ de claquage donc les dopages vont pouvoir être multiplié par 100 par rapport au Si classique et les MOSFET (R canal faible) pourront conduire de forts courants avec une faible perte de puissance car R canal est inversement proportionnel au cube du champ électrique de claquage. De plus, grâce à sa large bande interdite, le SiC peut travailler à de hautes températures (>600 C) alors que les composants en Si sont limités à 150 C. 05/01/99 3

Pour des champs électriques importants (> 10 5 V/cm), la vitesse de saturation des porteurs est deux fois supérieurs à celle de l AsGa. Par conséquent, la mobilité est plus forte, on arrive donc à des transconductances plus fortes et des fréquences de coupure plus importantes. Ainsi, ce matériau, grâce à ses propriétés, peut donc travailler efficacement au sein d environnements hostiles. Remarque : Pour les composants en SiC, une température minimum est requise pour optimiser les performances si un faible courant de fuite est demandé. 1-2 La cristallographie du matériau. Le SiC n existe pas sous la forme d un cristal simple mais sous la forme d une famille de cristaux. Ces cristaux ne différent pas dans le nombre d atomes de Si et de C mais dans l arrangement des couches atomiques. Par exemple, le 6H-SiC signifie que ce cristal est sous la forme hexagonale avec 6 couches Si-C avant que la maille élémentaire se répète. Il existe plus de 200 cristaux différents de SiC. De plus, les propriétés physiques du cristal dépendent de sa structure cristallographique. Les deux formes cristallographiques les plus communes sont les suivantes : - Cubique. - Hexagonal. 05/01/99 4

05/01/99 5 System Plus

1-3 La croissance du cristal de SiC Il existe différentes façon de concevoir des plaquettes de SiC qui dépendent de la forme cristalline désirée. Si on veut une forme monocristalline alors les techniques suivantes sont employées : - couches épitaxiées Metalorganic chemical vapor deposition MOCVD (> 1100 C) Atomic Layer Epitaxy ALE (<850 C) Molecular Beam Epitaxy MBE Liquid Phase Epitaxy LPE - croissance du cristal en volume (BULK) Sublimation ou Physical Vapor Transport (1700 C - 2700 C) Si on veut une forme polycristalline ou amorphe Metalorganic chemical vapor deposition MOCVD (<900 C) Sputtering et Plasma Discharge (<200 C) 05/01/99 6

1.3.1 La sublimation complexe en phase gazeuse Le SiC se trouve dans la nature à l état polycristallin. Un germe est donc utilisé pour faire croître un substrat de SiC en appliquant un gradient de température. Cette technique fait toutefois apparaître des creux appelés MCRO PIPES. Si celles-ci pénètrent une jonction PN haute tension, il y a destruction de la capacité de blocage de la jonction. La densité de défaut par cette technique est encore trop importante (10 Micropipes/cm 2 ) or les circuits de puissance demandent une surface de puce de quelques cm 2 pour driver un fort courant donc il est nécessaire d obtenir un cristal de qualité supérieure pour développer un circuit. 05/01/99 7

1.3.2 Metal Organic Chemical Vapor Deposition MOCVD Un film épitaxié de SiC est obtenue par CVD. Le problème de cette technique est la vitesse de croissance des couches (qq µm/h) or les applications de puissances nécessitent des épaisseurs supérieures à 100 µm donc technique lente et par conséquent très chère. 1.3.3 Liquid Phase Epitaxy LPE Un «sandwich» est réalisé par une plaquette de SiC polycristallin, un solvant et un substrat comme indiqué ci-dessous : En appliquant un gradient de température à la structure avec le point chaud côté source (SiC), Le SiC va se dissoudre et migrer à travers la structure grâce à un gradient de concentration et donc une couche de SiC épitaxiée va se déposer sur le substrat froid. Cela s appelle la microgravitation. Il a été montré que la croissance est possible grâce à la convection induite par la gravitation. Pour augmenter la vitesse de croissance des couches, le SCANDIUM (Sc) est ajouté et la croissance est alors de 360 µm/h. 05/01/99 8

1.3.4 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Motorola et ASM réalisent des couches minces de SiC par cette technique. Le schéma d un réacteur est le suivant : 1.3.5 Les substrats SOI : Silicon On Insulator et semi-insulating substrates Voici un schéma de la technologie appelée SMART CUT : 05/01/99 9

On commence par une implantation ionique d ions hydrogène (haute dose : 5.10 16 à 10 17 cm -2 à 90 kev). Le second substrat subit une oxydation thermique. On colle les deux wafers. Ceux-ci adhèrent l un à l autre grâce à l hydrogène implanté. Ensuite, l ensemble subit un traitement thermique en deux phases. La première destiné à séparer la fine couche de Si ou SiC du premier substrat. La deuxième pour stabiliser l interface entre la couche et l oxyde. Le fait d avoir une couche d oxyde enterrée permet d éviter les problèmes liés aux latch-up car il n est pas possible de former de transistor bipolaire parasite. La dernière étape consiste en un traitement de la surface déposée pour la rendre «lisse». Le premier wafer peut être réutilisé puisque la couche déposée sur le second wafer peut être reformée par épitaxie. La couche déposée est de grande qualité, nécessaire pour la microélectronique. Faible coût de la technique car celui-ci se décompose en deux parties : Epitaxie et process de «bonding». Ces coûts sont négligeables par rapport au coût d un substrat SiC. Enfin, la résistance de la couche déposée peut être adaptée à l application demandée. Les substrats dits «semi-insulating wafer» ont une structure analogue aux substrats SOI présentés cidessus. La différence est que l isolant n est pas un oxyde thermique mais un semi-isolant tel qu une couche de SiC dopé au vanadium et déposée par CVD. Ces substrats sont utilisés dans les applications hautes fréquences en environnement corrosif. 05/01/99 10

Le dopage dans des fours à diffusion classique n est pas possible pour le SiC. Aussi, pour fabriquer un substrat SiC de type N ou P, il est nécessaire de réaliser le dopage durant la phase d épitaxie. 1.3.6 Conclusion sur les substrats Les dopants utilisés pour les substrats sont les suivants : N ou P pour SiC type N (> 10 20 cm -3 ) Al, B, Ga, Sc pour SiC type P (> 10 20 cm -3 ) Les principaux défauts rencontrés sont : Micropipes Threading dislocations Stacking faults Actuellement, Nippon Steel arrive à 4 micropipes/cm 2, Cree Resarch à 0.8 micropipes/cm 2 pour le 4H-SiC, TDI à 0 micropipes. REMARQUE : LA BANDE INTERDITE LARGE LIMITE LA TAILLE DES WAFERS A UN FAIBLE DIAMETRE. LES MOYENS MIS EN ŒUVRE POUR OBTENIR DES 05/01/99 11

CRISTAUX DE BONNE QUALITE ENTRAINENT DES COUTS DE SUBSTRATS TRES SUPERIEURS AUX SUBSTRATS CLASSIQUES (>2000 dollars): *1000 / Si *100 / AsGa LA TECHNIQUE SOI SEMBLE ETRE LA MEILLEURE ALTERNATIVE POUR LA FABRICATION DE SUBSTRAT SiC. 2- Fabrication de dispositifs Jusqu'à présent, le SiC était utiliser uniquement pour la fabrication de LED car sa large bande interdite lui permet d émettre dans le bleu. (couche de GaN épitaxiée sur SiC-SOI par technique MBE ou HVPE.) 2.1 Les diodes Schottky Des diodes de types Schottky et P-N ont été développées. Les tensions de claquage les plus importantes actuellement sont de 4.5 kv pour les diodes P-N et de 1kV pour les diodes Schottky. Les caractéristiques des diodes Schottky sur SiC sont les suivantes : Métaux utilisés : Ti, Ni, Au, Pt, Pd Tension de seuil : 1 V à 1.5 V Courants de fuite : 10-10 A à 10-6 A Température maximale d utilisation : 700 C Tension de claquage : > 1400 V Densité de courant (jonction polarisée en directe) : jusqu'à 800 A/cm 2 Les caractéristiques des diodes P-N sur SiC sont les suivantes : Tension de seuil : 2.5 V à 2.6 V pour 6H-SiC et 2.8 V pour le 4H-SiC Courants de fuite : 10-10 A à 10-4 A Température maximale d utilisation : 400 C Tension de claquage : qq kv 05/01/99 12

2.2 Les diodes IMPATT Les diodes IMPATT sur 6H-SiC sont 3 à 10 fois plus puissantes que les diodes IMPATT sur Si utilisées dans les fonctionnement en régimes de «pulse». Certains prévoient des fréquences d oscillations de 500 GHz. 2.3 Les photodiodes Au niveau optoélectronique, le SiC est utilisé pour la conception de photodiodes pour l ultra violet. 05/01/99 13

2.4 Les dispositifs à effet de champ L utilisation de transistor unipolaire en tant quand qu interrupteur s est énormément développé ces dernières années. Les transistors à effet de champ peuvent être déclinés sous toutes leurs formes avec le SiC : JFET, MOSFET, MESFET. 2.4.1Le MOSFET Le MOSFET est le dispositif le plus utilisé en tant qu interrupteur électronique. C est dans les applications haute puissance et haute température que le SiC est amené à être développé. La puissance des MOSFET sur Si est limitée par le dopage faible et l épaisseur d oxyde importante nécessaires pour supporter les champs électriques importants. On augmente ainsi la résistance à l état ON. Le SiC supportant des champs importants, la résistance est diminuée d un facteur 2. Les capacités du SiC vont avoir un impact majeure sur la taille, l efficacité et les applications de l électronique de puissance. Les oxydes utilisés pour la réalisation de tels structures sont SiO 2 ou Si 3 N 4. 05/01/99 14

a- Les UMOSFET Les performances mesurées, pour le 4H-SiC, sur ces composants sont les suivants : Ils supportent des tensions de blocage de 260 V, avec des densités de courants de l ordre de 200 A/cm 2 en passant et une résistance de canal à l état ON de 13.2 mω/cm 2. En théorie, ils peuvent supporter des tensions de blocage de 1200 V, et des densités de courant de 2000 A/cm 2. La construction de ces dispositifs fait que, à l état bloqué, le champ électrique dans l oxyde est 2.5 fois supérieure à celui dans le semi-conducteur ce qui est un problème majeure dans les UMOS sur SiC. Aussi, il a été introduit des UMOS avec protection d oxyde intégral (IOP) qui limite le champ électrique dans la partie MOS de la structure. 05/01/99 15

IOP-UMOS b- les DMOS Le DMOS sur Si et sur SiC sont identiques dans leur principe. Mais, dans le premier cas, DMOS signifie Double-diffused MOS et dans la second cas, DMOS signifie Doubleimplanted MOS. Aussi, on parlera de DIMOS pour les DMOS sur SiC. La différence est que la base P et la source N+ sont réalisées par implantation ionique. On n utilise pas la diffusion thermique comme pour les substrats Si car le coefficient de diffusion est trop faible dans le SiC. Dans le schéma ci-dessous, une tension positive sur la grille créée une couche d inversion à l interface entre le polysilicium et la région P. les électrons venant de la région N+ arrive à la zone de drift N- via le canal d inversion et traverse verticalement la région de drift pour arriver au drain. La région de drift N- (épaisse) doit résister à une forte tension de drain quand le composant est bloqué (grille à la masse). Quelques chiffres : Tension de blocage de 760 V avec Ron = 125 mohm/cm 2 et 66 mohm/cm 2 pour une longueur de canal de 2 µm avec un drain à 500 V. 1997 a vu l introduction de lateral DIMOS (LDIMOS) qui tiennent des tensions de blocage de 2.6 kv. 2.4.2 Les MESFET Le MESFET met à profit la rapidité de réponse des diodes Schottky. Ils ont actuellement utilisés dans les systèmes hautes fréquences, et hautes puissances. Les propriétés 05/01/99 16

intrinsèques du SiC permettent d atteindre des densités de puissance nettement supérieure, paramètre très important pour la génération de signaux dans les applications telles que les radars et la télécommunication mobile. Exemple du 6H-SiC MESFET de SANYO : Grille : L=2µm, W=200µm*2, distance source à drain : 15 µm. Zones N+ côté source et drain : implantation ionique à 30 kev, 700 C et recuit à 1150 C pendant 3 mn. Contacts source et drain en Nickel avec un contact ohmique de résistance 3 à 10 ohm/cm 2. Grille en or (Au). Vt=-9V, gm = 5.3 ms/mm à Vds = 50V Tension de claquage de grille : 200V Température de fonctionnement : > 400 C Exemple du 4H-SiC MESFET de SANYO : Grille en Pt : L=1µm, W=60µ*2, distance source à drain : 4 µm. Vt=-7V, gm = 12.5 ms/mm à Vds = 20V, Ids=8.3 ma. 2.4.3 Les JFET Les deux structures possibles sont les suivantes : 05/01/99 17

2.4.4 Les SIT Les performances du 4H-SiC SIT de Hitachi sont les suivantes : Tension de seuil : 0.25V à 200 A/cm 2. Tension de blocage de grille : 10V Grille : profondeur de 2µm Largeur de canal : 1 µm 2.4.5 Tableau récapitulatif des performances en fréquence Composant Largeur de Puissance f t f max Référence grille (µm) (W/mm) (GHz) (GHz) 4H-SiC 0.45 3 à 1.8 GHz 22 50 Cree MESFET 6H-SiC 2.8 à 1.8 GHz 16.2 32 Motorola MESFET SiC SIT 0.5 1.36 à 600 MHz Northrop Grumman 6H-SiC Lateral JFET 0.3 1.3 à 850 MHz 7.3 9.2 Northrop Grumman GaN 3.3 à 1.8 GHz UCSB 05/01/99 18

2.5 Les thyristors La structure est la suivante : Ce thyristor devient passant sous l action d un signal de gâchette négatif (GTO : Gate Turn off Thrystors). Voici les caractéristiques de celui de Norhtrop Grumman : Tension de claquage : 1 kv Capacité de blocage jusqu'à 1500 A/cm 2 Température de fonctionnement : 400 C Temps de turn-off : ~200ns 2.6 Les MOS turn-off thyristors (MTO) Gate 1 La structure de base est la suivante : Gate 2 Anode n + n + p p + p n + n + n p n + SiC Cathode Gate 2 Gate 1 Les GTO nécessitent des circuits de commande complexe. Pour simplifier le problème, Le MTO a été conçu. C est un GTO contrôle par les grilles d un MOSFET et d un BJT. Une impulsion de tension positive sur la grille 1 met ON le GTO. Une impulsion de tension positive sur la grille 2 du MTO,fortement interdigité avec le canal n du MOSFET, met off 05/01/99 19

2.7 Les mémoires Cree Resarch développe des mémoires non volatile NVDRAM qui peuvent théoriquement stocker des informations indéfiniment sans rafraîchissement des données. En effet, les courants de fuite sont totalement négligeables par rapport à la technologie Si. Ainsi, la capacité de rétention de la donnée est constante dans le temps. De plus, elles sont beaucoup plus rapides que les mémoires actuelles. 2.8 Les dispositifs à transferts de charges (CCD) Ces dispositifs sont en fait des registres à décalages formés par une série de capacité MOS. Ils sont largement utilisés dans les caméras en tant que détecteurs d images. Les CCD sur SiC présentent un intérêt particulier pour la détection de l ultraviolet. 05/01/99 20

3- Applications A la suite de la présentation du matériau SiC et des différentes structures de composants, les applications potentiels sont les suivantes : Composants hautes puissances (interrupteurs électroniques) Composants fonctionnant à hautes températures et/ou dans des environnements hostiles. Composants micro-ondes hautes puissances. DEL dont le spectre d émission couvre tout le visible et même l ultraviolet. La large bande interdite permet au SiC de travailler à de hautes températures avec des courants et tensions élevés de supporter des densités de puissance importantes, et de réduire les pertes. Par conséquent, ce matériau est destiné à des applications électroniques en milieu «hostile» tels que les secteurs militaire et spatial, l automobile... (DARPA, EPRI) 3.1 Applications hautes températures Electronique pour les moteurs de voitures. Electronique pour les moteurs d avions. Electronique spatiale. Equipement pour la recherche pétrolière. Suivit des réactions chimiques. Suivit et contrôle d une combustion. 3.2 Applications dans l électronique de puissance Contrôle des moteurs électriques. Asservissement de puissance pour les voitures électriques. Actionneurs électroniques. Générateurs de puissance. Lampes ballasts. Transport (ferroviaire..). Systèmes de chaleur et de froid. Equipements industriels. 3.3 Applications micro-ondes Systèmes radars. Systèmes de communication. Systèmes d émission UHF. Systèmes d alarme. Voici quelques exemples : WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION utilise des transistors sur substrat SiC pour concevoir une nouvelle technologie de transmission numérique pour les systèmes de télévision haute définition (HDTV). 05/01/99 21

Les lasers bleus peuvent transmettre des données 5 fois plus vite que les lasers actuels car le bleu transporte plus d énergie. De plus, La longueur d onde étant faible, l espace entre les données est réduit et les CD pourraient stocker plus d informations. Les applications sous marines LIDAR (Light Detection And Ranging) nécessitent des lasers bleu-vert car c est la seule lumière coloré qui pénètre l eau sans trop d atténuation. 4- Qui fait? 4.1 La collaboration scandinave. La Suède est en avance sur les recherches sur le SiC avec grâce à la collaboration entre l université de Linköping et des industriels scandinaves tels que ABB, Epigress AB, Swedish Space Corporation, Outokumpu Semitronic (Finland), Okmetic (Finland). ABB -> Etching, dépôt diélectrique, oxydation, métallisation et prises de contact. Outokumpu Semitronic -> Substrats SiC. Epigress AB -> Salle blanche pour SiC. 4.2 Les autres. Le LETI et le CEA ont développé la technologie SMART CUT qui à l avantage d un très bon compromis qualité SiC/coûts. Les américains avec Cree Resarch fabriquent des substrats SiC. Nous allons effectuer un classement des principaux laboratoires et entreprises qui travaille sur le SiC. On distinguera les catégories suivantes : 05/01/99 22

Recherche. Modélisation informatique. Equipements. Fondeurs de substrats SiC. Concepteurs de dispositifs. Les projets. 4.2.1 La recherche. Alabama Microelectronics Science and Technology Center Recherche SiC à l université d Auburn. Department of material science à l université d Erlangen-Nürnberg Recherche sur la croissance SiC en phase vapeur, CVD et solutions ; propriétés électriques et optiques du SiC ; caractérisation de surface SiC. Nishino Laboratory Recherche SiC à l institut de technologie de Kyoto. Centre de génie électrique de Lyon Recherche sur les diodes PN sur SiC et autres dispositifs électroniques. Publication de l université d Howard Conception de diodes β-sic avec Proton Isolation. Materials department de l université de Californie à Santa Barbara PhysTech-WBG Physique et technologie des semi-conducteurs à large bande interdite, Saint- Petersburg. Purdue WBG Programme de recherche sur les semi-conducteurs à large bande interdite. High-Capacity Transmission Options au Laboratoire National d Oak Ridge Recherche SiC pour applications en tant qu interrupteur électronique. Technology Transfer Opportunities au Laboratoire de Recherche de l US Army Semi-conducteurs hautes températures avec la phase β-sic. Materials Physics Group, université de Linköping, Suède Croissance et caractérisation de couches GaN et SiC pour des applications optoélectroniques et de puissances. Morton Advanced Materials-CVD Silicon Carbide Revue sur la croissance SiC par CVD et propriétés des matériaux. 4.2.2La modélisation informatique Centre for Scientific Computing, Espoo, Finland Modélisation de la croissance du SiC Bulk. Silvaco : Simulateur comportemental à 2 dimensions Développement de AIM-SPICE à l université de Berkeley 4.2.3Les équipements Aixtron GmbH Fabrication d équipements MOCVD et autres. 05/01/99 23

EMCORE Corporation Fabrication d équipements MOCVD, technologie Turbodisc. Epigress AB-Process Equipment for Silicon Carbide Equipements pour croissance SiC bulk ou épitaxiée. (CVD, Sublimation, LPE) 4.2.4 Les fondeurs de substrats SiC. Cree Research Inc. 50.8 mm (2 inches) SiC wafers, Semi-insulating SiC wafer, SiC épitaxié. Advanced Technology Materials, Inc. (ATMI) Fondeurs de substrats SiC et SIMOX Sterling Semiconductor Substrats 6H-Sic et 4H-SiC de haute qualité. Prognoz-St Petersburg Electro-Tecnical Univ Distribution de substrats SiC. SiCrystal Epitonics Corporation Croissance de couches SiC et GaN par CVD. Hoya Corporation Substrat 3C-SiC sur Si. 4.2.5 Les concepteurs de dispositifs. Boston Electronics Distribution de photo-détecteurs UV sur structure SiC et diamant. Cree Research Inc. Conception de dispositifs sur Sic pour applications hautes fréquences, hautes températures, hautes puissances et optoélectroniques. Technologies and Devices International Composants électroniques sur SiC et III-V Nitride. Cal Sesors Détecteurs et accessoires optoélectroniques de l UV à l IR. Siemens Components Inc., USA DEL sur substrats SiC. Instrumentation and Control Technology - NASA SiC : micropipes, JFET, Site-Compensation Epitaxy. Northrop Grumman Corporation Electroniques micro-ondes haute puissance, haute température, radiations basées sur semi-conducteurs WBG, SiC, GaN. Westinghouse Press Release (15 avril 1996) High Definition Television (HDTV) basée sur un émetteur en SiC. 4.2.6 Les projets. Heteroepitaxial deposition of Diamond and Silicon Carbide Films Projet ESPRIT, (AEA Technology) THOMSON (Janvier 95-Janvier 97). Swedish National Program on SiC 05/01/99 24

La technologie SiC (Process et composants) sont développés en Suède à l Institut Royale de Technologie. Projet SiC Bipolar Technology for High Temperature Circuits CVD of semi-insulating SiC (ATMI). Cree Research. SiC-on-insulator Modulator : Modulateur pour télémétrie à fibres optiques hautes températures. Nanolab Research Projects Semi-conducteurs large bande interdite, Nanoelectronics Lab. SiC High Temperature Integrated Electronics and Sensors à NASA Projet de Nasa Lewis Research Center, Cleveland, Ohio. Silicon Carbide Electrical Power Systems (SiCEPS) Projet de recherche national suédois sur les applications de puissance du SiC. Silicon Carbide Programme de développement de la technologie SiC de la société JET PROPULSION LABORATORY. Industrial Microelectronics Centre, Stockholm Un effort européen sur le SiC : croissance, prototype de composants et simulations. Principalement pour les applications de puissance. MITI : Programme de 5 ans sur l électronique en environnement hostile Début en 1998, Laboratoires et entreprises JAPONAISES. Centres d intérêts : Applications pour les switchs électroniques hautes puissances, hautes vitesses et réduction des pertes de puissance, applications nucléaire et spatiales. Applications de «logging» pour les communications et l informatique. Technologie : SiC, III-N, diamant, microélectronique sous vide. But : Réduction des pertes de puissance électrique par un facteur 100. Augmenter la tenue aux radiations d un facteur 100. Températures de fonctionnement : 500 C-800 C 05/01/99 25