TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE MOS. Réalisation d une résistance active de valeur moyenne
|
|
- Brigitte Gravel
- il y a 8 ans
- Total affichages :
Transcription
1 TRANITOR A EFFET E CHAMP E TYPE MO MO de type N à enrichissement du canal Fonctionnement et équations MO de type N à appauvrissement du canal Fonctionnement et équations ilan : Comparaison entre les deux types de MO canal N Montages à transistors MO Réalisation d une résistance acti de valeur moyenne Amplificateur source commune Amplificateur différentiel Amplificateur différentiel à charge acti Inrseur logique CMO Commutateur analogique Philippe ROUX 4
2 MO CANAL N TYPE ENRICHIEMENT ur un substrat de silicium P (ulk), sont aménagées deux diffusions distinctes de type N formant le drain et la source du dispositif. Ces deux diffusions N sont séparées par une zone P de surface (W.L) qui forme le canal du MO. Ce canal est recourt d une mince couche d oxyde de silicium e ox de l ordre de nm qui est superposée d une couche de métal ou de polysilicium appelée grille. L ensemble grille, oxyde et canal forme alors une capacité C ox par unité de surface telle que : C ox = ε ε io e ox ac : ε =8,85-4 F cm - et ε io = 3,9 ulk ource rille rain N Al i O P W N N L ubstrat P ulk V > VT I V i O épaisseur eox tructure du MO à enrichissement et symbole I (ma) V (V) I (ma) zone ohmique et de coude zone de plateau VT V (V) V (V) Figure : Caractéristiques de sortie et de transfert MO N enrichissement Le bulk et la source étant reliées, on applique entre et une tension V positi, constante et de valeur faible. Pour une tension V nulle, le courant I est très faible car la jonction PN drain-substrat est polarisée en inrse : Le transistor MO à enrichissement est normalement bloqué pour V nulle. Pour une tension V légèrement positi, une partie des trous dans la couche superficielle du canal, est repoussée dans le volume par le champ électrique créé par influence électrostatique. On définit alors une tension particulière de V, nommée tension de seuil V T pour laquelle tous les trous de la surface du ip sont repoussés et remplacés par des électrons (porteurs minoritaires dans le ip). Un canal induit, très mince de type N apparaît et le courant I commence à circuler entre drain et source (fig. ). Pour des tensions V supérieures à la tension de seuil V T, la couche inrsée s enrichit en électrons et le courant I s accroit. On décrit alors la zone ohmique du composant : I d est proportionnelle à V faible.
3 Ensuite, au fur et à mesure que V augmente, l accroissement de I se ralentit. On décrit la zone de coude des caractéristiques. En effet la tension entre grille et bulk diminue en se rapprochant du drain selon la relation Q = C V et le canal devient alors localement moins profond comme indiqué en figure 3. La résistance du canal augmente et cela d autant plus que V croît. Lorsque cette tension est telle que : V = V -V T = V AT, le courant I se sature (comme pour le JFET) et on atteint la zone de plateau des caractéristiques de sortie. Le MO est alors, pour V > V AT, une source de courant dépendante de la tension V. V < Vat Vat =V-VT V = VT I V > VT Isat N N N N ubstrat P (bulk) canal N induit ubstrat P (bulk) canal N induit Zone de charge d espace Zone de charge d espace Figure Figure 3 On distingue donc deux régions sur les caractéristiques de sortie I = f(v ) à V constant : La zone ohmique et de coude pour V < V AT où : I = K (V V T ) V V La zone de saturation du courant de drain I pour V V AT où : I = K V V T ( λv ) ac K = µ C OX W L Le coefficient K est un paramètre caractéristique du MO qui dépend de la géométrie du canal (W, C ox et L) et de la mobilité µ des porteurs. Le paramètre λ rend compte de la résistance interne de la source de courant I dépendante (identique à l effet Early pour le transistor bipolaire). Remarque : dans un circuit intégré, le produit µc ox est le même pour tous les transistors de type identique (N ou P) qui se distinguent seulement par les dimensions du canal W et L. Cette propriété est exploitée dans les circuit intégrés utilisant les transistors MO. MO CANAL N TYPE APPAUVRIEMENT La structure des transistors MO à appauvrissement ressemble à celle d un transistor MO canal N à enrichissement. Cependant pour ce dispositif, un canal N entre drain et source est créé par implantation ionique lors de la fabrication du composant (fig. 4). rille ulk ource rain I ubstrat P (bulk) N N Canal N implanté V V Figure 4 : tructure du MO N appauvrissement et symbole
4 Le MO N appauvrissement est normalement conducteur pour V = OV. I (ma) V (V) I (ma).5 V T appauvrissement enrichissement V (V) V (V) Figure 5 : Caractéristiques de sortie et de transfert MO N appauvrissement Pour rétrécir le canal, il faut l appauvrir en électrons, en repoussant ces porteurs par une tension V négati. Pour une tension V V T ( tension de seuil négati) il se rétrécit complètement et le MO est bloqué. on fonctionnement (figures 5 et 6) est tout à fait analogue à celui du JFET canal N ac une Z.C.E. à géométrie variable par influence électrostatique (au lieu d une Z.C.E. d une jonction bloquée). V < Vat Vat =V-VT V = VT I V > VT Isat N N N N ubstrat P (bulk) ubstrat P (bulk) Figure 5 Figure 6 Pour la zone de saturation du courant de drain I lorsque : V V AT = V -V T, l évolution du courant de drain est encore donnée par l équation : I = K V V T ( λv ) ac : K = µ C OX W L Remarque : La tension V peut être positi et dans ces conditions le transistor Mos entre dans une zone dite : mode enrichissement. 3
5 Normalement bloqué V ILAN : MO CANAL N Normalement conducteur V V > VT I V > VT I N N N N ubstrat P (bulk) canal N induit Zone de charge d espace ubstrat P (bulk) V > VT I V W/L VT.75 I (ma) zone ohmique et de coude zone de plateau V > VT I = K (V V T ) ( V ) I repos.5 P repos V repos V (V) V = VT V repos rds vgs gm vgs héma équivalent autour de Prepos g m ( K r ds n I I V ) V cte K I repos ( V repos ) C ox W L ( V I ) V cte V repos I repos 4
6 TRANITOR MO CANAL N ET P APPAUVRIEMENT ET ENRICHIEMENT P substrat ou ulk N N P P N CANAL N CANAL P 5 4 Caractéristique de transfert canal N I (ma) enrichissement 5 4 Caractéristique de transfert canal P enrichissement I (ma) 3 3 V (v) V (v) VT W L I VT W L I V > VT V positif V < VT V négatif CANAL N CANAL P Zone de saturation : V > VAT : I = K (V V T ) ( V ) K = n ( oup) C ox W L rds vgs gm vgs héma équivalent autour de Prepos g m = K I repos ( V repos ) K = r ds = n C ox W L V repos I repos 5
7 TRANITOR MO CANAL N NORMALEMENT LOQUE (ENRICHIEMENT) Expression de la tension drain source de saturation.75.5 I (ma) zone ohmique et de coude zone de plateau V (V) V (V) Vsat V ource Canal induit io rille Vox N V (sat) rain Pour une tension V donnée, lorsque la tension entre drain et source atteint V de saturation, le canal induit est localement pincé. ans ces conditions, la tension locale Vox aux bornes de l oxyde de silicium est égale à la tension de seuil VT du MO. Vox = VT = V - V (sat) V (sat) = V -VT
8 TRANITOR MO CANAL N À ENRICHIEMENT normalement bloqué V = V ulk ource rille rain I W V V > VT ubstrat P ulk N N N Al i O épaisseur eox nm L i O P TRANITOR MO CANAL N À APPAUVRIEMENT normalement conducteur pour V = V rille ource rain ulk W I V ubstrat P ulk Canal N implanté lors de la conception N N L V > VT N Al i O P
9 MONTAE A TANITOR A EFFET E CHAMP E TYPE MO Philippe ROUX 4
10 REALIATION UNE RÉITANCE E VALEUR MOYENNE MO CANAL N normalement bloqué I (ma) I 8 6 V (V) 5 4 V VT = V V 8 4 Ω Ω 5 Ω V (V) 3.5
11 AMPLIFICATEUR OURCE COMMUNE MO CANAL N NORMALEMENT CONUCTEUR VCC R I (ma) Transfert T 7.5 W/L VT = - V T I 5 R eg - V R R vs I P.5 VT V V (V) AMPLIFICATEUR OURCE COMMUNE CHARE ACTIVE (canal P normalement bloqué) V VCC I (ma) Transfert T Vpol T T I VT = -V I P R eg - V R R vs V (V) 4 3 V = Vpol -VCC vgs = gm vgs rds vs gm vgs R vgs eg - R R
12 AMPLIFICATEUR IFFERENTIEL : MONTAE CONVENTIONNEL VCC = 5 V R R vs vs T T I Ri - VEE = -5 V vgs vgs gm vgs gm vgs Ri vs R R vs A d = v s v s v e v e = g m R A d = v s v s v e v e = g m R g m R i R.R.M.C. R R i
13 MONTAE RECOPIEUR E COURANT V = 5 V MO canal P normalement bloqué V T = V K = ma / V I = ma V = V g m = m r ds = MΩ M3 I3 M4 V - V M5 ma ma I4 ma 3 IRef R5 v gs R3 kω R4 kω R5 3 kω r3 r4 Résistance de sortie vue par R3 ou R4 vgs nul AMPLIFICATEUR IFFERENTIEL A CHARE ACTIVE V = 5 V M3 ma M4 ma M5 vgs gm vgs vgs gm vgs M vs vs M ma 3 kω IRef R5 vs rds Ri rds vs I ma Ri -V = -5 V A d = g m r ds =
14 INVEREUR LOIQUE CMO V = 5 V : canal P VT = - V 5V i Ce VT = V T : canal N vs 5V T bloqué T passant T bloqué Courant i 5V vs T passant T bloqué T passant
15 COMMUTATEUR (PORTE ANALOIQUE ) MO canal N : V T = V 4 R ( Ω) R V (t) < 4 V 5 V RU vs (t) V R = V I = M ( V) K (V V T ) V Amplitude de Ve(t) V M(N) seuil : V M(P) seuil : - V V M M V < (t) < 4 V 5 V V RU vs (t) 4 Ω M ( V) R R R // R Amplitude de Ve(t)
Les transistors à effet de champ
etour au menu! Les transistors à effet de champ 1 tructure A TANITO à JONCTION (JFET) Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types de porteurs les trous et les
Plus en détailLes transistors à effet de champ.
Chapitre 2 Les transistors à effet de champ. 2.1 Les différentes structures Il existe de nombreux types de transistors utilisant un effet de champ (FET : Field Effect Transistor). Ces composants sont caractérisés
Plus en détailCours 9. Régimes du transistor MOS
Cours 9. Régimes du transistor MOS Par Dimitri galayko Unité d enseignement Élec-info pour master ACSI à l UPMC Octobre-décembre 005 Dans ce document le transistor MOS est traité comme un composant électronique.
Plus en détailCircuits intégrés micro-ondes
Chapitre 7 Circuits intégrés micro-ondes Ce chapitre sert d introduction aux circuits intégrés micro-ondes. On y présentera les éléments de base (résistance, capacitance, inductance), ainsi que les transistors
Plus en détailChapitre 4 : Le transistor Bipolaire
LEEA 3 ème A, C. TELLIER, 28.08.04 1 Chapitre 4 : Le transistor Bipolaire 1. Structure et description du fonctionnement 1.1. Les transistors bipolaires 1.2 Le transistor NPN Structure intégrée d'un transistor
Plus en détailMEMOIRES MAGNETIQUES A DISQUES RIGIDES
MEMOIRES MAGNETIQUES A DISQUES RIGIDES PARTIE ELECTRONIQUE Le schéma complet de FP5 est donnée en annexe. Les questions porterons sur la fonction FP5 dont le schéma fonctionnel de degré 2 est présenté
Plus en détailUniversité Mohammed Khidher Biskra A.U.: 2014/2015
Uniersité Mohammed Khidher Biskra A.U.: 204/205 Faculté des sciences et de la technologie nseignant: Bekhouche Khaled Matière: lectronique Fondamentale hapitre 4 : Le Transistor Bipolaire à Jonction 4..
Plus en détailConvertisseurs statiques d'énergie électrique
Convertisseurs statiques d'énergie électrique I. Pourquoi des convertisseurs d'énergie électrique? L'énergie électrique utilisée dans l'industrie et chez les particuliers provient principalement du réseau
Plus en détailIntroduction : Les modes de fonctionnement du transistor bipolaire. Dans tous les cas, le transistor bipolaire est commandé par le courant I B.
Introduction : Les modes de fonctionnement du transistor bipolaire. Dans tous les cas, le transistor bipolaire est commandé par le courant. - Le régime linéaire. Le courant collecteur est proportionnel
Plus en détailInstitut Supérieur des Etudes Technologiques de Nabeul
Ministère de l enseignement supérieur, de la recherche scientifique et de la technologie Institut Supérieur des tudes Technologiques de Nabeul Département : Génie lectrique Support de cours : LCTRONIQU
Plus en détailLe transistor bipolaire
IUT Louis Pasteur Mesures Physiques Electronique Analogique 2ème semestre 3ème partie Damien JACOB 08-09 Le transistor bipolaire I. Description et symboles Effet transistor : effet physique découvert en
Plus en détailCapacité Métal-Isolant-Semiconducteur (MIS)
apacité Métal-solant-Semiconducteur (MS) 1-onstitution Une structure Métal-solant-Semiconducteur (MS) est constituée d'un empilement de trois couches : un substrat semiconducteur sur lequel on a déposé
Plus en détailContribution à la conception par la simulation en électronique de puissance : application à l onduleur basse tension
Contribution à la conception par la simulation en électronique de puissance : application à l onduleur basse tension Cyril BUTTAY CEGELY VALEO 30 novembre 2004 Cyril BUTTAY Contribution à la conception
Plus en détailSOMMAIRE. B5.1 Première approche
APPROCHE THEORIQE LES COMPOSANTS ELECTRONIQES B5 LES IOES SOMMAIRE B5.1 Première approche B5.2 e la jonction PN à la diode B5.3 Caractéristique d'une diode B5.4 Mécanisme de conduction d'une diode B5.5
Plus en détailTD 11. Les trois montages fondamentaux E.C, B.C, C.C ; comparaisons et propriétés. Association d étages. *** :exercice traité en classe.
TD 11 Les trois montages fondamentaux.,.,. ; comparaisons et propriétés. Association d étages. *** :exercice traité en classe ***exercice 11.1 On considère le montage ci-dessous : V = 10 V R 1 R s v e
Plus en détailThèse. Présentée devant L Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
N d ordre : 2005-ISAL-00112 Année 2005 Thèse Conception et fabrication de nouvelles architectures CMOS et étude du transport dans les canaux de conduction ultra minces obtenus avec la technologie SON Présentée
Plus en détailLES MONTAGES D AMPLIFICATION: ANALYSE ET SYNTHESE
1 Guillaume LAMY Fabrice DECROP 1G1 TD1 LES MONTAGES D AMPLIFICATION: ANALYSE ET SYNTHESE A ENSEA 1 ère A Electronique Analogique 2 Introduction A ce point d avancement sur les cours d électronique analogique
Plus en détailCONVERTISSEURS NA ET AN
Convertisseurs numériques analogiques (xo Convertisseurs.doc) 1 CONVTIU NA T AN NOT PLIMINAI: Tous les résultats seront exprimés sous formes littérales et encadrées avant les applications numériques. Les
Plus en détailChapitre 7 : CHARGES, COURANT, TENSION S 3 F
Chapitre 7 : CHARGES, COURANT, TENSION S 3 F I) Electrostatique : 1) Les charges électriques : On étudie l électricité statique qui apparaît par frottement sur un barreau d ébonite puis sur un barreau
Plus en détailElectrotechnique: Electricité Avion,
Electrotechnique: Electricité Avion, La machine à Courant Continu Dr Franck Cazaurang, Maître de conférences, Denis Michaud, Agrégé génie Electrique, Institut de Maintenance Aéronautique UFR de Physique,
Plus en détailMéthodes de Caractérisation des Matériaux. Cours, annales http://www.u-picardie.fr/~dellis/
Méthodes de Caractérisation des Matériaux Cours, annales http://www.u-picardie.fr/~dellis/ 1. Symboles standards et grandeurs électriques 3 2. Le courant électrique 4 3. La résistance électrique 4 4. Le
Plus en détailLES MÉMOIRES FLASH : ENTRE MÉMOIRE VIVE ET MÉMOIRE DE STOCKAGE. Etienne Nowak 12 mars 2015. Etienne Nowak - 12 mars 2015 - GIS-SPADON
LES MÉMOIRES FLASH : ENTRE MÉMOIRE VIVE ET MÉMOIRE DE STOCKAGE Etienne Nowak 12 mars 2015 PRÉSENTATION ETIENNE NOWAK
Plus en détailLa polarisation des transistors
La polarisation des transistors Droite de charge en continu, en courant continu, statique ou en régime statique (voir : le transistor) On peut tracer la droite de charge sur les caractéristiques de collecteur
Plus en détailConception. de systèmes électroniques. analogiques
Christian JUTTEN Conception de systèmes électroniques analogiques Université Joseph Fourier - Polytech Grenoble Cours de deuxième année du département 3i Janvier 2007 Table des matières Modèle mathématique
Plus en détailRelais statiques SOLITRON MIDI, Commutation analogique, Multi Fonctions RJ1P
Relais statiques SOLITRON MIDI, Commutation analogique, Multi Fonctions RJ1P Relais statique CA Multi fonctions - 5 sélections de modes de fonctionnement: angle de phase, trains d ondes distribuées et
Plus en détailTP1 Initiation à la conception de circuits intégrés analogiques.
CAO TP1 Initiation Cadence 2015 2016 IC 615 / AMS 4.1 1 TP1 Initiation à la conception de circuits intégrés analogiques. L objectif de ce document est de présenter de façon succincte les principales fonctionnalités
Plus en détailChapitre 7. Circuits Magnétiques et Inductance. 7.1 Introduction. 7.1.1 Production d un champ magnétique
Chapitre 7 Circuits Magnétiques et Inductance 7.1 Introduction 7.1.1 Production d un champ magnétique Si on considère un conducteur cylindrique droit dans lequel circule un courant I (figure 7.1). Ce courant
Plus en détailM HAMED EL GADDAB & MONGI SLIM
Sous la direction : M HAMED EL GADDAB & MONGI SLIM Préparation et élaboration : AMOR YOUSSEF Présentation et animation : MAHMOUD EL GAZAH MOHSEN BEN LAMINE AMOR YOUSSEF Année scolaire : 2007-2008 RECUEIL
Plus en détailMesure de Salinité Réalisation d'un conductimètre
Kourou Novembre 2010. MANGOTECHNO Mesure de Salinité Réalisation d'un conductimètre Frédéric BOUCHAR (TENUM Toulouse) Version 1.0 Table des matières 1.Introduction...3 2.Qu'est-ce que la salinité?...3
Plus en détailSolutions pour la mesure. de courant et d énergie
Solutions pour la mesure de courant et d énergie Mesure et analyse de signal Solutions WAGO pour la surveillance et l économie d énergie Boucles de mesure Rogowski, série 855 pour la mesure non intrusive
Plus en détailEléments constitutifs et synthèse des convertisseurs statiques. Convertisseur statique CVS. K à séquences convenables. Source d'entrée S1
1 Introduction Un convertisseur statique est un montage utilisant des interrupteurs à semiconducteurs permettant par une commande convenable de ces derniers de régler un transfert d énergie entre une source
Plus en détailL ÉLECTROCUTION Intensité Durée Perception des effets 0,5 à 1 ma. Seuil de perception suivant l'état de la peau 8 ma
TP THÈME LUMIÈRES ARTIFICIELLES 1STD2A CHAP.VI. INSTALLATION D ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE SÉCURISÉE I. RISQUES D UNE ÉLECTROCUTION TP M 02 C PAGE 1 / 4 Courant Effets électriques 0,5 ma Seuil de perception -
Plus en détailIII Capteurs et actuateurs
III Capteurs et actuateurs Tous les systèmes électroniques ont en commun qu ils fonctionnent selon le principe ETS (Entrée, Traitement, Sortie) du traitement de l information. ENTRÉE TRAITEMENT SORTIE
Plus en détailContribution des faisceaux d ions à l élaboration de dispositifs pour l électronique souple
Comité National Français de Radioélectricité Scientifique Section française de l Union Radio Scientifique Internationale Siège social : Académie des Sciences, Quai de Conti Paris Journées scientifiques
Plus en détailSemi-conducteurs. 1 Montage expérimental. Expérience n 29
Expérience n 29 Semi-conducteurs Description Le but de cette expérience est la mesure de l énergie d activation intrinsèque de différents échantillons semiconducteurs. 1 Montage expérimental Liste du matériel
Plus en détailBruit électrique basse fréquence comme outil de diagnostic non destructif pour des technologies MOS submicroniques et nanométriques
Université de Caen Basse-Normandie Mémoire présenté et soutenu le : 10/12/2013 par Bogdan - Mihail CRETU pour obtenir l Habilitation à Diriger des Recherches Bruit électrique basse fréquence comme outil
Plus en détailI GENERALITES SUR LES MESURES
2 Dans le cas d intervention de dépannage l usage d un multimètre est fréquent. Cet usage doit respecter des méthodes de mesure et des consignes de sécurité. 1/ Analogie. I GENERALITES SUR LES MESURES
Plus en détailDe la micro à la nano-électronique
De la micro à la nano-électronique Christian Ngô ECRIN LT M ngo@ecrin.asso.fr LE PUCE MICR-ELECTRNIQUE AU QUTIDIEN Cafetière électrique 1 puce 10 000 T Pèse personne 1 puce 10 000 T Télévision 10 puces
Plus en détailMESURE DE LA TEMPERATURE
145 T2 MESURE DE LA TEMPERATURE I. INTRODUCTION Dans la majorité des phénomènes physiques, la température joue un rôle prépondérant. Pour la mesurer, les moyens les plus couramment utilisés sont : les
Plus en détailSystèmes de communications numériques 2
Systèmes de Communications Numériques Philippe Ciuciu, Christophe Vignat Laboratoire des Signaux et Systèmes cnrs supélec ups supélec, Plateau de Moulon, 9119 Gif-sur-Yvette ciuciu@lss.supelec.fr Université
Plus en détailEP 2 339 758 A1 (19) (11) EP 2 339 758 A1 (12) DEMANDE DE BREVET EUROPEEN. (43) Date de publication: 29.06.2011 Bulletin 2011/26
(19) (12) DEMANDE DE BREVET EUROPEEN (11) EP 2 339 758 A1 (43) Date de publication: 29.06.2011 Bulletin 2011/26 (21) Numéro de dépôt: 09179459.4 (51) Int Cl.: H04B 1/69 (2011.01) H03K 5/08 (2006.01) H03K
Plus en détailRecopieur de position Type 4748
Recopieur de position Type 4748 Fig. 1 Type 4748 1. Conception et fonctionnement Le recopieur de position type 4748 détermine un signal de sortie analogique 4 à 20 ma correspondant à la position de vanne
Plus en détailOù sont-elles? Presque partout
Les puces Vision historique Fabrication Les circuits numériques Les microprocesseurs Les cartes à puces Les puces d identification Controverses Questions Les puces Où sont-elles? Presque partout Où ne
Plus en détailELP 304 : Électronique Numérique. Cours 1 Introduction
ELP 304 : Électronique Numérique Cours 1 Introduction Catherine Douillard Dépt Électronique Les systèmes numériques : généralités (I) En électronique numérique, le codage des informations utilise deux
Plus en détailChapitre 2/ La fonction de consommation et la fonction d épargne
hapitre 2/ La fonction de consommation et la fonction d épargne I : La fonction de consommation keynésienne II : Validations et limites de la fonction de consommation keynésienne III : Le choix de consommation
Plus en détailBALAIS Moteur (charbons)
BALAIS Moteur (charbons) 1/ Rôle a) Pour les machines électriques comportant des bagues (alternateur moteur asynchrone) : moteur universel Les balais doivent maintenir un contact constant avec la bague
Plus en détailELEC2753 Electrotechnique examen du 11/06/2012
ELEC2753 Electrotechnique examen du 11/06/2012 Pour faciliter la correction et la surveillance, merci de répondre aux 3 questions sur des feuilles différentes et d'écrire immédiatement votre nom sur toutes
Plus en détailCircuits RL et RC. Chapitre 5. 5.1 Inductance
Chapitre 5 Circuits RL et RC Ce chapitre présente les deux autres éléments linéaires des circuits électriques : l inductance et la capacitance. On verra le comportement de ces deux éléments, et ensuite
Plus en détailÉtudes et Réalisation Génie Électrique
Université François-Rabelais de Tours Institut Universitaire de Technologie de Tours Département Génie Électrique et Informatique Industrielle Études et Réalisation Génie Électrique Chargeur de batterie
Plus en détailBACCALAURÉAT PROFESSIONNEL EPREUVE DE TRAVAUX PRATIQUES DE SCIENCES PHYSIQUES SUJET A.1
TP A.1 Page 1/5 BACCALAURÉAT PROFESSIONNEL EPREUVE DE TRAVAUX PRATIQUES DE SCIENCES PHYSIQUES SUJET A.1 Ce document comprend : - une fiche descriptive du sujet destinée à l examinateur : Page 2/5 - une
Plus en détailRELAIS STATIQUE. Tension commutée
RELAIS STATIQUE Nouveau Relais Statique Monophasé de forme compacte et économique Coût réduit pour une construction modulaire Modèles disponibles de 15 à 45 A Modèles de faible encombrement, avec une épaisseur
Plus en détailContrôleurs de Débit SIKA
Contrôleurs de Débit SIKA -1- Contrôleurs de Débit SIKA Antivibration - robuste - application universelle! Contrôleurs de débit à palette VH 780 pour les liquides montage simple pour installation directe
Plus en détailNeu. Technique d installation / de surveillance. VARIMETER RCM Contrôleur différentiel type B IP 5883
Technique d installation / de surveillance VARIMETER RCM Contrôleur différentiel type IP 5883 0249636 X1 A1 X1 i2 11 Alarm 12 Neu IP 5583 N 5018/035 N 5018/030 escription du produit Le contrôleur différentiel
Plus en détailChapitre 1 Régime transitoire dans les systèmes physiques
Chapitre 1 Régime transitoire dans les systèmes physiques Savoir-faire théoriques (T) : Écrire l équation différentielle associée à un système physique ; Faire apparaître la constante de temps ; Tracer
Plus en détailRelais statiques SOLITRON, 1 ou 2 pôles Avec dissipateur intégré
Relais statiques SOLITRON, 1 ou 2 pôles Avec dissipateur intégré Relais statique CA, 1 ou 2 pôles Commutation au zéro de tension pour applications de chauffage et de moteur (RN1A) Commutation instantanée
Plus en détailLa conversion de données : Convertisseur Analogique Numérique (CAN) Convertisseur Numérique Analogique (CNA)
La conversion de données : Convertisseur Analogique Numérique (CAN) Convertisseur Numérique Analogique (CNA) I. L'intérêt de la conversion de données, problèmes et définitions associés. I.1. Définitions:
Plus en détail1. PRESENTATION DU PROJET
Bac STI2D Formation des enseignants Jean-François LIEBAUT Denis PENARD SIN 63 : Prototypage d un traitement de l information analogique et numérique (PSoC) 1. PRESENTATION DU PROJET Les systèmes d éclairage
Plus en détailPrésenté par : Sous la direction de :
ANNEE UNIVERSITAIRE 2006 2007 LAYOUT DE SWITCHS RF STAGE EFFECTUE A ST MICROELECTRONICS GRENOBLE Rapport de stage de licence professionnelle EISI option microélectronique microsystèmes Présenté par : Sous
Plus en détailEquipement. électronique
MASTER ISIC Les générateurs de fonctions 1 1. Avant-propos C est avec l oscilloscope, le multimètre et l alimentation stabilisée, l appareil le plus répandu en laboratoire. BUT: Fournir des signau électriques
Plus en détailW 12-2 : haute performance et savoir-faire compact
Barrières W - Détecteurs réflex, élimination de premier plan EPP Détecteurs réflex, élimination d arrière-plan EAP W - : haute performance et savoir-faire compact Détecteurs réflex énergétiques fibres
Plus en détailJ AUVRAY Systèmes Electroniques TRANSMISSION DES SIGNAUX NUMERIQUES : SIGNAUX EN BANDE DE BASE
RANSMISSION DES SIGNAUX NUMERIQUES : SIGNAUX EN BANDE DE BASE Un message numérique est une suite de nombres que l on considérera dans un premier temps comme indépendants.ils sont codés le plus souvent
Plus en détailAmplificateur à deux étages : gains, résistances "vues", droites de charges, distorsion harmonique
Problème 6 Amplificateur à deux étages : gains, résistances "ues", droites de charges, distorsion harmonique Le circuit analysé dans ce problème est un exemple représentatif d'amplificateur réalisé à composants
Plus en détailsciences sup Cours et exercices corrigés IUT Licence électricité générale Analyse et synthèse des circuits 2 e édition Tahar Neffati
sciences sup Cours et exercices corrigés IUT Licence électricité générale Analyse et synthèse des circuits 2 e édition Tahar Neffati ÉLECTRICITÉ GÉNÉRALE Analyse et synthèse des circuits ÉLECTRICITÉ GÉNÉRALE
Plus en détailMémoire de Thèse de Matthieu Lagouge
Conception de microsystèmes à base d actionneurs en SU8 pour la manipulation de micro-objets en milieu liquide et transfert vers un milieu quasi-sec * * * Annexes Mémoire de Thèse de Matthieu Lagouge soutenue
Plus en détailManuel d'utilisation de la maquette
Manuel d'utilisation de la maquette PANNEAU SOLAIRE AUTO-PILOTE Enseignement au lycée Article Code Panneau solaire auto-piloté 14740 Document non contractuel L'énergie solaire L'énergie solaire est l'énergie
Plus en détailRépublique Algérienne Démocratique et Populaire. Ministère de l Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
République Algérienne Démocratique et Populaire Ministère de l Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique Université M Hamed Bougara- BOUMERDES Faculté des sciences de l Ingénieur Ecole Doctorale
Plus en détailCORRECTION TP Multimètres - Mesures de résistances - I. Mesure directe de résistors avec ohmmètre - comparaison de deux instruments de mesure
Introduction CORRECTION TP Multimètres - Mesures de résistances - La mesure d une résistance s effectue à l aide d un multimètre. Utilisé en mode ohmmètre, il permet une mesure directe de résistances hors
Plus en détailhttp://www.lamoot-dari.fr Distribué par Lamoot Dari contact@lamoot-dari.fr GTS-L 5 / 10 / 15 DONNEES TECHNIQUES
GTS-L / 0 / GROUPES STATIQUES DE PUISSANCE A COMMANDE LOGIQUE Applications principales Lignes d'extrusion et presses d'injection pour matières plastiques Canaux chauds Thermoformeuses Machines d'emballage
Plus en détailPRODUIRE DES SIGNAUX 1 : LES ONDES ELECTROMAGNETIQUES, SUPPORT DE CHOIX POUR TRANSMETTRE DES INFORMATIONS
PRODUIRE DES SIGNAUX 1 : LES ONDES ELECTROMAGNETIQUES, SUPPORT DE CHOIX POUR TRANSMETTRE DES INFORMATIONS Matériel : Un GBF Un haut-parleur Un microphone avec adaptateur fiche banane Une DEL Une résistance
Plus en détailLa charge électrique C6. La charge électrique
Fiche ACTIVIT UM 8. / UM 8. / 8. La charge électrique 8. La charge électrique C6 Manuel, p. 74 à 79 Manuel, p. 74 à 79 Synergie UM S8 Corrigé Démonstration La charge par induction. Comment un électroscope
Plus en détailElectrotechnique. Fabrice Sincère ; version 3.0.5 http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere/
Electrotechnique Fabrice Sincère ; version 3.0.5 http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere/ 1 Sommaire 1 ère partie : machines électriques Chapitre 1 Machine à courant continu Chapitre 2 Puissances électriques
Plus en détailCHAPITRE IX : Les appareils de mesures électriques
CHAPITRE IX : Les appareils de mesures électriques IX. 1 L'appareil de mesure qui permet de mesurer la différence de potentiel entre deux points d'un circuit est un voltmètre, celui qui mesure le courant
Plus en détailTABLE DES MATIÈRES 1. DÉMARRER ISIS 2 2. SAISIE D UN SCHÉMA 3 & ' " ( ) '*+ ", ##) # " -. /0 " 1 2 " 3. SIMULATION 7 " - 4.
TABLE DES MATIÈRES 1. DÉMARRER ISIS 2 2. SAISIE D UN SCHÉMA 3! " #$ % & ' " ( ) '*+ ", ##) # " -. /0 " 1 2 " 3' & 3. SIMULATION 7 0 ( 0, - 0 - " - & 1 4. LA SOURIS 11 5. LES RACCOURCIS CLAVIER 11 STI Electronique
Plus en détailOscilloscope actif de précision CONCEPT 4000M
Oscilloscope actif de précision CONCEPT 4000M ZI Toul Europe, Secteur B 54200 TOUL Tél.: 03.83.43.85.75 Email : deltest@deltest.com www.deltest.com Introduction L oscilloscope actif de précision Concept
Plus en détail7200S FRA. Contacteur Statique. Manuel Utilisateur. Contrôle 2 phases
7200S Contacteur Statique FRA Contrôle 2 phases Manuel Utilisateur Chapitre 2 2. INSTALLATI Sommaire Page 2.1. Sécurité lors de l installation...............................2-2 2.2. Montage.................................................2-3
Plus en détailCours d électricité. Circuits électriques en courant constant. Mathieu Bardoux. 1 re année
Cours d électricité Circuits électriques en courant constant Mathieu Bardoux mathieu.bardoux@univ-littoral.fr IUT Saint-Omer / Dunkerque Département Génie Thermique et Énergie 1 re année Objectifs du chapitre
Plus en détailGENERALITES SUR LA MESURE DE TEMPERATURE
Distributeur exclusif de GENERALITES SUR LA MESURE DE TEMPERATURE INTRODUCTION...2 GENERALITES SUR LA MESURE DE TEMPERATURE...2 La température...2 Unités de mesure de température...3 Echelle de température...3
Plus en détailModule d Electricité. 2 ème partie : Electrostatique. Fabrice Sincère (version 3.0.1) http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere
Module d Electricité 2 ème partie : Electrostatique Fabrice Sincère (version 3.0.1) http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere 1 Introduction Principaux constituants de la matière : - protons : charge
Plus en détailChapitre 13 Numérisation de l information
DERNIÈRE IMPRESSION LE 2 septembre 2013 à 17:33 Chapitre 13 Numérisation de l information Table des matières 1 Transmission des informations 2 2 La numérisation 2 2.1 L échantillonage..............................
Plus en détailSIGNAUX NUMERIQUES ET MODULATIONS NUMERIQUES
SIGNAUX NUMERIQUES ET MODULATIONS NUMERIQUES ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------- LES SIGNAUX NUMERIQUES Un signal numérique
Plus en détailEMETTEUR ULB. Architectures & circuits. Ecole ULB GDRO ESISAR - Valence 23-27/10/2006. David MARCHALAND STMicroelectronics 26/10/2006
EMETTEUR ULB Architectures & circuits David MARCHALAND STMicroelectronics 26/10/2006 Ecole ULB GDRO ESISAR - Valence 23-27/10/2006 Introduction Emergence des applications de type LR-WPAN : Dispositif communicant
Plus en détail2.1 Le point mémoire statique Le point mémoire statique est fondé sur le bistable, dessiné de manière différente en Figure 1.
Mémoires RAM 1. LOGIUE STATIUE ET LOGIUE DYNAMIUE Le point mémoire est l élément de base, capable de mémoriser un bit. Il y a deux approches possibles. L approche statique est fondée sur la l'utilisation
Plus en détailTransmission de données. A) Principaux éléments intervenant dans la transmission
Page 1 / 7 A) Principaux éléments intervenant dans la transmission A.1 Equipement voisins Ordinateur ou terminal Ordinateur ou terminal Canal de transmission ETTD ETTD ETTD : Equipement Terminal de Traitement
Plus en détailRéférences pour la commande
avec fonction de détection de défaillance G3PC Détecte les dysfonctionnements des relais statiques utilisés pour la régulation de température des éléments chauffants et émet simultanément des signaux d'alarme.
Plus en détail2. Couche physique (Couche 1 OSI et TCP/IP)
2. Couche physique (Couche 1 OSI et TCP/IP) 2.1 Introduction 2.2 Signal 2.3 Support de transmission 2.4 Adaptation du signal aux supports de transmission 2.5 Accès WAN 2.1 Introduction Introduction Rôle
Plus en détailSystème d automation TROVIS 6400 Régulateur compact TROVIS 6493
Système d automation TROVIS 6400 Régulateur compact TROVIS 6493 pour montage encastré (dimensions de la face avant 48 x 96 mm / 1.89 x 3.78 ) Application Régulateur compact à microprocesseur avec logiciel
Plus en détailNuméro de publication: 0 547 276 Al. Int. CIA H03K 17/12, H03K 17/08. Demandeur: FERRAZ Societe Anonyme
ê Europâisches Patentamt European Patent Office Office européen des brevets Numéro de publication: 0 547 276 Al DEMANDE DE BREVET EUROPEEN Numéro de dépôt: 91420460.7 Int. CIA H03K 17/12, H03K 17/08 @
Plus en détailCONTRÔLE DE BALISES TYPE TB-3 MANUEL D'INSTRUCTIONS. ( Cod. 7 71 087 ) (M 981 342 01-02 06H) ( M 981 342 / 99G ) (c) CIRCUTOR S.A.
CONTRÔLE DE BALISES TYPE TB-3 ( Cod. 7 71 087 ) MANUEL D'INSTRUCTIONS (M 981 342 01-02 06H) ( M 981 342 / 99G ) (c) CIRCUTOR S.A. ------ ÉQUIPEMENT CONTRÔLE DE BALISES TB-3 ------ Page 2 de 6 ÉQUIPEMENT
Plus en détailSur un ordinateur portable ou un All-in-One tactile, la plupart des éléments mentionnés précédemment sont regroupés. 10) 11)
1/ Généralités : Un ordinateur est un ensemble non exhaustif d éléments qui sert à traiter des informations (documents de bureautique, méls, sons, vidéos, programmes ) sous forme numérique. Il est en général
Plus en détailMesure. Multimètre écologique J2. Réf : 251 055. Français p 1. Version : 0110
Français p 1 Version : 0110 Sommaire 1 Présentation... 2 1.1 Description... 2 1.2 Type d alimentation... 3 1.2.1 Alimentation par générateur... 3 1.2.2 Alimentation par piles... 3 2 Sécurité... 3 2.1 Signalétique
Plus en détailExercice 1. Exercice n 1 : Déséquilibre mécanique
Exercice 1 1. a) Un mobile peut-il avoir une accélération non nulle à un instant où sa vitesse est nulle? donner un exemple illustrant la réponse. b) Un mobile peut-il avoir une accélération de direction
Plus en détailBD 302 MINI. Etage de puissance pas à pas en mode bipolaire. Manuel 2059-A003 F
BD 302 MINI Etage de puissance pas à pas en mode bipolaire Manuel 2059-A003 F phytron BD 302 MINI Etage de puissance pas à pas en mode bipolaire Manuel 2059-A003 F Manuel BD 302 MINI 2002 Tous droits
Plus en détailMODÉLISATION PHYSIQUE D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE IGBT - TRAÎNÉE EN TENSION À L'ENCLENCHEMENT
MODÉLISATION PHYSIQUE D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE IGBT - TRAÎNÉE EN TENSION À L'ENCLENCHEMENT THÈSE N O 3215 (2005) PRÉSENTÉE À LA FACULTÉ SCIENCES ET TECHNIQUES DE L'INGÉNIEUR Institut des sciences de
Plus en détailModule Relais de temporisation DC 24 110 V, programmable
Caractéristiques techniques indicatives sous réserve de modifications 815006.00 Identification Type ZR6-5006.00 Version du produit Version du fiche technique 00 Application/ Domaine d'utilisation/caractéristiques
Plus en détail1 Systèmes triphasés symétriques
1 Systèmes triphasés symétriques 1.1 Introduction Un système triphasé est un ensemble de grandeurs (tensions ou courants) sinusoïdales de même fréquence, déphasées les unes par rapport aux autres. Le système
Plus en détailTHESE. Présentée devant L Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse. En vue de l obtention du grade de Docteur INSA
N D ORDRE : 814 THESE Présentée devant L Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse En vue de l obtention du grade de Docteur INSA Spécialité : Matériaux pour l'electronique et Ingénierie des
Plus en détailL électricité et le magnétisme
L électricité et le magnétisme Verdicts et diagnostics Verdict CHAPITRE 5 STE Questions 1 à 26, A à D. 1 QU EST-CE QUE L ÉLECTRICITÉ? (p. 140-144) 1. Vanessa constate qu un objet est chargé positivement.
Plus en détailElectron S.R.L. - MERLINO - MILAN ITALIE Tel (++ 39 02) 90659200 Fax 90659180 Web www.electron.it, e-mail electron@electron.it
Electron S.R.L. Design Production & Trading of Educational Equipment B3510--II APPLIICATIIONS DE TRANSDUCTEURS A ULTRASONS MANUEL D IINSTRUCTIIONS POUR L ETUDIIANT Electron S.R.L. - MERLINO - MILAN ITALIE
Plus en détail