Présentation des activités d enseignement et de recherche de Ngoc Duy NGUYEN Département de Physique au Conseil de la Faculté des Sciences du 1 janvier 011 1
Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00) Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-)
Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00) Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-) N. D. Nguyen, Physique des solides, interfaces et nanostructures Conseil de la Faculté des Sciences du 1 janvier 011
Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00) 10 9 8 7 Sapphire Mg in GaN : dopant or deep impurity? Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-) Bandgap energy [ev] 6 5 3 AlN ZnO GaN ZnS ZnSe AlP GaP AlAs CdS ZnTe 1 GaAs Si CdSe InP CdTe 0.5 3.0 3.5 InN Ge.0.5 5.0 5.5 Lattice Constant [Å] InAs 6.0 6.5 7.0
Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00) Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-) OLLA Project N. D. Nguyen, Physique des solides, interfaces et nanostructures Conseil de la Faculté des Sciences du 1 janvier 011
Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00) Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-)
Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00) Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-) N. D. Nguyen, Physique des solides, interfaces et nanostructures Conseil de la Faculté des Sciences du 1 janvier 011
Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00) Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-) 3 1 7.8 11.0 1.6 17.7 N. D. Nguyen et al., Thin Solid Films 518, 8 (009)
PQ6%O N%O Curriculum Duy Nguyen Ingénieur civil physicien (ULg 1998) Docteur en Sciences Appliquées (ULg 00)!"#"$%&"'(#)*+,$%-#" Assistant ULg (1998-00) Chercheur post-doctoral Interreg III OLED (00-006) Staff scientist IMEC (006-010) Chargé de cours ULg (010-) N. D. Nguyen et al., ECS Trans. 33, 933 (010)
Activités d enseignement PHYS006-1, Physique générale, 1e bachelier sc. chim. (0) 6 ECTS, 0h Th + 0h Pr PHYS006-3, Physique générale, 1e bachelier sc. geol. (16) 5 ECTS, 30h Th + 0h Pr PHYS006-, Physique générale, 1e bachelier sc. phys. (67) 1 ECTS, 60h Th + 30h Pr PHYS006-5, Physique générale II, e bachelier sc. math. (15) 5 ECTS, 30 Th + 5 Pr PHYS011-1, Physique expérimentale, partim a) Electronique et instrumentation, 3e bachelier sc. phys. (5) 6 ECTS, 30 Th + 35 Pr PHYS06-1, Physique : Physique microscopique, e bachelier sc. ing., 1e master ing. phys., 1e master ing. aérospat. (5) 5 ECTS, 30 Th + 30 Pr PHYS3013-1, Caractérisation physique des matériaux et des interfaces, master sc. phys. () 3 ECTS, 15 Th + 15 Pr PHYS3016-1, Physical characterization of materials and interfaces () 3 ECTS, 15 Th + 15 Pr 3
Activités de recherche Etude expérimentale des propriétés électroniques et optiques de structures et de dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs Comportement et activation électrique des dopants et centres profonds Pièges et impuretés aux interfaces des hétérostructures Mécanismes de conduction électrique dans les nanostructures Développement de techniques de caractérisation optoélectrique en spectroscopie d admittance et de photoconductivité transitoire Simulation numérique de dispositifs électroniques et optoélectroniques Mécanismes de croissance cristalline Epitaxie et dopage par couche atomique
Activités de recherche Etude expérimentale des propriétés électroniques et optiques de structures et de dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs Comportement et activation électrique des dopants et centres profonds Pièges et impuretés aux interfaces des hétérostructures N. D. Nguyen et al., ISDRS 009 CAPPING OXIDE Mécanismes de conduction électrique dans les nanostructures Développement de techniques de caractérisation opto"%='/7,.1:/)7';79'%>?'*1,@<:, électrique en spectroscopie d admittance et de photoconductivité transitoire D,'91:1:19';:':-1'?/ABE?/',@F,:*;:1'/7:1*8;1 Simulation numérique de dispositifs électroniques et optoélectroniques D,$91.),/:19 K'6B N. D. Nguyen, Physique des solides, interfaces et nanostructures $ +",&%# D, L)'1B:17919'9181: C<@1 10. 5 1.. 0.?/ Epitaxie et dopage par couche atomique 3# /..?/AB Mécanismes de croissance cristalline %>? C<@1..! 0 1. 10 /.!"#$%$"&'(&)* /0 -. &!"#$% Conseil de la Faculté des Sciences du 1 janvier 011 D,'91:1:19';:':-1'?/ABE?/',@F,:*;:1'/7:1*8;1
Etude expérimentale des propriétés électroniques et optiques de structures et de dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs Comportement et activation électrique des dopants et centres profonds Pièges et impuretés aux interfaces des hétérostructures Activités de recherche Mécanismes de conduction électrique dans les nanostructures C B -8*/78* SiGeSn -#DE#/D Développement de techniques de caractérisation optoélectrique en spectroscopie d admittance et de photoconductivité transitoire Simulation numérique de dispositifs électroniques et optoélectroniques Mécanismes de croissance cristalline Epitaxie et dopage par couche atomique J. Kouvetakis, Solar Program Peer Review Meeting in 010, US Department of Energy
Activités de recherche Etude expérimentale des propriétés électroniques et optiques de structures et de dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs Comportement et activation électrique des dopants et centres profonds Pièges et impuretés aux interfaces des hétérostructures Mécanismes de conduction électrique dans les nanostructures Développement de techniques de caractérisation optoélectrique en spectroscopie d admittance et de photoconductivité transitoire Simulation numérique de dispositifs électroniques et optoélectroniques Mécanismes de croissance cristalline Epitaxie et dopage par couche atomique C [pf] C [F] x10-1 f c f ta 600 350 K (a) 300 K (b) 50 K (c) 00 00 0 600 C [F] x10-1 00 00 0 10 0 10 10 10 6 f [Hz] 10 0 10 10 10 6 f [Hz] G/ω [F] x10-1 100 K 00 f tb 10 0 10 10 10 6 f [Hz] 300 00 100 0 00 K (d) 150 K (e) (f) 300 x f c ~ f RC x 10 100 0 G/ω [pf] G/ω [F] x10-1
Activités de recherche Etude expérimentale des propriétés électroniques et optiques de structures et de dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs Comportement et activation électrique des dopants et centres profonds Pièges et impuretés aux interfaces des hétérostructures Mécanismes de conduction électrique dans les nanostructures Développement de techniques de caractérisation optoélectrique en spectroscopie d admittance et de photoconductivité transitoire Simulation numérique de dispositifs électroniques et optoélectroniques Mécanismes de croissance cristalline Epitaxie et dopage par couche atomique N. D. Nguyen et al., phys. stat. sol. (a) 03, 1901 (006) N. D. Nguyen et al., Phys. Rev. B 75, 75307 (007)
Activités de recherche Etude expérimentale des propriétés électroniques et optiques de structures et de dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs Epitaxie et dopage par couche atomique Comportement et activation électrique des dopants et centres profonds Pièges et impuretés aux interfaces des hétérostructures Mécanismes de conduction électrique dans les nanostructures Développement de techniques de caractérisation optoélectrique en spectroscopie d admittance et de photoconductivité transitoire Simulation numérique de dispositifs électroniques et optoélectroniques Mécanismes de croissance cristalline Epitaxie et dopage par couche atomique Boron concentration (at/cm 3 ) 10 10 1 10 0 10 19 10 18 10 17 10 16 1.0 0 600 C 1. 00 C 300 C 500 C 1. 1000/T (K -1 ) 00 C (a) 1.6 (c) (b) 300 C 1.8.0 B H 6 flow F B H 6 flow F 00 C 00 C 500 C 600 C. 0 0 60 80 1000 0 0 60 80 100 Depth (nm) Depth (nm) N. D. Nguyen et al., ISTDM 008 10 15 10 1 10 13 Boron dose (at/cm ) Yes.75AL No Weakly bonded P 1.0AL
Activités de recherche Etude expérimentale des propriétés électroniques et optiques de structures et de dispositifs à base de matériaux semi-conducteurs Comportement et activation électrique des dopants et centres profonds Pièges et impuretés aux interfaces des hétérostructures Mécanismes de conduction électrique dans les nanostructures Développement de techniques de caractérisation optoélectrique en spectroscopie d admittance et de photoconductivité transitoire Simulation numérique de dispositifs électroniques et optoélectroniques www.spin.ulg.ac.be Mécanismes de croissance cristalline Epitaxie et dopage par couche atomique