ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL

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Cours ELE-3300 - Électronique 1 examen final - hiver 2001 ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL Département de génie Électrique Examen final d'électronique 1 - (ELE-3300) Mardi le 1er mai 2001-9h30 à 12h Seuls le cahier de laboratoire et une calculatrice sont autorisés. Question 1 : 4 points Un amplificateur alimenté à +10 VDC et -10 VDC produit un signal sinusoïdal de 9 V crête dans une charge de 1 kω quand on applique à l'entrée un signal sinusoïdal de 1 V crête. Dans ces conditions, chaque alimentation fournit à l'amplificateur un courant de 9.5 ma DC. Sachant que le courant fourni par la source de signal à l'entrée de l'amplificateur est sinusoïdal et que son amplitude est de 0.1 ma crête, calculer : a) A v : Le gain de tension en db. b) A i : Le gain de courant en db. c) A p : Le gain de puissance en db. d) P dc : La puissance en W fournie à l'amplificateur par les blocs d'alimentation. e) P L : La puissance en W fournie à la charge par l'amplificateur. f) P h : La puissance en W dissipée dans l'amplificateur. g) η : L'efficacité de l'amplificateur (η = P L / P dc ). Question 2 : 3 points Le circuit ci-dessus utilise un potentiomètre de 10 kω et un ampli-op (idéal) pour réaliser un amplificateur à gain variable. a) Développez une expression pour le gain de tension en fonction de la position x du curseur du potentiomètre. b) Calculez le gain minimal et le gain maximal que l'on peut obtenir avec ce circuit. c) Dessinez le circuit en lui ajoutant une résistance R, de façon à ce que l'on obtienne des gains de 1 à 11 V/V quand on ajuste le potentiomètre de 10 kω. Calculez la valeur de R. page 1 de 4

Cours ELE-3300 - Électronique 1 examen final - hiver 2001 Question 3 : 3 points Dans le circuit ci-dessus, les diodes D 1 et D 2 ont un coefficient n = 2, mais le courant de saturation (I S ) de la diode D 1 est 10 fois plus grand que celui de D 2. nvt L'équation décrivant la relation courant-tension des diodes est : I D = I Se où I D est le courant passant dans la diode, V D la tension à ses bornes et V T = 25 mv, le potentiel thermique. a) Calculez la valeur du courant I D1 qui passe dans la diode D 1. b) Calculez la valeur du courant I D2 qui passe dans la diode D 2. c) Écrivez une expression pour la tension V D1 aux bornes de la diode D 1. d) Écrivez une expression pour la tension V D2 aux bornes de la diode D 2. e) Écrivez une expression pour la tension V out = V D2 - V D1. f) Calculez la valeur de V out. VD page 2 de 4

Cours ELE-3300 - Électronique 1 examen final - hiver 2001 Question 4 : 5 points Le transistor Q 1 dans le circuit ci-dessus est un NMOS à enrichissement avec une tension de seuil V t = 0.9 V et une tension Early V A = 50 V. Le transistor est polarisé au point de repos par une source de courant I de 0.5 ma DC. La tension de drain au repos est de 2 V DC. Les condensateurs C 1 et C 2 peuvent être considérés infinis. a) Calculez les paramètres K, g m et r 0 du transistor. b) Dessinez le circuit équivalent petit signal de l'amplificateur. c) Calculez le gain de tension G = v out /v in. d) Calculez le module de l'impédance d'entrée Z in = v in / i in. e) Calculez le gain de tension "effectif" de l'amplificateur G eff = v out /v s. page 3 de 4

Cours ELE-3300 - Électronique 1 examen final - hiver 2001 Question 5 : 5 points Mandat : Concevoir un amplificateur ayant les caractéristiques suivantes : 1. Tension d'alimentation Vcc = +9 VDC. Polarisation de Q 1 par une source de courant DC. 2. Transistor Q 1 : BJT npn avec β = 100, V BE = 0.7 V @ I C = 1 ma et V A = 100 V. 3. Bande passante de l'amplificateur : 20 KHz à 2 MHz. 4. Résistance d'entrée à mi-bande (R in = V in / I in ) : 50 Ω. 5. Gain de tension effectif (G eff = V out /V s ) : 9 V/V, mesuré avec une charge R L = 1 kω. Faites la conception du circuit en procédant comme suit : a) Dessinez le circuit équivalent petit signal de cet amplificateur. Supposez que C 1 et C 2 sont infinis et ignorez l'effet de la résistance r 0 du BJT b) Développez une expression pour la résistance d'entrée R in. c) Calculez la valeur du courant de polarisation I pour satisfaire la spécification #4 du mandat. d) Développez une expression pour le gain effectif G eff. e) Calculez la valeur de R B pour satisfaire la spécification # 5 du mandat. f) Calculez la résistance de sortie (R out ) de cet amplificateur. g) C 2 forme avec R out et R L un filtre passe-haut du 1er ordre. Calculer la valeur de C 2 pour que la fréquence de coupure à -3 db de ce filtre soit 20 KHz (specification # 3 du mandat). h) À quel endroit du circuit ajouteriez-vous un condensateur C x pour limiter la bande passante de l'amplificateur à 2 MHz? Le professeur : Robert GUARDO tél : 4365. page 4 de 4