ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL

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Cours ELE-3300 - Électronique 1 examen final - automne 2000 ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL Département de génie Électrique et de génie Informatique Examen final d'électronique 1 - (cours ELE-3300) Lundi le 18 décembre 2000-9h30 à 12h Seuls le cahier de laboratoire et une calculatrice sont autorisés. Question 1 : 6 points L'ampli-op U 1 dans les circuits ci-dessus peut être considéré idéal à tous les points de vue, sauf pour la spécification de la tension de décalage, V OS, qui est de ± 5 mv (i.e. V OS = 5 mv). Le signal d'entrée v in = 10-3 sin(2000π t) Volt. Le condensateur C 1 est suffisamment grand pour être considéré infini à cette fréquence. Pour chacun des 3 circuits de la Figure 1 : a) Calculez la tension V OUT produite à la sortie du circuit par la source de tension V OS. b) Calculez l'amplitude crête de la tension v out produite à la sortie du circuit par le signal v in. Note : Des réponses précises à ± 1% sont acceptables. page 1 de 3

Cours ELE-3300 - Électronique 1 examen final - automne 2000 Question 2 : 6 points Mandat : Réaliser un pre-amplificateur pour microphone dynamique. Le circuit doit satisfaire aux spécifications suivantes: 1. Source d'alimentation : une batterie de 9 V. 2. Consommation de courant au point de repos : 100 µa. 3. Transistor : NMOS à déplétion avec K = 10 ma/v 2, V t = - 4 V et V A = 100 V. 4. Bande passante (fréquences de coupure à -3 db) : 20 Hz à 20 khz. 5. Module de l'impédance d'entrée à mi-bande : 1 MΩ. 6. Gain de tension à mi-bande (mesuré avec une résistance de charge de 10 kω) : -10 V/V. Faites la conception du circuit de la Figure 2 en procédant comme suit : a) Calculez la tension grille-source V GSQ nécessaire pour polariser le transistor avec un courant de drain I DQ = 100 µa, conformément à la spécification # 2 du mandat. b) Calculez la valeur de R 3 nécessaire pour établir la tension de polarisation V GSQ calculée en a). c) Calculez la valeur de C 3 qui permet de le considérer comme un condensateur infini aux fréquences de la bande passante de l'amplificateur (spécification #4 du mandat). d) Calculez la valeur de C 2 selon les mêmes critères qu'en c). e) Dessinez le circuit équivalent petit signal de l'amplificateur. f) Calculez les paramètres g m et r 0 du transistor. g) Développez l'équation pour le gain de tension G(s) = v out (s) /v in (s). h) Calculez la valeur de R 2 pour satisfaire à la spécification # 6 du mandat. i) Développez l'équation pour l'impédance d'entrée Z in (s) = v in (s)/ i in (s) j) Choisissez la valeur de R 1 pour satisfaire à la spécification #5 du mandat. k) Calculez la valeur de C 1 qui permet de fixer la limite inférieure de la bande passante de l'amplificateur, conformément à la spécification #4 du mandat. l) Dites à quel endroit du circuit vous ajouteriez un condensateur C 4 permettant de fixer la limite supérieure de la bande passante de l'amplificateur, conformément à la spécification #4. m) Calculez la valeur du condensateur C 4. page 2 de 3

Cours ELE-3300 - Électronique 1 examen final - automne 2000 Question 3 : 8 points Le circuit de la Figure 3 est un amplificateur large-bande constitué d'un étage collecteurcommun suivi d'un étage base-commune. Cette combinaison d'étages permet d'obtenir une impédance d'entrée relativement grande, une impédance de sortie intermédiaire et un gain de tension relativement grand. L'effet Miller n'intervenant pas dans les configurations collecteur-commun et base-commune, la largeur de bande de ce circuit est plus grande que celle d'un circuit de même gain réalisé avec un ou plusieurs étages émetteur-commun. Ce circuit a donc des caractéristiques semblables à celles d'un amplificateur cascode. Q 1 et Q 2 sont des transistors 2N2222A avec β = 225 et V BE = 0.7 V @ I C = 10 ma. La tension Early de ces BJT est assez grande pour considérer r 0. Les condensateurs C 2 et C 3 peuvent également être considérés infinis. Le signal d'entrée provient d'un capteur d'ultrasons, représenté ici par une source de tension v S et une résistance R S = 50 Ω. La sortie de l'amplificateur est reliée à une résistance de charge R L = 510 Ω. Les autres résistances sont : R B = 10 kω et R C = 510 Ω. Analysez le circuit en procédant comme suit : a) Calculez R E2 pour fixer le courant de polarisation de Q 2 à I CQ2 = 10 ma. b) Dessinez le circuit équivalent petit signal de l'étage base-commune. c) Calculez le gain de tension G BC = v out / v x de l'étage base-commune. d) Calculez la résistance d'entrée R in BC = v x / i x de l'étage base-commune. e) Calculez R E1 pour fixer le courant de polarisation de Q 1 à I CQ1 = 10 ma. f) Dessinez le circuit équivalent petit signal de l'étage collecteur-commun. Attention! La résistance R BC in calculée en d) devient la résistance de charge de l'étage collecteur-commun. Indiquez-la dans votre circuit équivalent et tenez-en compte dans l'analyse qui suivra. g) Développez une expression pour le gain G CC = v x / v in de l'étage collecteur-commun. h) Calculez le gain de tension à mi-bande de l'étage collecteur-commun. (Le terme mi-bande désigne ici des fréquences suffisamment élevées pour que C 1 puisse être considéré infini). i) Calculez la valeur de C 1 pour que celui-ci forme, avec la résistance d'entrée de l'étage collecteur- commun, un filtre passe-haut du 1 e ordre de f C (-3dB) = 10 khz. j) Calculez le gain de tension «effectif» G = v out / v s de cet amplificateur à f >> f C (-3dB). Les professeurs : Michel BERTRAND et Robert GUARDO page 3 de 3