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Sommaire du Chapitre 1 - Les semi-conducteurs 1- La diode 1-1- Symbole 1-2- Constitution 1-3- Sens direct et sens inverse 1-4- Caractéristique courant- tension 1-5- Caractéristique idéalisée 1-6- Modèle équivalent simplifié 2- La LED (Light Emitting Diode : diode électroluminescente) 2-1- Symbole 2-2- Tension de seuil 2-3- Protection 3- La diode Zener 3-1- Symboles 3-2- Caractéristique courant- tension 3-3- Tension Zener 3-4- Caractéristique idéalisée 2

4- Le transistor bipolaire 4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP 4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 4-2-1- Montage émetteur - commun 4-2-2- Tensions et courants 4-2-3- Jonction Base - Emetteur 4-2-4- Transistor bloqué 4-2-5- Transistor passant a- Fonctionnement en régime linéaire b- Fonctionnement en régime de saturation 4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP 4-4- Applications 4-4-1- Fonctionnement en commutation 4-4-2- Fonctionnement en régime linéaire 3

Chapitre 1 Les semi-conducteurs Ce sont des composants fabriqués avec des matériaux semiconducteurs (silicium, germanium ). 4

1- La diode 1-1- Symbole 1-2- Constitution Il s agit d une jonction PN : P désigne un semi-conducteur dopé positivement N ««négativement. 5

1-3- Sens direct et sens inverse 1-4- Caractéristique courant- tension u Fig. 2a i 6

1-5- Caractéristique idéalisée On peut simplifier la caractéristique de la diode de la manière suivante : 1-6- Modèle équivalent simplifié diode «passante» (zone de conduction) : A i>0 0,6 V C diode «bloquée» (zone de blocage) : 7

2- La LED (Light Emitting Diode : diode électroluminescente) C est une diode qui a la propriété d émettre de la lumière quand elle est parcourue par un courant (phénomène d électroluminescence). 2-1- Symbole 2-2- Tension de seuil Couleur Verte, jaune, rouge Infrarouge tension de seuil environ 1,6 V 1,15 V 8

2-3- Protection Une LED supporte un faible courant (quelques dizaines de ma). Exemple : on alimente une LED à partir d une source de tension continue de 12 V. Calculons la valeur de la résistance de protection pour limiter le courant à 10 ma : 12 1,6 = = 1kΩ 10 10 R 3 9

3- La diode Zener La diode Zener est une diode qui a la particularité de pouvoir conduire dans le sens inverse. 3-1- Symboles 3-2- Caractéristique courant- tension u Fig. 4a i 10

3-3- Tension Zener (Ez) C est la tension inverse nécessaire à la conduction en sens inverse. u=ez i>0 La gamme de tension Zener va de quelques volts à plusieurs centaines de volts. 3-4- Caractéristique idéalisée 11

4- Le transistor «bipolaire» Le transistor a été inventé en 1947. 12

4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP Un transistor bipolaire possède trois bornes : la base (B) le collecteur (C) l émetteur (E) E C B Il existe deux types de transistor bipolaire : NPN PNP 13

4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 4-2-1- Montage «émetteur - commun» Ce montage nécessite deux sources de tension : 14

4-2-2- Tensions et courants Le transistor possédant trois bornes, il faut définir trois courants et trois tensions : En fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN par la base et le collecteur et sort par l émetteur. Avec la convention de signe choisie ci-dessus, les courants sont donc positifs. La tension v CE est normalement positive. 15

Relation entre courants loi des nœuds : i E = i B + i C 16

4-2-3- Jonction Base- Emetteur Le transistor est conçu pour être commandé par la jonction B-E : si le courant de base est nul, la jonction B-E est bloquée et on dit que le transistor est bloqué. s il y a un courant de base (dans le sens direct : i B > 0), le transistor est dit passant. Le courant de base est donc un courant de commande. 17

4-2-4- Transistor bloqué La jonction B-E est bloquée : i B = 0 et v BE < 0,6 V Le transistor est bloqué et tous les courants sont nuls : i B = i C = i E = 0 18

4-2-5- Transistor passant La jonction B-E est passante dans le sens direct : i B > 0 et v BE = 0,6 V Le transistor est passant et il y a un courant de collecteur et un courant d émetteur : i C > 0 et i E > 0. Il existe alors deux régimes de fonctionnement. 19

a- Fonctionnement en régime linéaire Le courant de collecteur est proportionnel au courant de base : i C = β i B β est le coefficient d amplification en courant (de quelques dizaines à quelques centaines). β >>1 donc i C >> i B D autre part : i E = i B + i C i E i C 20

b- Fonctionnement en régime de saturation Reprenons la figure 6 : Au dessus d une certaine valeur du courant de base (i B sat), le courant de collecteur «sature» : i B > i B sat : i C = i C sat i B sat = i sat C β 21

La tension v CE est alors très proche de zéro : v CE sat 0,2 V. 22

4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP Par rapport au transistor NPN, le sens des courants et le signe des tensions sont inversés : 23

4-4- Applications 4-4-1- Fonctionnement en commutation En commutation, le transistor est soit saturé, soit bloqué. Exemple : β=100. La tension d entrée peut prendre deux valeurs : 0 V ou 5 V. 24

- circuit de commande : - le circuit de puissance alimente une ampoule qui consomme 1 A sous 6 V : charge Fig. 10c i C circuit de puissance 6 V 25

Analyse du fonctionnement u E = 0 V i B = 0 transistor bloqué i C = 0 ampoule éteinte Vu des bornes C et E, le transistor se comporte comme un interrupteur ouvert : 26

u E = 5 V Un courant de base circule : i B = (5-0,6) /120 =37 ma Ce courant est suffisant pour saturer le transistor car : i B > i B sat = 1 A /100 = 10 ma. v CE = v CE sat 0,2 V Vu des bornes C et E, le transistor se comporte pratiquement comme un interrupteur fermé : ampoule allumée 27

On retiendra qu un transistor est un interrupteur commandable : i B =0 C E 6 V Fig. 11a 28

4-4-2- Fonctionnement en régime linéaire Exemple : principe d un amplificateur de tension β = 130 ; v CE sat = 0,2 V 29

Caractéristique de transfert u S (u E ) - loi des branches : u E = R B i B + v BE (1) E = R C i C + u S (2) - en régime linéaire : v BE = 0,6 V (3) i C = β i B (4) u S = E - βr C (u E - 0,6)/R B A.N. u S (V) = 15-13 (u E - 0,6) 30

Régime linéaire Appliquons en entrée un signal évoluant dans la zone de linéarité : amplification en tension : -12,97/1,031-13 31

Régime non linéaire La sortie est déformée à cause de la saturation (u S = 0,2 V) et du blocage (u S = 15 V) du transistor : il y a écrêtage ( distorsion) 32