Guide de correction TD 6

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Dimension: px
Commencer à balayer dès la page:

Download "Guide de correction TD 6"

Transcription

1 Guid d corrction TD 6 JL Monin nov 2004 Choix du point d polarisation 1- On décrit un montag mttur commun à résistanc d mttur découplé, c st à dir avc un condnsatur n parallèl sur R. La condition d un découplag fficac st qu à la fréqunc du signal utilisé, l impédanc 1/Cω = 1/2πfC du condnsatur soit négligabl (< 1/10) d la résistanc R (soit C > 1.6 µf pour R = 1 kω t f=1 khz par xmpl). La droit d charg statiqu a pour pnt 1/(R C +R ) tandis qu la droit d charg dynamiqu (cll qui sra parcouru par l ptit signal) a pour pnt (plus fort) 1/(R C //R u ) = 1/R L, dans l diagramm v C, i C. La droit d charg dynamiqu coup donc l ax i C plus haut, pour I CC > /( ), t l ax v C moins loin qu. Ls dux droits s coupnt au point d polarisation (V C0, I C0 ). équation d la droit statiqu : i C = v C équation d la droit dynamiqu : i C = I CC v C R L où R L = R C R u /(R C + R u ) ; la droit pass par I CC (ordonné à l origin) t a pour pnt 1/R L. Pour i C = 0, on trouv I CC = V CC /R L. 2- L point d polarisation st choisi au miliu d la droit dynamiqu, autrmnt dit, on a : V C0 = V CC 2 ; I C0 = I CC 2 = V CC 2R L On trouv V CC n fonction d t ds résistancs du montag n écrivant qu l point d polarisation st à l intrsction ds 2 droits d charg, c st à dir qu l on utilis ls égalités ci-dssus n ls injctant dans l équation d la droit statiqu : d où on tir : I C0 = V CC 2R L = V C0 V CC 2( ) 1 1 V CC [ + 2R L 2( ) ] = 1

2 V CC [ + R L R L ( ) ] = 2 t, n simplifiant par : R L V CC = 2 + R L 3- On rmplac R L par R C R u /(R C + R u ) t on fait apparaitr R C /R u t R /R C n divisant au numératur t au dénominatur : R C R u R C +R u V CC = 2 + R CR u R C = 2 + = 2 R C +R u 1 R C 1 + R /R C + 1 Si R u (circuit non chargé, ou par un étag suivant à très haut impédanc), on obtint : V CC = R /R C La dynamiqu d sorti V CC vari d à 0 lorsqu R vari d 0 (court-circuit) à l infini (circuit ouvrt). Si R u = R C (circuit raisonnablmnt chargé, par un impédanc égal à l impédanc d sorti du montag), on obtint : V CC = 3/2 + R /R C La dynamiqu d sorti V CC vari d 3/2 à 0 lorsqu R vari d 0 (court-circuit) à l infini (circuit ouvrt). La dynamiqu d sorti st détrminé par l xcursion d tnsion v C (= v C, puisqu R st découplé) autour du point d polarisation. ll st d autant plus grand qu la pnt d la droit dynamiqu st faibl. A la limit, si R u = 0, on obtint V CC = 0, la droit d charg dynamiqu st vrtical t l xcursion d tnsion n sorti st null (mêm avc un point d polarisation n plin miliu du graph ds caractéristiqus!). Si R u (sorti non chargé), la dynamiqu maximum st égal à. Si l circuit st chargé par un étag suivant réalist, la dynamiqu d sorti st. 3- Dans l idéal, il faudrait avoir R = 0 pour avoir la dynamiqu maximum ; R st utilisé pour ds raisons d stabilité du point d polarisation (contr réaction d émttur). Si on tint compt d la saturation t du blocag, cla réduit la dynamiqu d sorti. L signal st surtout déformé du coté saturation (si V Csat st important). Quant au gain d l amplificatur à émttur commun avc résistanc d émttur découplé, il st égal à : A V = β R C h 11 2

3 Polarisation d dux étags NB. Dans tout l xrcic, ls dux transistors sont supposés avoir l mêm gain n courant h 12 = β = 200. Si ls courants d bas sont négligabls, on a sur la bas d Q 1 : V B1 = R 1 R 1 + R 0 V CC = 3.54 V Alors V 1 = V B1 V B1 = = 2.84 V t on a : I C1 I 1 = V 1 /R 3 = 2.84V/270Ω = 6 ma. On vérifi qu I B1 = I C1 /β 1 = /200 = 30 µa, st négligabl dvant l courant dans R 0 t R 1 : I P 1 = V CC /(R 0 + R 1 ) = 15/ = 520 µa. On calcul égalmnt r b1 = h 1 11 = 26mV/30µA = 870 Ω. On n déduit V C1 n soustrayant la chut d tnsion I C1 à V CC :. D mêm, V C1 = V C1 V 1 = = 6.16 V. V C1 = V CC I C1 = 15 6 = 9 V On a V B2 = V C1 = 9 V. Donc V 2 = V B2 0.7 = 8.3 V. On calcul nsuit I 2 = V 2 /R 4 = 8.3 ma. On vérifi qu I B2 = I C2 /β 2 = /200 = 41 µa st négligabl dvant I C1 = 8.3 ma. On calcul r b2 = 26mV/41µA = 630 Ω. On calcul nfin V C2 = V CC V 2 = = 6.7 V. On établit l schéma équivalnt n ptits signaux global (avc R = R 1 //R 0 = 5.2 kω) : Figur 1: Schéma équivalnt ptits signaux global. Impédanc d ntré On écrit un séri d rlations utils pour ls calculs ds élémnts dynamiqu du montag (A V, Z, Z s ) : i = i + i b = r b1 i b1 + R 3 (1 + β)i b1 = Ri i = i + i b1 = R + [ 1 r b1 + (1 + β)r 3 R + 1 ] (1 + β)r 3 Dans la drnièr équation, on a négligé r b1 = 870 Ω dvant (1 + β)r 3 = 94 kω (à miux qu 1% près). On n déduit l impédanc d ntré du montag : Z = R//(1 + β)r 3 = 4.9 kω. Par aillurs, on put notr pour la suit : i b1 = Impédanc d sorti t gain du montag r b1 +(1+β)R 3 L calcul d l impédanc d sorti pass par l calcul d la tnsion d sorti à vid. On obtint c résultat dirctmnt n chrchant l gain n tnsion du montag à vid. Pour l calcul du gain, on chrch à rlir 3

4 i b2 t i b1 : s = R 4 (1 + β)i b2 i c1 = βi b1 = i b2 i 2 i 2 = r b2 i b2 + s = [r b2 + R 4 (1 + β)]i b2 D où l on tir : βi b1 = i b2 1 [r b2 + R 4 (1 + β)]i b2 = i b2 [1 + r b2 + R 4(1 + β) ] (1) On n déduit : i b2 = βi b1 1 + r b2 + R 4(1+β) = β (r b1 + (1 + β)r 3 )(1 + r b2 + R 4(1+β) ) t l gain A V = s = R 4 (1 + β)β (r b1 + (1 + β)r 3 )(1 + r b2 + R 4(1+β) ) On néglig r b1 (870 Ω) dvant (1 + β)r 3 (94 kω) ; on néglig 1 t r b2 / (630/1000 = 0.63) dvant R 4 (1 + β)/ = 201 t on obtint (n simplifiant au numératur t dénominatur par R 4 t (1 + β)) : A V R 3 2 On gard l calcul s = /R 3 pour la tnsion à vid n sorti. L courant d court-circuit st i cc = (1 + β)i b2. Dans l cas du court-circuit n sorti, la tnsion aux borns d R 4 st null t i 2 = r b2 i b2. On obtint alors βi b1 = i 2 i b2 = i b2 (1 + r b2 / ) i b1 = r b1 + (1 + β)r 3 t on put xprimr i cc n fonction d t on calcul β i cc = (1 + β) 1 + r b2 / r b1 + (1 + β)r 3 Z s = s v i c c = /R 3 (1 + r b2 / )(r b1 + (1 + β)r 3 ) ( ) = 7.5 Ω (1 + β)β tags séparés L montag rvint n fait à rlir un amplificatur à émttur commun (gain < 0, égal au rapport ds résistancs d collctur t d émttur) à un étag collctur commun (gain > 0, proch d l unité). On rtrouvra l gain global par multiplication simpl ds gains -2 t +1 à condition qu l scond étag n 4

5 Figur 2: Schéma équivalnt ptits signaux n dux étags. charg pas l prmir (autrmnt dit qu l impédanc d ntré du scond étag soit nttmnt supériur à l impédanc d sorti du prmir). n rprnant ls notations sur la figur 2, pour l prmir étag, on a : s 1 = βi b1 = (1 + β)i b1 R 3 + r b1 i b1 A V 1 = s = β (1 + β)r 3 + r b1 R 3 = 2 n négligant r b1 = 870 Ω dvant (1 + β)r kω. Pour l duxièm étag : s 2 = (1 + β)i b2 R 4 2 = (1 + β)i b2 R 4 + r b2 i b 2 A V 2 = s 2 2 = n négligant r b2 = 630 Ω dvant (1 + β)r 4 = 201 kω. (1 + β)r 4 (1 + β)r 4 + r b2 1 Ls dux étags sont connctés n séri slon l schéma équivalnt d la figur 3. n tout riguur, l Figur 3: Schéma équivalnt ptits signaux n dux étags. gain global vaut : A V = A V 1 A V 2 Z 2 + Z s1 On aura A V = AV 1 AV 2 si Z 2 Z s1, à caus du pont divisur Z s1 /Z 2. tag 1 L impédanc d ntré d l étag 1 st cll calculé précdmmnt pour l montag global : Z 1 = R//[r b1 + (1 + β)r 3 ] 4.9 kω. L impédanc d sorti st cll d un montag à émttur commun : s v = βi b1 Z 2 5

6 i cc = βi b1 i b1 = r b1 + (1 + β)r 3 β Z s1 = r b1 + (1 + β)r 3 = = 1 kω r b1 + (1 + β)r 3 β tag 2 L courant d ntré st i b2, donc on a : t l impédanc d ntré vaut : 2 = [r b2 + (1 + β)r 4 ]i b2 = Z 2 i b2 Z 2 = r b2 + (1 + β)r kω Z s1 = 1 kω On vérifi qu l 2 étag charg très pu l prmir, t l gain total st égal au produit simpl ds gains ds étags séparés. 6

IMPÉDANCES D ENTRÉE ET DE SORTIE

IMPÉDANCES D ENTRÉE ET DE SORTIE MPÉDNCE D ENTÉE ET DE OTE. DÉFNTON On s plac n régim sinusoïdal forcé. oit Q un quadripôl. Nous allons modélisr c quadripôl n utilisant ls impédancs d ntré t d sorti. quadripôl Q V V. Point d vu du génératur

Plus en détail

Le transistor bipolaire

Le transistor bipolaire L transistor bipolair L'objt d c documnt st d'apportr ls connaissancs t ls méthods nécssairs à la concption d'un étag amplificatur à bas d transistor. On s limitra à l'étud t à l'utilisation du transistor

Plus en détail

Série n 3 d Electrocinétique : Régime sinusoïdal forcé

Série n 3 d Electrocinétique : Régime sinusoïdal forcé Séri n 3 d Elctrocinétiqu : Régim sinusoïdal forcé Exrcic n 1 : Résonanc n tnsion d un circuit RLC parallèl 1.\ Détrminr l équation différntill qui régi l évolution d u(t). 2.\ Exprimr l amplitud complx

Plus en détail

CONTRE REACTION SUR UN AMPLI 5 C.R courant-parallèle. schéma de contre réaction

CONTRE REACTION SUR UN AMPLI 5 C.R courant-parallèle. schéma de contre réaction CONTRE REACTION SUR UN AMPLI 5 C.R courant-parallèl schéma d contr réaction Ig Is grandur d sorti :courant Ig A 0 nœud d courant : Entré // Is CONTRE REACTION SUR UN AMPLI 5 C.R courant-parallèl ouvrtur

Plus en détail

L AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL

L AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL L PLIFICTEU OPÉTIONNEL I. L PLIFICTEU OPÉTIONNEL IDÉL I. Circuit intégré rpèr Un mplificatur Opérationnl (.O.) st un circuit intégré accssibl par V t V 3 + t un born d 8 borns. Il y a dux borns d ntré

Plus en détail

TD 11. Les trois montages fondamentaux E.C, B.C, C.C ; comparaisons et propriétés. Association d étages. *** :exercice traité en classe.

TD 11. Les trois montages fondamentaux E.C, B.C, C.C ; comparaisons et propriétés. Association d étages. *** :exercice traité en classe. TD 11 Les trois montages fondamentaux.,.,. ; comparaisons et propriétés. Association d étages. *** :exercice traité en classe ***exercice 11.1 On considère le montage ci-dessous : V = 10 V R 1 R s v e

Plus en détail

Tension d alimentation : V CC. i C R C R B

Tension d alimentation : V CC. i C R C R B Chapitre 4 Polarisation du transistor bipolaire à jonction 4.1 Le problème de la polarisation 4.1.1 Introduction Dans le chapitre 3, nous avons analysé un premier exemple de circuit d amplification de

Plus en détail

ELECTRICITE. Chapitre 11 Tensions et courants dans les lignes triphasées. Montages étoile et triangle. Analyse des signaux et des circuits électriques

ELECTRICITE. Chapitre 11 Tensions et courants dans les lignes triphasées. Montages étoile et triangle. Analyse des signaux et des circuits électriques ELECTRICITE Analys ds signaux t ds circuits élctriqus Michl Piou Chapitr Tnsions t courants dans ls ligns triphasés Montags étoil t triangl Edition /0/04 Tabl ds matièrs POURQUOI ET COMMENT? DENOMINATION

Plus en détail

On donne le circuit suivant avec une source de tension continue V 1 et une source de tension alternative v 2 (t) sinusoïdale.

On donne le circuit suivant avec une source de tension continue V 1 et une source de tension alternative v 2 (t) sinusoïdale. T d élctroniqu analogiqu A : iods Ex : Analys statiqu / dynamiqu d un circuit On donn l circuit suiant ac un sourc d tnsion continu V t un sourc d tnsion altrnati (t) sinusoïdal. 0 V = 0 V A 0 B = sin(

Plus en détail

MÉTHODES DE RÉSOLUTION DES RÉSEAUX LINÉAIRES EN COURANT CONTINU

MÉTHODES DE RÉSOLUTION DES RÉSEAUX LINÉAIRES EN COURANT CONTINU MÉTHODES DE ÉSOLUTION DES ÉSEUX LINÉIES EN OUNT ONTINU I. DEUX FÇONS DE POSE LE POLÈME On considèr l circuit suivant. Nous chrchons à connaîtr l état élctriqu du circuit, c st à dir connaîtr ls potntils

Plus en détail

TD d électrocinétique n o 4 Circuits linéaires en régime sinusoïdal forcé

TD d électrocinétique n o 4 Circuits linéaires en régime sinusoïdal forcé ycé François Arago Prpignan M.P.S.I. 2012-2013 TD d élctrocinétiqu n o 4 ircuits linéairs n régim sinusoïdal forcé Exrcic 1 - Détrmination ds modèls d Thévnin t d Norton. A Détrminr l modèl d Thévnin t

Plus en détail

LENTILLES EPAISSES LENTILLES MINCES

LENTILLES EPAISSES LENTILLES MINCES AEP / ptiqu géométriqu / Lntills / Pag sur 0 LETILLES EPAISSES LETILLES MICES. Lntill épaiss. Vocabulair Lntill biconvx Lntill équiconvx Lntill biconcav Lntill équiconcav Lntill plan convx Lntill plan

Plus en détail

Université Mohammed Khidher Biskra A.U.: 2014/2015

Université Mohammed Khidher Biskra A.U.: 2014/2015 Uniersité Mohammed Khidher Biskra A.U.: 204/205 Faculté des sciences et de la technologie nseignant: Bekhouche Khaled Matière: lectronique Fondamentale hapitre 4 : Le Transistor Bipolaire à Jonction 4..

Plus en détail

Corrigé du baccalauréat S Pondichéry 13 avril 2011

Corrigé du baccalauréat S Pondichéry 13 avril 2011 Corrigé du baccalauréat S Pondichéry avril EXERCICE Commun à tous ls candidats Parti I points. L ax ds ordonnés st asymptot à C au voisinag d ; la fonction étant décroissant sur ] ; + [, la limit quand

Plus en détail

Master1 Génie des Systèmes Industriels U.E.: Capteurs, Chaînes de mesure 1 ère session 2011-2012

Master1 Génie des Systèmes Industriels U.E.: Capteurs, Chaînes de mesure 1 ère session 2011-2012 Mastr1 Géni ds Systèms Industrils U.E.: Capturs, Chaîns d msur 1 èr sssion 211-212 Cod Unité : 172 Cod épruv : 14977 Samdi 26 Mai 8H -1H Duré : 2 hurs Documnts t Calculatric autorisés Ls partis III t IV

Plus en détail

Concours d entrée en Ingénierie, 2012

Concours d entrée en Ingénierie, 2012 Concours d entrée en Ingénierie, 2012 Nom : Prénom : Test des connaissances professionnelles en électricité-électronique TCP-E Durée : 3 heures 1. Cocher la réponse exacte 1 En continu, une capacité se

Plus en détail

LES MONTAGES AMPLIFICATEURS FONDAMENTAUX A TRANSISTORS BIPOLAIRES

LES MONTAGES AMPLIFICATEURS FONDAMENTAUX A TRANSISTORS BIPOLAIRES LS MONTAGS AMPLIFIATURS FONDAMNTAUX A TRANSISTORS IPOLAIRS Philippe ROUX 2005 AMPLIFIATUR A TRANSISTOR NPN MONT N MTTUR OMMUN 1 PARTI : ONPTION DU MONTAG MTTUR OMMUN On considère le montage donné en figure

Plus en détail

7.B ANNEXE: RÉGULATEURS ANALOGIQUES

7.B ANNEXE: RÉGULATEURS ANALOGIQUES 7.B ANNEXE: ÉGULATEUS ANALOGIQUES 7.B. Généralités Pour réalisr un régulatur analogiqu, on adoptra un montag à amplificatur qui prmt d réalisr la fonction d transfrt souhaité dans un larg gamm d'utilisation.

Plus en détail

( ) PROBLEME 1 : ASSOCIATION DE CIRCUITS RC. 6 septembre 2014. I Réponse indicielle d un circuit RC PC*1 / PC*2 / PC DEVOIR SURVEILLE DE PHYSIQUE N 1

( ) PROBLEME 1 : ASSOCIATION DE CIRCUITS RC. 6 septembre 2014. I Réponse indicielle d un circuit RC PC*1 / PC*2 / PC DEVOIR SURVEILLE DE PHYSIQUE N 1 P* / P* / P DEVOI SUVEILLE DE PHYSIQUE N 6 sptmbr 4 POBLEME : ASSOIATION DE IUITS On analys, à laid dun oscilloscop, l circuit ci-contr comportant un génératur d tnsion E,r ( ), rprésnté dans l cadr pointillé,

Plus en détail

TRANSISTOR BIPOLAIRE

TRANSISTOR BIPOLAIRE I Introduction I.1 Constitution Le transistor bipolaire est réalisé dans un monocristal comportant trois zones de dopage différentes. n p n collecteur base émetteur n C On reconnaît deux jonctions PN p

Plus en détail

Baccalauréat S Métropole 20 juin 2013

Baccalauréat S Métropole 20 juin 2013 Baccalauréat S Métropol 0 juin 0 EXERCICE Commun à tous ls candidats 4 points Puisqu l choix d l arbr s fait au hasard dans l stock d la jardinri, on assimil ls proportions donnés à ds probabilités.. a.

Plus en détail

Le transistor bipolaire, cours Introduction

Le transistor bipolaire, cours Introduction Introduction C cours a été construit pour srvir d support au burau d'étuds visant à réalisr un amplificatur d puissanc audio tout transistor. On put s dmandr, aujourd'hui, l'intérêt d'étudir l transistor.

Plus en détail

CORRIGÉS DES EXERCICES D AUTO-ÉVALUATION

CORRIGÉS DES EXERCICES D AUTO-ÉVALUATION CORRIGÉS DES EXERCICES D AUTO-ÉVALUATION INTRODUCTION MESURE DES CARACTÉRISTIQUES D UN GÉNÉRATEUR DE TENSION : Influence de la résistance du voltmètre de mesure sur l estimation de la résistance interne

Plus en détail

TD12. Association d'étages élémentaires à transistors: émetteur commun collecteur commun; cascode

TD12. Association d'étages élémentaires à transistors: émetteur commun collecteur commun; cascode TD2 Association d'étages élémentaires à transistors: émetteur commun collecteur commun; cascode ***exercice traité en classe ***exercice 2. On donne l association (émetteur commun, collecteur commun) suivante

Plus en détail

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LCTRONIQU ANALOGIQU CALCUL T XPRIMNTATION D UN AMPLIFICATUR A TRANSISTOR BIPOLAIR Joël RDOUTY Mise à jour décembre 2010 AMPLIFICATUR BASS FRQUNC A TRANSISTOR BIPOLAIR L'objectif de ce T est de montrer

Plus en détail

Chapitre 4 : Le transistor Bipolaire

Chapitre 4 : Le transistor Bipolaire LEEA 3 ème A, C. TELLIER, 28.08.04 1 Chapitre 4 : Le transistor Bipolaire 1. Structure et description du fonctionnement 1.1. Les transistors bipolaires 1.2 Le transistor NPN Structure intégrée d'un transistor

Plus en détail

CINÉTIQUE FORMELLE DES RÉACTIONS COMPOSÉES

CINÉTIQUE FORMELLE DES RÉACTIONS COMPOSÉES CINÉTIQUE FORMELLE DES RÉACTIONS COMPOSÉES I OBTENTION GÉNÉRALE DE L ÉQUATION DIFFÉRENTIELLE Dans un réactur, ont liu plusiurs réactions mttant n ju plusiurs spècs Soit A un spèc On va voir sur da un xmpl

Plus en détail

TP HF Manipulation 6 CARACTERISATION D UN AMPLIFICATEUR MICRO ONDE

TP HF Manipulation 6 CARACTERISATION D UN AMPLIFICATEUR MICRO ONDE TP HF Manipulation 6 CARACTERIATION D UN AMPLIFICATEUR MICRO ONDE I. Introduction Ls amplificaturs micro onds sont aujourd hui utilisés dans ls chaîns d transmission ds systèms d télécommunications. Il

Plus en détail

Circuits RL et RC. Chapitre 5. 5.1 Inductance

Circuits RL et RC. Chapitre 5. 5.1 Inductance Chapitre 5 Circuits RL et RC Ce chapitre présente les deux autres éléments linéaires des circuits électriques : l inductance et la capacitance. On verra le comportement de ces deux éléments, et ensuite

Plus en détail

Le transistor bipolaire

Le transistor bipolaire IUT Louis Pasteur Mesures Physiques Electronique Analogique 2ème semestre 3ème partie Damien JACOB 08-09 Le transistor bipolaire I. Description et symboles Effet transistor : effet physique découvert en

Plus en détail

REDRESSEMENT COMMANDE

REDRESSEMENT COMMANDE EDEEMENT COMMANDE I. INTODUCTION..Définition. i Un montag rdrssur commandé prmt d obtnir un tnsion continu réglabl (d valur moynn non null) à partir d un tnsion altrnativ sinusoïdal (d valur moynn null).

Plus en détail

La transformée de Fourier de cette fonction est directe et donne 1 ) T

La transformée de Fourier de cette fonction est directe et donne 1 ) T Efft d l échantillonnag t d la troncation sur l spctr d un signal Ls signaux réls utilisés n physiqu sont d plus n plus souvnt traités d façon numériqu. Pour cla, il st nécssair d échantillonnr l signal.

Plus en détail

SUR LE GAIN DU MONTAGE JFET SOURCE COMMUNE AUX BASSES FREQUENCES

SUR LE GAIN DU MONTAGE JFET SOURCE COMMUNE AUX BASSES FREQUENCES INFLUENCE DU CONDENTEUE DECOUPLGE ET DE LIION UR LE GIN DU MONTGE JFET OURCE COMMUNE UX BE FREQUENCE On conidèr l onta apliicatur ourc coun d la iur qui utili un VG tranitor JFET canal N tl qu : ID = ID(

Plus en détail

dq dt Chapitre 7 : les courants électriques 7.1 Intensité et densité de courant

dq dt Chapitre 7 : les courants électriques 7.1 Intensité et densité de courant Chapitr 7 : ls courants élctriqus 7.1 Intnsité t dnsité d courant Ls courants élctriqus sont produits par l déplacmnt ds porturs d chargs. L courant élctriqu dans un fil st un msur d la quantité d charg

Plus en détail

Introduction : Les modes de fonctionnement du transistor bipolaire. Dans tous les cas, le transistor bipolaire est commandé par le courant I B.

Introduction : Les modes de fonctionnement du transistor bipolaire. Dans tous les cas, le transistor bipolaire est commandé par le courant I B. Introduction : Les modes de fonctionnement du transistor bipolaire. Dans tous les cas, le transistor bipolaire est commandé par le courant. - Le régime linéaire. Le courant collecteur est proportionnel

Plus en détail

Physique Générale IV, solution série 3

Physique Générale IV, solution série 3 Phsiqu Général IV, solution séri 3 Ercic Du virations d mêm fréqunc, slon du as t prpndiculairs, avc un différnc d phas / : (t) = a sin (ωt) M(t) (t) = sin (ωt + /) = cos (ωt) où a t sont ls amplituds

Plus en détail

BANQUE D ÉPREUVES DUT-BTS -SESSION 2015- É P R E U V E D ÉLECTRICITE - ÉLECTRONIQUE CODE ÉPREUVE : 968. Calculatrice et Objets communicants interdits

BANQUE D ÉPREUVES DUT-BTS -SESSION 2015- É P R E U V E D ÉLECTRICITE - ÉLECTRONIQUE CODE ÉPREUVE : 968. Calculatrice et Objets communicants interdits BANQUE D ÉPREUVES DUT-BTS -SESSION 2015- É P R E U V E D ÉLECTRICITE - ÉLECTRONIQUE CODE ÉPREUVE : 968 Calculatrice et Objets communicants interdits Les valeurs numériques seront considérées justes à 10

Plus en détail

SERIE D EXERCICES 25 : THERMODYNAMIQUE : PREMIER PRINCIPE

SERIE D EXERCICES 25 : THERMODYNAMIQUE : PREMIER PRINCIPE Séri d xrcics 5 SERIE D EXERCICES 5 : HERMODYNAMIQUE : PREMIER PRINCIPE ravail mécaniqu ds forcs xtériurs d rssion. Exrcic : cas d un gaz. Soit un mol d gaz subissant un comrssion quasi statiqu t isothrm

Plus en détail

Ondes mécaniques. 1. Corde vibrante Equation des cordes vibrantes Energie de la corde. θ +

Ondes mécaniques. 1. Corde vibrante Equation des cordes vibrantes Energie de la corde. θ + 1 onds méaniqus Onds méaniqus 1 Cord vibrant 11 Equation ds ords vibrants Considérons un ord d longuur indéfini ( qui suppos qu il n y a pas d réflxion t don pas d onditions aux limits), dans ls hypothèss

Plus en détail

Transistor Bipolaire

Transistor Bipolaire LC 3 : TD transistor bipolaire (V 3.0) 1/5 Transistor Bipolaire 1 éseau de caractéristiques Sur le réseau de caractéristiques statiques du transistor 2N2222 (montage émetteur commun) : 1. Déterminer le

Plus en détail

CHAPITRE IX. Modèle de Thévenin & modèle de Norton. Les exercices EXERCICE N 1 R 1 R 2

CHAPITRE IX. Modèle de Thévenin & modèle de Norton. Les exercices EXERCICE N 1 R 1 R 2 CHPITRE IX Modèle de Thévenin & modèle de Norton Les exercices EXERCICE N 1 R 3 E = 12V R 1 = 500Ω R 2 = 1kΩ R 3 = 1kΩ R C = 1kΩ E R 1 R 2 U I C R C 0V a. Dessiner le générateur de Thévenin vu entre les

Plus en détail

Les calculatrices sont interdites

Les calculatrices sont interdites CONCOURS COMMUNS POLYTECHNIQUES Ls calculatrics sont intrdits L épruv st composé d dux problèms indépndants décrivant ls princips physiqus d dispositifs vibrants (microphons t sismograph). Il st consillé

Plus en détail

Les générateurs. 1 Expérience NOM: Date: Prénom: électro

Les générateurs. 1 Expérience NOM: Date: Prénom: électro NOM: Prénom: 1 xpérience Les générateurs Date: électro Prenons une batterie de voiture ou de moto 12. Nous mesurerons la tension aux bornes et le courant qui la traverse en allumant un à un des phares

Plus en détail

Contrôle de TP Dictionnaire & Arbres Binaires mercredi 20 mars 2013 durée : 3h 6 pages

Contrôle de TP Dictionnaire & Arbres Binaires mercredi 20 mars 2013 durée : 3h 6 pages IUT ds Pays d l Adour - RT2 Informatiqu - Modul IC2 - Algorithmiqu Avancé Contrôl d TP Dictionnair & Arbrs Binairs mrcrdi 20 mars 2013 duré : 3h 6 pags Ls programms d corrction orthographiqu ont bsoin

Plus en détail

5ème leçon : L'amplification à transistors, l'analyse petits signaux. I. Séparation polarisation / petits signaux II. Le bipolaire en petits signaux

5ème leçon : L'amplification à transistors, l'analyse petits signaux. I. Séparation polarisation / petits signaux II. Le bipolaire en petits signaux 5ème leçon : L'amplification à transistors, l'analyse petits signaux I. Séparation polarisation / petits signaux II. Le bipolaire en petits signaux Schéma équivalent en petits signaux Paramètres hybrides

Plus en détail

4.2 Instruments. 4.3 Théorie du transistor. Transistor à jonction 1 LE TRANSISTOR À JONCTION

4.2 Instruments. 4.3 Théorie du transistor. Transistor à jonction 1 LE TRANSISTOR À JONCTION Transistor à jonction 1 LE TRANSISTOR À JONCTION 4.1 But de l expérience 1. Tracer la courbe caractéristique d un transistor 2. Afficher la caractéristique à l écran d un oscilloscope 3. Utiliser le transistor

Plus en détail

Diodes et transistors

Diodes et transistors et transistors Seatech - 4A Université de Toulon (UTLN) Plan du cours 1 Semi-conducteurs Silicium non dopé Silicium dopé 2 Principe Utilisation Les diodes particulières 3 Principe de fonctionnement Régime

Plus en détail

DIODES. anode cathode Représentation d une diode : On peut démontrer que la caractéristique de ce dipôle récepteur peut s écrire : qu

DIODES. anode cathode Représentation d une diode : On peut démontrer que la caractéristique de ce dipôle récepteur peut s écrire : qu DIODE I CAACTÉITIQUE D UNE DIODE À FONCTION PN I1 Dio à jonction PN Un io à jonction PN st constitué ux smi-conucturs mêm natur (silicium ou grmanium), opés ifférmmnt : l un typ N (ls élctrons sont ls

Plus en détail

9 / COMPORTEMENT EN FREQUENCE

9 / COMPORTEMENT EN FREQUENCE 9 / COMPORTMNT N FRQUNC MODL DU TRANSISTOR BIPOLAIR N F L modèl du transistor Bipolair vu jusqu'à maintnant présntait un band passant infini : il n'n st rin, bin ntndu : dux à trois élémnts doivnt êtr

Plus en détail

BOUVOT Simon CALVIGNAC Raphaël 3 IMACS groupe E2 AMPLIFICATEUR AUDIO. Professeurs : M. Rocacher, M. Hébib & M. Aimé.

BOUVOT Simon CALVIGNAC Raphaël 3 IMACS groupe E2 AMPLIFICATEUR AUDIO. Professeurs : M. Rocacher, M. Hébib & M. Aimé. BOUVOT Simon CALVIGNAC Raphaël 3 IMACS groupe E2 AMPLIFICATEUR AUDIO Professeurs : M. Rocacher, M. Hébib & M. Aimé 9 Juin 2011 1/25 Ce premier bureau d'étude d'électronique a pour thème la conception et

Plus en détail

Le transistor bipolaire (BJT) en mode linéaire

Le transistor bipolaire (BJT) en mode linéaire Laboratoire 6 ELE2302 - Circuits électroniques Département de Génie Électrique Hiver 2012 Titre Le transistor bipolaire (BJT) en mode linéaire Chargé de laboratoire Nom Mohammed Mekideche Bureau M-5661

Plus en détail

Feuille d exercices : Amplificateur linéaire intégré

Feuille d exercices : Amplificateur linéaire intégré Fuill d xrcic : Amplificatur linéair intégré P Colin 2017/2018 1 Intérêt du montag uivur 1. Détrminr la tnion v t l courant d intnité i dan chacun d montag rprénté ur la figur 1. 50 Ω 50 Ω i 12 V i 100

Plus en détail

ELECTRONIQUE. Exercices de remise à niveau & corrigé

ELECTRONIQUE. Exercices de remise à niveau & corrigé ELECTONIQUE ère année 9/ Exercices de remise à nieau & corrigé saoir : - nalyse nodale, analyse maillée - Théorème de Superposition - Théorème de Théenin et Norton - Impédances complexes en régime sinusoïdal

Plus en détail

L OUTIL BOND GRAPH POUR LA MODELISATION DES SYSTEMES MECATRONIQUES

L OUTIL BOND GRAPH POUR LA MODELISATION DES SYSTEMES MECATRONIQUES L OUTIL BOND GRAPH POUR LA MODELISATION DES SYSTEMES MECATRONIQUES A. NAAMANE La Mécatroniqu Ls bond graphs Pourquoi? Outil d modélisation prformant ; Prmt d bin comprndr ls transfrts d puissanc ; Put

Plus en détail

CHAPITRE VIII : Les circuits avec résistances ohmiques

CHAPITRE VIII : Les circuits avec résistances ohmiques CHAPITRE VIII : Les circuits avec résistances ohmiques VIII. 1 Ce chapitre porte sur les courants et les différences de potentiel dans les circuits. VIII.1 : Les résistances en série et en parallèle On

Plus en détail

BREVET DE TECHNICIEN SUPÉRIEUR ÉLECTROTECHNIQUE SESSION 2011 ÉPREUVE E4.1. Étude d un système technique industriel. Pré-étude et modélisation

BREVET DE TECHNICIEN SUPÉRIEUR ÉLECTROTECHNIQUE SESSION 2011 ÉPREUVE E4.1. Étude d un système technique industriel. Pré-étude et modélisation BREVET DE TECHNICIEN SUPÉRIEUR ÉLECTROTECHNIQUE SESSION 20 ÉPREUVE E4. Étud d un systèm tchniqu industril Duré : 4 Hurs Cofficint : 3 CORRIGÉ ET BARÈME Calculatric à fonctionnmnt autonom autorisé conformémnt

Plus en détail

La page de l'aide mémoire - (ON5HQ) Effet de la fréquence. Caractéristique de réponse en fréquence. Fréquence de coupure.

La page de l'aide mémoire - (ON5HQ) Effet de la fréquence. Caractéristique de réponse en fréquence. Fréquence de coupure. a page de l'aide mémoire - (ON5HQ) Effet de la fréquence. Par définition, la bande médiane d un amplificateur pour alternatif est l intervalle de fréquence dans lequel les condensateurs n ont aucun effet

Plus en détail

MODÉLISATION D UNE SUSPENSION DE VOITURE T.D. G.E.I.I.

MODÉLISATION D UNE SUSPENSION DE VOITURE T.D. G.E.I.I. 1. Modèle de voiture MODÉLISATION D UNE SUSPENSION DE VOITURE T.D. G.E.I.I. Un modèle simpli é de voiture peut être obtenu en supposant le véhicule soumis uniquement à la force de traction u dûe au moteur

Plus en détail

Le transistor bipolaire. Page N 6 Tranlin

Le transistor bipolaire. Page N 6 Tranlin V. Etude d'un montage à 1 transtor. (montage charge répart ac découplage d'émetteur Pour toute la suite, on utilera comme exemple le schéma suivant appelé montage charge répart ac découplage d'émetteur

Plus en détail

La polarisation des transistors

La polarisation des transistors La polarisation des transistors Droite de charge en continu, en courant continu, statique ou en régime statique (voir : le transistor) On peut tracer la droite de charge sur les caractéristiques de collecteur

Plus en détail

La page de l'aide mémoire - (ON5HQ)

La page de l'aide mémoire - (ON5HQ) La page de l'aide mémoire - (ON5HQ) TYPES DE COUPLAGES Il existe plusieurs façons de transmettre un signal de la sortie d'un étage à l'entrée de l'étage suivant. On le fait à l'aide de condensateurs, de

Plus en détail

Physique - électricité : TC1

Physique - électricité : TC1 Ministèr d l Ensignmnt Supériur, d la chrch Scintifiqu t d la Tchnologi Univrsité Virtull d Tunis Physiqu - élctricité : T Ls condnsaturs oncptur du cours: Jilani Lamloumi t Monjia Bn Braik Attntion! produit

Plus en détail

Série 7 : circuits en R.S.F.

Série 7 : circuits en R.S.F. Série 7 : circuits en R.S.F. 1 Documents du chapitre Action d un circuit du 1er ordre sur un échelon de tension et sur une entrée sinusoïdale : Déphasage de grandeurs sinusoïdales et représentation de

Plus en détail

U c U n U 3 I 3. Hacheur

U c U n U 3 I 3. Hacheur G. Pinson - Physique Appliquée Alimentation à découpage 2-TP / 1 2 - ALIMENTATION À DÉOUPAGE Sécurité : manipulation réalisée en TBTS. Principe : générateur de tension (U ) réglable (par ) et régulée,

Plus en détail

jean-marc.routoure@unicaen.fr

jean-marc.routoure@unicaen.fr n u u xq u i m ut a v s r o u o c id s i v d Un long VERS UN ENSEIGNEMENT MIXTE : PARTAGE D EXPÉRIENCES! EXEMPLE D UN DISPOSITIF D ENSEIGNEMENT MIXTE JEAN-MARC ROUTOURE, CORENTIN JOREL, DIDIER ROBBES,

Plus en détail

V e. S e. relative ε r sachant que C = ε 0 ε r

V e. S e. relative ε r sachant que C = ε 0 ε r G. Pinson : Physique Appliquée Couant alternatif ACA-TD / ---------------- ACA-- Soit un circuit RL série, avec R = 0 Ω ; L = 70 mh. Calculer les tensions V R (tension aux bornes de R), V L (tension aux

Plus en détail

2- Le nucléide On appelle un nucléide l'ensemble des atomes dont les noyaux ont même valeur de nombre de charge Z et de nombre de masse A.

2- Le nucléide On appelle un nucléide l'ensemble des atomes dont les noyaux ont même valeur de nombre de charge Z et de nombre de masse A. PHYSIQUE / Unité :2 TRNSFORMTIONS NUCLEIRES I- L noyau atomiqu - L noyau Un noyau st composé d nucléons, qui rassmblnt ls protons t ls nutrons. La rprésntation symboliqu du noyau d un atom st la suivant

Plus en détail

1ère partie : AOP en régime de fonctionnement linéaire. On utilise un AOP à grande impédance d'entrée TL082 alimenté sous ± 12V.

1ère partie : AOP en régime de fonctionnement linéaire. On utilise un AOP à grande impédance d'entrée TL082 alimenté sous ± 12V. G. Pinson - Physique Appliquée Fonction amplification A1-TP / 1 A1 - Fonction amplification 1ère partie : AOP en régime de fonctionnement linéaire On utilise un AOP à grande impédance d'entrée TL08 alimenté

Plus en détail

Les trois questions de l exercice sont indépendantes.

Les trois questions de l exercice sont indépendantes. Pondichéry Avril 00 Séri S Exrcic Un urn contint 0 bouls blanchs t n bouls rougs, n étant un ntir naturl supériur ou égal à On fait tirr à un jouur ds bouls d l urn A chaqu tirag, touts ls bouls ont la

Plus en détail

ÉLECTRONIQUE DES CIRCUITS INTÉGRÉS CIRCUITS EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE DOCUMENT DE SYNTHÈSE

ÉLECTRONIQUE DES CIRCUITS INTÉGRÉS CIRCUITS EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE DOCUMENT DE SYNTHÈSE ÉLECTRONIQUE DES CIRCUITS INTÉGRÉS CIRCUITS EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE DOCUMENT DE SYNTHÈSE Ressources pédagogiques: http://cours.espci.fr/site.php?id=37 Forum aux questions : https://iadc.info.espci.fr/bin/cpx/mforum

Plus en détail

I B. avec β= = gain en courant en émetteur commun 1 α. 7 V (silicium) Université Mohammed Khider Biskra A.U. : 2010/2011. Sciences et Techniques

I B. avec β= = gain en courant en émetteur commun 1 α. 7 V (silicium) Université Mohammed Khider Biskra A.U. : 2010/2011. Sciences et Techniques Unirité Moammd Kidr Bikra A.U. : 200/20 Scinc t Tcniqu lctroniqu fondamntal Bkouc K. L TANSSTO BPOLA (BJT) - Définition : L tranitor ipolair t un ourc d courant commandé n courant. Un tranitor rt à amplifir

Plus en détail

Interpolation & Intégration Numérique. Laydi M.R. Rédaction provisoire 2004-ENS2M

Interpolation & Intégration Numérique. Laydi M.R. Rédaction provisoire 2004-ENS2M Intrpolation & Intégration Numériqu Laydi M.R. Rédaction provisoir 4-ENSM Sommair I Intrpolation Généralités 7. Exmpl introductif......................... 7. Cadr abstrait............................

Plus en détail

Concours d entrée Chimie Durée : 1 heure. Premier Exercice (6 points) Coefficient d ionisation; influence de la dilution

Concours d entrée Chimie Durée : 1 heure. Premier Exercice (6 points) Coefficient d ionisation; influence de la dilution oncours d ntré 004-005 himi Duré : hur Prmir Exrcic (6 points) officint d ionisation; influnc d la dilution I- oncntration d un solution d acid éthanoïqu )-Un litr d un solution d acid éthanoïqu, H H,

Plus en détail

f n (x) = x n e x. T k

f n (x) = x n e x. T k EXERCICE 3 (7 points) Commun à tous ls candidats Pour tout ntir naturl n supériur ou égal à, on désign par f n la fonction défini sur R par : f n (x) = x n x. On not C n sa courb rprésntativ dans un rpèr

Plus en détail

Transferts thermiques

Transferts thermiques IUT d St Dnis Départmnt Géni Industril t Maintnanc Modul THERMb (S2) Transfrts thrmiqus corrction ds xrcics Exrcic 1 01 01 01 01 01 01 01 01 01 01 01 isolant Flux thrmiqu00 11 Flux thrmiqu Rsistanc lctriqu

Plus en détail

4 TP CCP régulièrement donné : Etude d un circuit RLC série

4 TP CCP régulièrement donné : Etude d un circuit RLC série Précision des appareils Appliquer une amplitude s 0 de 800 mv à l oscillo. Déterminer la précision à laquelle on connaît s 0. Est-ce suffisant? Rép L oscillo donne une amplitude qui bouge d environ 2 pour

Plus en détail

XIII. ANALYSE DES FONCTIONS DE TRANSFERT EN REGIME HARMONIQUE LE DIAGRAMMME DE BODE

XIII. ANALYSE DES FONCTIONS DE TRANSFERT EN REGIME HARMONIQUE LE DIAGRAMMME DE BODE XIII. ANALYSE DES FONCTIONS DE TRANSFERT EN REGIME HARMONIQUE LE DIAGRAMMME DE BODE A. ANALYSE D'UNE FONCTION DE TRANSFERT Forme canonique ; Exemple ; Limites ; Fréquence de Coupure ; Bande Passante ;

Plus en détail

SE2 : Electronique analogique Cahier de TD

SE2 : Electronique analogique Cahier de TD SE2 : Electronique analogique Cahier de TD Valentin Gies - Maeva Collet Contents 1 TD 1 : Pré-amplification en petits signaux 3 1.1 Montage émetteurcommun........................... 3 1.1.1 Etude de la

Plus en détail

Etude du circuit RLC. (5,5 points) de plus i = ; on obtient donc : = 0 (1) m /T 2 *cos(2πt/t) Q m* cos(2πt/ T 0 ) = 0 (2)

Etude du circuit RLC. (5,5 points) de plus i = ; on obtient donc : = 0 (1) m /T 2 *cos(2πt/t) Q m* cos(2πt/ T 0 ) = 0 (2) Exrcic I (7 points) Parti A Étud comparativ ds dipôls RL, RC t RLC séri. (1,5 point) Q1 a) Captur + Intrfac + ordinatur ou oscillo à mémoir. Pour visualisr la tnsion u R aux borns du conductur ohmiqu,

Plus en détail

TD01 : Systèmes linéaires, rétroaction (correction)

TD01 : Systèmes linéaires, rétroaction (correction) ycée Naval, Spé. TD : Systèmes linéaires, rétroaction correction Elec9. Signal parasité * a période du signal non parasité est de, s, soit une fréquence f Hz. a fréquence du signal parasite est 5 fois

Plus en détail

ELECTRICITE. Chapitre 7 Théorèmes de superposition, Thévenin et Norton appliqués à un réseau électrique linéaire en alternatif sinusoïdal.

ELECTRICITE. Chapitre 7 Théorèmes de superposition, Thévenin et Norton appliqués à un réseau électrique linéaire en alternatif sinusoïdal. TT nalys ds signaux t ds circuits élctriqus Michl Piou hapitr 7 Théorèms d suprposition, Thévnin t Norton appliqués à un résau élctriqu linéair n altrnatif sinusoïdal. dition /03/04 Tabl ds matièrs POUQUO

Plus en détail

DIMENSIONNEMENT DE L ISOLATION THERMIQUE D UN PLANCHER BAS AVEC DALLE A PLOT. Société : COCHEBAT

DIMENSIONNEMENT DE L ISOLATION THERMIQUE D UN PLANCHER BAS AVEC DALLE A PLOT. Société : COCHEBAT DIMENSIONNEMENT DE L ISOLATION THERMIQUE D UN PLANCHER BAS AVEC DALLE A PLOT Société : COCHEBAT DÉPARTEMENT ENVELOPPE ET REVÊTEMENTS Srvic CLT Division HTO -FL/CR Dat 2006 N affair : Clint sul Vrsion 1

Plus en détail

Laboratoire 6. Le transistor bipolaire (BJT) en mode linéaire. ELE Circuits électroniques. Département de Génie Électrique Hiver 2008.

Laboratoire 6. Le transistor bipolaire (BJT) en mode linéaire. ELE Circuits électroniques. Département de Génie Électrique Hiver 2008. Laboratoire 6 ELE2302 - Circuits électroniques Département de Génie Électrique Hiver 2008 Titre Le transistor bipolaire (BJT) en mode linéaire Professeur Nom Abdelhakim Khouas Bureau M-5416 Téléphone (514)

Plus en détail

CSMA 2013 11e Colloque National en Calcul des Structures 13-17 Mai 2013

CSMA 2013 11e Colloque National en Calcul des Structures 13-17 Mai 2013 Enrichissmnt modal du Slctiv Mass Scaling Sylvain GAVOILLE 1 * CSMA 2013 11 Colloqu National n Calcul ds Structurs 13-17 Mai 2013 1 ESI, sylvain.gavoill@si-group.com * Autur corrspondant Résumé En raison

Plus en détail

MODÉLISATION TEMPORELLE DES SYSTÈMES LINÉAIRES

MODÉLISATION TEMPORELLE DES SYSTÈMES LINÉAIRES MODÉLISATION TEMPORELLE DES SYSTÈMES LINÉAIRES Mis n équation ds systèms linéairs. systèms du prmir ordr équation d la maill: u (t) = u R (t) + u C (t) mpl élctriqu: R i(t) = C du C u R (t) = RC du C u

Plus en détail

ÉLECTRONIQUE DES CIRCUITS INTÉGRÉS CIRCUITS EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE DOCUMENT DE SYNTHÈSE

ÉLECTRONIQUE DES CIRCUITS INTÉGRÉS CIRCUITS EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE DOCUMENT DE SYNTHÈSE ÉLECTRONIQUE DES CIRCUITS INTÉGRÉS CIRCUITS EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE DOCUMENT DE SYNTHÈSE Site Web enseignement : https://intranet2.espci.fr/enseignement/disciplines/?e=elec Forum aux questions : https://iadc.info.espci.fr/bin/cpx/mforum

Plus en détail

Composants à semi conducteurs : Transistor bipolaire

Composants à semi conducteurs : Transistor bipolaire Électronique 1 Composants à semi conducteurs : Transistor bipolaire 1 Structure d un transistor bipolaire Constitué de 2 Jonctions PN 2 types de transistors : PNP et NPN Base : peu dopée, très mince, quelques

Plus en détail

ARRETE N 005/MINESUP/F120

ARRETE N 005/MINESUP/F120 ARRE N 005/MINESUP/F120 28 janvir 1993 Fixant ls Domains d Formation t ls Conditions d Admission à l Institut Univrsitair d Tchnologi d l Univrsité d Douala. LE MINSTRE DE L ENSEIGNEMENT SUPERIEUR VU la

Plus en détail

Aujourd hui commence le concours de pêche.

Aujourd hui commence le concours de pêche. Livrt d règls Carts Actions Un ju d Nicolas Mlt Carts Rivièr L ju : Aujourd hui commnc l concours d pêch. Chacun tnt d réalisr la millur pêch possibl tout n évitant ls détritus qui pollunt parfois la rivièr.

Plus en détail

Bonjour par içi, me revoila pour un petit sujet, sur la polarisation des transistors cette fois...

Bonjour par içi, me revoila pour un petit sujet, sur la polarisation des transistors cette fois... Bonjour par içi, me revoila pour un petit sujet, sur la polarisation des transistors cette fois... En quoi cette notion de polarisation du transistor est-elle si importante? Et bien elle va permettre de

Plus en détail

ETAPE 3 : Modélisation d un pignon arbré patron

ETAPE 3 : Modélisation d un pignon arbré patron ETAPE 3 : Modélisation d un pignon arbré patron Il s agit ici d un cas d paramétrag fonctionnl, étant donné qu l résultat obtnu sra un famill d solutions (arbr qui transmt ou non un coupl n sorti avc un

Plus en détail

TS Exercices sur la fonction exponentielle (1)

TS Exercices sur la fonction exponentielle (1) TS Ercics sur la fonction ponntill () 4 a. 4 4 b. Simplifir ls prssions suivants : p( ) a. A = p () p () b. B = p () p ( ) c. C p( ) d. D p( ) 4 5 6 (on pourra posr X ) 4 Simplifir ls prssions suivants,

Plus en détail

RETROACTION NEGATIVE DE L AMPLIFICATEUR

RETROACTION NEGATIVE DE L AMPLIFICATEUR RETROCTION NEGTIVE DE L MPLIFICTEUR Philipp ROUX 24 RETROCTION NEGTIVE DE L MPLIFICTEUR. PRINCIPE DE L RETROCTION NEGTIVE Pour s placr dans l cas général on considèrra un ampliicatur ayant un onction d

Plus en détail

CORRECTION TP Multimètres - Mesures de résistances - I. Mesure directe de résistors avec ohmmètre - comparaison de deux instruments de mesure

CORRECTION TP Multimètres - Mesures de résistances - I. Mesure directe de résistors avec ohmmètre - comparaison de deux instruments de mesure Introduction CORRECTION TP Multimètres - Mesures de résistances - La mesure d une résistance s effectue à l aide d un multimètre. Utilisé en mode ohmmètre, il permet une mesure directe de résistances hors

Plus en détail

TD N 1 : transistor bipolaire

TD N 1 : transistor bipolaire Exercice 1 TD N 1 : transistor bipolaire ETUDE STATIQUE VB = 0 On choisit VB et RC et RE pour avoir un point de repos V CE0 =7.5V 1. Donner l expression de la droite charge statique Ic = f(v CE ) ETUDE

Plus en détail

Daniel Abécassis. Année universitaire 2010/2011

Daniel Abécassis. Année universitaire 2010/2011 Danil bécassis. nné univrsitair 00/0 COURS L UE Chimi Physiqu. Chapitr VII : Chimi analytiqu. Calcul du ph VII.. Transormations associés à ds réactions acido-basiqus. Dans c paragraph, nous allons étudir

Plus en détail

EXERCICES. Exercice 2 Sachant que R 1 = 2.5kΩ et R 2 = 25kΩ, trouvez le gain de l ampli-op suivant :

EXERCICES. Exercice 2 Sachant que R 1 = 2.5kΩ et R 2 = 25kΩ, trouvez le gain de l ampli-op suivant : EXERCICES Exercice 1 Sachant que = 2.5kΩ et = 45kΩ, trouvez le gain de l ampli-op suivant : Exercice 2 Sachant que = 2.5kΩ et = 25kΩ, trouvez le gain de l ampli-op suivant : Exercice 3 Sachant que = 1kΩ,

Plus en détail

CONCEPTION ET CALCUL DES COUVRES- JOINTS DE CONTINUITE Continuité : cette solution rationalise souvent les sections.

CONCEPTION ET CALCUL DES COUVRES- JOINTS DE CONTINUITE Continuité : cette solution rationalise souvent les sections. CONCEPION E CALCUL DES COUVRES- JOINS DE CONINUIE Continuité : ctt solution rationalis souvnt ls sctions. Pour ls panns on put avoir dux solutions : Continuité réalisé par la pann ll mêm. Par xmpl pann

Plus en détail

Amplification des signaux de commande des diodes PIN dans les antennes Doppler

Amplification des signaux de commande des diodes PIN dans les antennes Doppler Amplification des signaux de commande des diodes PIN dans les antennes Doppler Jean-Paul YONNET F1LVT / ADRASEC 38 F1LVT@yahoo.fr Dans les antennes Doppler, 4 (ou 8) fouets quart d onde sont commutées

Plus en détail

FORCE PRESSION CHAMP MAGNETIQUE...

FORCE PRESSION CHAMP MAGNETIQUE... OCE PEON CHAMP MAGNETQUE 1)Efft Pizzo Elctriqu Un forc appliqué à un lam d quartz induit un déformation qui donn naissanc à un tnsion élctriqu - CAPTEU À EET PÉZOÉLECTQUE 1- Efft piézoélctriqu Un forc

Plus en détail