optoélectronique et le photovoltaïque Responsable L. Escoubas, campus Saint Jérôme

Transcription

1 Permanents Jacques Dugas, professeur, Université Paul Cézanne Ludovic Escoubas, professeur, Université Paul Cézanne François Flory, professeur, Ecole Centrale Marseille Santo Martinuzzi, professeur émérite, Université Paul Cézanne Laurent Ottaviani, maître de conférences, Université Paul Cézanne Olivier Palais, maître de conférences, Université Paul Cézanne Marcel Pasquinelli, professeur, Université Paul Cézanne Isabelle Périchaud, maître de conférences, Université Paul Cézanne Jean-Jacques Simon, maître de conférences, Université Paul Cézanne Philippe Torchio, maître de conférences, Université Paul Cézanne François Warchol, technicien, Université Paul Cézanne

2 Ali Igoudjilène ATER, post-doc, doctorants et stagiaires Renaud Bouffaron, doctorant Julien Degoulange, doctorant Sébastien Dubois, doctorant Florent Monestier, doctorant Vanessa Vervisch, doctorante David Duché, M2 recherche Omar Ben Amara, M2 Recherche Kiroubanan Sankaran, M1 Minelec Julie Fouet, M1 Minelec Michel Kazan, postdoc Damien Pailhon, BTS Ali Igoudjilène, postdoc Assemblée générale de l IMNP 31 mai 2

3 Conversion Photovoltaïque Photovoltaique Si : - Réalisation et amélioration - Modélisation - Caractérisation (Technique µw-ps) 1 brevet (UPCAM) ANR : PHARE, SICLADES, REDUCOP, DUOSIL Projet MULTIXEN labellisé par Capénergies Photovoltaique organique : - Modélisation - Utilisation de micro/nano structures - Caractérisation Groupement National Nanorgasol ANR : Nanorgysol Projet SPARCS labellisé par Capénergies Thèse de F. Monestier Thèse de D. Duché (démarrage sept 2) Thèse de V. Vervisch Thèse de S. Dubois Thèse de J. Degoulange Assemblée générale de l IMNP 31 mai 2

4 Si multicristallin brut type p dopé bore ( cm -3 ) PV Silicium τ b (µs) S (cm.s -1 ) hν>eg 1 Grand gap Eg 1 hν Eg 1 >hν>eg 2 Cartographies de durée de vie volumique et de vitesse de recombinaisons de surface d un échantillon de silicium multicristallin Polix brut. Cartographies de durée de vie volumique et de vitesse de recombinaison Petit gap Eg 2 Couche Si nanostructuré à 1.7eV Ex: DUOSIL Couche Si monocristallin à 1.1eV Assemblée générale de l IMNP 31 mai 2

5 Light Substrate ITO PEDOT PFDTBT C6 Al z ITO 3 25 Epaisseurs (A ) longueur d'onde (A ) Non optimized Structure PV Organique ITO 2 PEDOT PEDOT 15 PFDTBT PFDTBT C6 C6 1 5 Al Al Optimized Structure Optimisation du champ EM dans une cellule PV organique λ (Å) 1-2 nm Remplissage accepteur électron 1-2 nm Electrode Nano-velour Substrat/ITO Puis dépôt électrode Assemblée générale de l IMNP 31 mai 2

6 Matériau et composants SiC Passivation par hydrogénation Détecteurs UV ARCSIS/Cremsi n 82 (IBS) Post-doc Michel Kazan Post-doc Ali Igoudjilène Optoélectronique AR Structuraux pour l IR Projet REI (DGA Thalès) Thèse de R. Bouffaron (DGA) µcapteurs optiques à gaz (Kloé, équipe Microcapteurs, Univ Montp 2) 2 brevets (UPCAM) Composants hybrides passifs/actifs (LPMC/Moduloptic/Kloé) sur LiNbO 3 pour la modulation haute fréquence Thèse de T. Mangeat Projet FIRE «Détection précoce du rayonnement IR d'incendies de forêt» (labellisé par pôle SCS et pôle RISQUE ) Projet PLATON (labellisé par pôle OPTITEC demande CR PACA) Assemblée générale de l IMNP 31 mai 2

7 Diode en commutation,1-1,e-,e+ 1,E- 2,E- 3,E- 4,E- 5,E- 6,E-,5 Optoélectronique Voltage (V) -,5 -,1 -,15 3 C-annealed 4 C-annealed -,2 -,25 -,3 Recuit H 2 4 C Low Dose Indirect Plasma Virgin Time (s) Effets de la passivation par H 2 sur diode SiC [1] [1] R % AR structural pour l infrarouge Assemblée générale de l IMNP 31 mai 2