Caractérisation par Microscopie en Champ Proche Optique de Composants de l Optique Intégrée

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1 N d ordre Année 2003 Thèse Caractérisation par Microscopie en Champ Proche Optique de Composants de l Optique Intégrée A Présenter devant L institut national des sciences appliquées de Lyon Pour obtenir Le grade de docteur École doctorale : École doctorale Matériaux de Lyon Spécialité : Matière Condensée, Surfaces et Interfaces Par Matthieu MARTIN A Soutenir le 18 décembre 2003 devant la Commission d examen Jury Mr. P. BENECH Professeur (INP Grenoble) Rapporteur Mr. B. JACQUIER Directeur de recherche (CNRS) (UCBL) Rapporteur Mr. P. ROYER Professeur (UTT) Examinateur Mme A. TALNEAU Chargé de recherche (CNRS) (LPN) Examinatrice MR. G. GUILLOT Professeur (INSA de Lyon) Examinateur Mr. T. BENYATTOU Chargé de recherche (CNRS) (INSA de Lyon) Directeur de thèse

2 Caractérisation par Microscopie en Champ Proche Optique de Composants de l Optique Intégrée Résumé Sujet de recherche en pleine expansion, les composants de l optique intégrée souffraient jusqu à ces dernières années du manque d une technique de caractérisation complète et non-destructive. Ce travail de thèse a pour principal but de démontrer l extrême intérêt que présente la microscopie en champ proche optique pour la caractérisation de ces composants fonctionnant dans le domaine des longueurs d ondes des télécommunications [ µm]. Nous commençons par de brefs rappels sur la théorie de l électromagnétisme nécessaires à la compréhension des études menées en champ proche optique ainsi que par l exposé des concepts de base de la microscopie en champ proche optique. Notre travail se focalise ensuite sur la description de notre appareillage de champ proche et notamment sur les modifications que nous lui avons apportées en vue de son utilisation spécifique pour la caractérisation de composants de l optique intégrée. Nous présentons ensuite nos études menées sur des composants basés sur le principe des interférences multimodes (MMI), fabriqués par échange d ions sur verre et conçus pour la recombinaison de faisceaux issus de télescopes astronomiques. Nous montrerons alors que la microscopie en champ proche optique permet une caractérisation précise de ce type de composants et un retour fin sur les paramètres physiques déterminant le comportement de ces structures (contraste d indice, excitation modale, paramètres géométriques ). Nous présentons en perspectives, les premières mesures effectuées sur des composants nano-photoniques où nous avons mis en évidence la présence d une onde de Bloch se propageant au sein d un guide à base de cristaux photoniques. Mots-clés : Microscopie en champ proche optique Optique de champ proche SNOM Optique intégrée Composants Interférences multimodes MMI Guide d onde Optique intégrée sur verre simulation Méthode des faisceaux propagés BPM.

3 Optical Integrated Devices Characterization by Scanning Near-field Optical Microscopy Abstract The increasing complexity and decreasing sizes of today s integrated optics devices raises the need for a characterization technique that gives a real insight of the intrinsic behavior of those devices. This work aims to demonstrate the extreme valuableness of scanning near-field optical microscopy (SNOM) for the characterization of integrated optics devices working in the range of telecommunication wavelength [ µm]. A brief overview of the electromagnetism theoretical background needed for a good understanding of near-field optical studies is given and the basic concepts of near-field scanning optical microscopy are described. Our work then focuses on the description of our technical implementation of a near-field optical experiment specifically applied to the study of photonic devices in the telecommunication wavelength range. Near-field optical studies of multimode interference (MMI) based devices, made by ion exchange on glass substrate and designed for astronomical telescope recombination, are then performed. The resulting electromagnetic field maps are deeply analyzed and compared to Beam Propagation Method (BPM) type simulation. We then show that SNOM allows us to accurately determine the physical parameters influencing the devices behavior (index contrast, mode excitation, geometrical parameters ). We also present as perspectives to this work some primal measurements on very low size photonic devices revealing resolution better than λ/10 and identifying Bloch waves inside a photonic crystal based waveguide. Key words: Scanning near-field optical microscopy Near-field optics SNOM Integrated optics Photonic devices Multimode Interference MMI Optical Waveguide Integrated optics on glass substrate simulation Beam Propagation Method BPM.

4 Introduction

5 Observer et comprendre le monde jusqu à ces éléments les plus fins constituent une quête perpétuelle de la recherche scientifique. L homme qui jusqu au XIX ème siècle voyait son champ d observation limité à ce que pouvait détecter l œil, accède, à travers l invention du microscope, à un monde jusqu alors inconnu. La première barrière vers le nano-monde est franchie. Très rapidement, cependant, la loi de la diffraction établie par Abbe impose une limite fondamentale : ne peuvent être observés que les objets dont la dimension est de l ordre de la longueur d onde. Cette nouvelle barrière a été le facteur motivant le développement de nouvelles techniques de microscopie. Ainsi ont vu le jour les microscopes électroniques à balayage et à transmission ou encore, plus récemment, les microscopes dits à sondes locales tels que le microscope à effet tunnel ou le microscope à force atomique. Ces nouvelles techniques donnent accès à une observation à l échelle nanométrique, voire atomique. Ce gain drastique en résolution se fait cependant au détriment de certains avantages que seule procure la microscopie optique. La quête d une meilleure résolution par voies optiques n a donc pas pour autant été abandonnée et c est cette quête qui a conduit au développement de la microscopie en champ proche optique. En utilisant les bases établies des microscopies à sonde locale, afin d outre passer la limite de diffraction, cette technique nous donne un accès à de hautes résolutions sans compromettre les avantages liés à la microscopie optique conventionnelle (sensibilité, flexibilité, accès aux mesures spectrales ). L interaction de la lumière avec un objet résulte dans la génération de deux composantes. La première, appelée composante de champ lointain et qui correspond aux basses fréquences spatiales (i.e. contours grossiers) de l objet, est constituée d ondes propagatives et c est elle qui est détectée en microscopie conventionnelle. La seconde est appelée composante de champ proche. Elle correspond aux détails fins de l objet (hautes fréquences spatiales) et est confinée dans le proche voisinage de l objet (d où le nom de champ proche). C est en détectant et utilisant cette composante évanescente de la lumière, qui reste inaccessible en microscopie classique, que la microscopie en champ proche optique permet d atteindre des résolutions en deçà de celle imposée par la diffraction. Ce pouvoir de résolution accru a fait de la microscopie en champ proche optique un outil de plus en plus prisé dans de nombreux domaines et pour d innombrables applications. Mais, outre son grand pouvoir de résolution, la microscopie en champ proche optique est extrêmement intéressante de part son principe même de fonctionnement. Sa capacité à détecter le champ évanescent en surface d un échantillon rend notamment cette technique particulièrement attractive pour l étude de composants de l optique intégrée. Apparue dans les années 70, cette discipline est à l optique ce que la microélectronique est à l électronique. Elle vise la transposition de dispositifs de l optique de volume sous une forme équivalente miniaturisée où différentes fonctionnalités optiques de base sont combinées et intégrées sur une même puce optique. Le but étant de réduire les coûts de fabrication et l encombrement. Cette discipline voit son application majeure dans le domaine des télécommunications (routage, multiplexage/démultiplexage) mais s insère également dans de nombreux autres domaines (interconnexions optiques, interférométrie, capteurs ). La caractérisation des dispositifs de l optique intégrée se fait usuellement par voie indirecte, la lumière se propageant au sein de ces composants n étant pas accessible directement. La méthode la plus courante consiste en des mesures de transmission. La lumière est injecté à l entrée du composant et analysée en sortie, après propagation. Le comportement interne du dispositif reste alors inconnu. De plus, de telles mesures ne permettent qu une caractérisation globale de dispositifs parfois complexes et pouvant 2

6 Introduction présenter plusieurs fonctionnalités en cascade. Chacune de ces fonctions doit alors être caractérisée séparément ce qui, d une part, nécessite plusieurs composants et d autre part, ne permet pas d étudier l effet réciproque d une fonction sur l autre. Le comportement interne des composants peut néanmoins être obtenu mais cela nécessite l utilisation de méthodes destructives. D autre méthodes de caractérisation peuvent être envisagées, notamment l observation via une caméra de la surface du composant. Cette technique ne s avère cependant efficace que pour des structures présentant de fortes pertes dans la direction verticale ce qui, généralement, n est pas souhaitable. Ainsi, la capacité qu a la microscopie en champ proche optique de détecter le champ évanescent associé aux modes guidés et présent en surface des structures guidantes procure à cette technique un véritable avantage par rapport aux méthodes mentionnées précédemment. L obtention de la carte du champ propagé nous donne en effet accès, de manière non destructive, aux informations liées au fonctionnement interne des dispositifs ce qui est sans précédent et constitue la motivation première du développement de la microscopie en champ proche optique appliquée à l étude de composants de l optique intégrée. C est dans ce vaste domaine que s inscrit ce travail de thèse. Notons toutefois que diverses études ont déjà été menées dans ce champ d application. Cependant, la plupart d entre elles ont été effectuées dans le domaine des longueurs d onde visibles et très peu a encore été entrepris dans le domaine des longueurs d onde des télécommunications [1.3, 1.55 µm] qui constitue le cadre de ce travail. L analyse et la compréhension des phénomènes observés en champ proche optique sur des structures de l optique intégrée nécessite en premier lieu la connaissance de quelques notions fondamentales de la propagation des ondes électromagnétiques (onde plane électromagnétique, équation de propagation, réflexion totale, modes guidés ). Le premier chapitre de ce manuscrit a pour but d introduire ces notions à travers quelques rappels sur les équations de Maxwell. Nous introduirons également dans ce chapitre la description de deux outils (la méthode de l indice effectif et la simulation par BPM) très couramment utilisés en optique intégrée pour la modélisation et la simulation des structures. Ces outils nous permettrons par la suite une confrontation directe de nos mesures avec la théorie. Le deuxième chapitre nous permettra d établir d un point de vue théorique les concepts de base de la microscopie en champ proche optique. Les notions de champ proche et de champ lointain seront abordées et nous verrons comment il est possible d accéder aux informations contenues dans le champ proche d un objet malgré le caractère non-propagatif des ondes constituant ce dernier. Ceci nous permettra d établir le principe de fonctionnement sur lequel se basent nos mesures : la détection de la partie évanescente des modes guidés. Le chapitre trois est consacré à la mise en pratique de nos expériences de champ proche optique. Après avoir décrit brièvement les divers modes de fonctionnement d un microscope à champ proche optique et les briques de bases le constituant, nous détaillerons notre approche du sujet. Nous présenterons notamment les modifications que nous avons apportés à notre appareillage afin de le faire évoluer vers un système dédié à l étude de composants de l optique intégrée. 3

7 Introduction Nous nous attacherons, dans le quatrième chapitre, à l étude approfondie de structures de l optique intégrée : les imageurs à base de section multimode fabriqués par échange d ions sur verre. Nous commencerons par un rappel théorique sur le fonctionnement de ce type de structures et une brève introduction de la technique de fabrication des guides optiques intégrés sur verre par échange d ions. L intérêt, à notre égard, de cette technique de fabrication réside dans le fait que les variations de l intensité du champ propagé sont lentes, ce qui permet une cartographie précise sans pousser la résolution de l appareillage dans ces derniers retranchements. La microscopie en champ proche optique étant une thématique nouvelle au laboratoire, le but de ces études était, en premier lieu, la validation de l intérêt que présentent des mesures SNOM sur ce type de composants. Nous montrerons, à travers l analyse de trois structures de complexité croissante que la microscopie en champ proche optique est un outil inégalable pour la caractérisation de structures de l optique intégrée car elle donne accès à de nombreuses informations contenues dans la carte du champ propagé et donc inaccessibles par des méthodes classiques. Nous verrons notamment que l étude d un guide droit faiblement multimode permet l analyse de l excitation modale de la structure. Des structures imageurs plus complexes seront ensuite étudiées en détail et nous verrons que la cartographie de champ proche optique permet un retour fin sur les paramètres physiques qui définissent ces structures (contraste d indice, paramètres géométriques, influence de l excitation ). Enfin, une conclusion générale fera le point et nous présenterons les perspectives ouvertes par ce travail. 4

8 Chapitre 1 : RAPPELS SUR LES EQUATIONS DE MAXWELL

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10 Conclusion et Perspectives : VERS L ETUDE DE COMPOSANTS NANOPHOTONIQUES Origine des pertes Nous attribuons les pertes observées sur l image globale reportée sur la Figure p-3 à deux sources différentes. Les points de surintensité observés aux niveaux des inversions de courbure des virages sont attribués aux pertes, au niveau des virages, du mode fondamental localisée dans le silicium. La Figure p-6 présente les mesures d intensité (en db) effectuées au niveau de ces points de surintensité, tracées en fonction du nombre de virages. La pente de la courbe nous permet de quantifier les pertes liées à l énergie guidée dans le silicium dans cette zone de virages : PertesSi = 0.12 ± 0.02 db / virage (1) Cette valeur est en excellente corrélation avec celle obtenue par des mesures effectuées en transmission sur ces échantillons par N. Schnell dans le cadre de son travail de thèse. Figure p-6 : Atténuation de l intensité propagée en fonction du nombre de virages. En ce qui concerne la halo plus large observé, nous avons pu l attribuer à un des modes fuyants que nous avons calculé et les pertes associées à ce mode sont de 130 ± 10 db/cm. Cette valeur est en excellent accord avec les mesures effectuées en champ libre par N. Schnell et les résultats des simulations concernant ce mode. Nous voyons donc ici tout l intérêt de l étude par microscopie en champ proche optique de ce type de composants. Nous pouvons en outre noter qu un autre attrait de cette technique, par rapport aux méthodes de mesures classique, est le fait de pouvoir observer une zone ciblée de l échantillon et d effectuer des mesures sur celle-ci tout en s affranchissant d éventuels dysfonctionnement du composant dans une zone en amont de celle observée. Dans notre cas, par exemple, nous avons également imagé la jonction Y précédent la zone des virages. Nous avons pu observer une très forte asymétrie dans la séparation du signal issu de la jonction. 68 % de la lumière se couple sur le bras contenant les virages et seulement 32 % est couplée dans le bras de référence. Une telle asymétrie rend impossible la mesure de perte par transmission. La microscopie en champ proche optique, elle, permet de se libérer de ce dysfonctionnement et, en outre, de faire un retour sur les mesures en transmission par l évaluation de cette asymétrie. 141

11 Conclusion et Perspectives : VERS L ETUDE DE COMPOSANTS NANOPHOTONIQUES STRUCTURES A BASE DE CRISTAUX PHOTONIQUES Les cristaux photoniques sont des structures dont l indice diélectrique varie de manière périodique à l échelle de la longueur d onde sur une ou plusieurs directions de l espace. Cette variation de l indice optique suivant les différentes directions entraîne l apparition de gammes de fréquence pour lesquelles la lumière ne peut alors plus se propager. Par analogie avec la propagation des électrons dans un cristal, ces bandes de fréquences sont nommées bandes interdites photoniques. La réalisation d une périodicité sur toutes les directions de l espace peut ainsi permettre de réfléchir une onde lumineuse quelque soit son angle d incidence et sa polarisation. Le cas d un cristal photonique à trois dimensions, s il a été proposé théoriquement, reste cependant difficile à réaliser technologiquement. En revanche, le cas à une dimension est facilement mis en œuvre et a déjà été grandement employé, il s agit du miroir de Bragg. Un cristal photonique à deux dimensions est quant à lui réalisé par un motif périodique triangulaire de piliers semiconducteur dans l air ou de trous d air dans un matériau semiconducteur. La deuxième solution est cependant la plus employée de part sa plus grande facilité d implémentation technologique. Un des attraits de ce genre de structures repose sur l insertion contrôlée de défauts au sein du cristal lors de sa fabrication. Ainsi, le retrait d une (ou plusieurs) rangée(s) entière(s) de motifs génère des états au sein de la bande interdite qui peuvent être le support d un champ électromagnétique propagatif. Autrement dit, l apparition d un défaut linéique dans le cristal forme un guide d onde (voir Figure p-7). L espacement et les rayons des trous considérés étant de l ordre d une fraction de longueur d onde, les guides d ondes formés présentent des dimensions sub-microniques. L intérêt de l utilisation de la microscopie en champ proche optique pour l observation de telles structures se fait alors pressentir. Figure p-7 : Vu schématique d un cristal photonique à deux dimensions composé de trous d air dans un matériau semiconducteur. Le motif périodique est triangulaire et un défaut linéique (une rangée de trous manquante) permet le guidage de la lumière. Au cours de ce travail de thèse nous avons initié une étude sur les guides d onde à base de cristaux photoniques. Une observation préliminaire consistait en la mise en évidence du guidage au sein d un guide formé par le retrait d une seule ligne de motifs. Ces guides sont alors nommés W1. 142

12 Conclusion et Perspectives : VERS L ETUDE DE COMPOSANTS NANOPHOTONIQUES Description de la structure La structure que nous avons étudiée consiste en un motifs périodique triangulaire de trous d air dans une matrice d InP dont une rangée de trous a été omise. Le confinement latéral de la lumière s effectue donc par le cristal. Le confinement vertical est quant à lui obtenue grâce à une structure multicouche dont l empilement est schématisé sur la Figure p-8. Le cœur du guide est constitué d une couche de GaInAsP de 480 nm d épaisseur déposée sur un substrat d InP. La structure est ensuite recouverte de 200 nm d InP. Les motifs des trous gravés ont une période de 360 nm pour un diamètre de trous d environ 230 nm. Le motif est gravé sur une profondeur avoisinant 3 µm. Une telle profondeur est nécessaire pour que les parois des trous soient les plus verticales possibles au niveau de la couche guidante de GaInAsP. Figure p-8 : Empilement multicouche permettant le confinement vertical de la lumière. Le cœur du guide est constitué de GaInAsP. Le motif triangulaire présente une période de 360 nm. Les trous ont un diamètre de 230 nm et la profondeur de gravure avoisine les 3 µm. L injection directe de lumière dans le cristal ne permettant un couplage au mode guidé suffisant, un guide de type ridge est utilisé pour remplir cette fonction. Le guide accède alors à la partie du dispositif contenant le cristal. Les dix premières rangées du cristal au niveau du guide forment une transition adiabatique permettant l adaptation du mode guidée dans le ridge vers le guide W1. Cette transition consiste en une série de trous de diamètres croissants permettant de réduire la taille du guide dans le cristal de 3 à 1 rangée. Une partie de cette transition est visible sur l image topographique reportée sur la Figure p-9a. Mise en évidence du guidage de la lumière. Les images obtenues sur ces guide W1 sont présentées sur la Figure p-9. L image topographique présente une excellente résolution. Les trous ainsi que les espacements entre ces derniers sont clairement définis et l on peut estimer la résolution topographique comme étant inférieure à 150 nm. Une zone zoomée de 2x2 µm² est également reportée sur laquelle nous pouvons reconnaître le motif triangulaire élémentaire. Nous remarquons en outre une légère oscillation verticale de la pointe dans le sens du balayage (de la gauche vers la droite). 143

13 Conclusion et Perspectives : VERS L ETUDE DE COMPOSANTS NANOPHOTONIQUES (a) Figure p-9 : Images topographique (a) et optique (b) du guide W1 et zooms (2x2 µm²) correspondant à la zone marquée d un carré blanc. (b) L image optique, quant à elle, présente également quelques singularités intéressantes. Nous pouvons notamment noter la présence de points de surintensité espacés périodiquement qui semblent correspondre avec les bords du guide. Cette délimitation du guide laisse présager que la lumière est effectivement guidée par ce dernier. Notons en outre que l image optique présente également une très bonne résolution. Certains points de surintensité de diamètres d une centaine de nanomètres sont en effet clairement visibles, la résolution optique peut donc être estimée comme étant inférieure à λ/10. Nous ne pouvons cependant pas identifier directement la lumière guidée sur cette image car le signal évanescent est noyé dans un fond continu de lumière parasite. La zone zoomée met en évidence ce phénomène : nous ne pouvons pas distinguer l intensité propagée au sein du guide. Afin de contourner ce handicap, nous avons filtré l image (par transformée de Fourier), de manière à supprimer les composantes de basses fréquences spatiales, pour n en garder que les détails fins. L image filtrée est reportée sur la Figure p-10a. Le filtrage nous permet de faire ressortir 144

14 Conclusion et Perspectives : VERS L ETUDE DE COMPOSANTS NANOPHOTONIQUES les points de surintensité mais met également en évidence la présence d une onde se propageant entre ces points. Lorsque l on superpose cette image à l image topographique (Figure p-10b). Nous nous apercevons que les points de surintensité correspondent exactement aux deux premières rangées du cristal bordant le guide et que l onde propagée est confinée dans les limites de ce dernier. Le guidage est alors clairement mis en évidence. Figure p-10 : (a) Image optique (15x15 µm²) après filtrage des basses fréquences spatiales. (b) Superposition de l image optique filtrée et de l image topographique. Le guidage de la lumière est mis en évidence. Nous remarquons également que le signal est plus intense sur le bord droit du guide. Nous attribuons ce phénomène à un couplage de la lumière vers le cristal qui soit décalée par rapport au centre du guide. La tâche très intense visible (en bas à droite) sur l image optique brute (Figure p-9b) confirme cette hypothèse. Nous pouvons en outre constater que la lumière guidée présente des oscillations périodiques dont la période coïncide avec celle du cristal. Cela signe la présence d ondes de Bloch dans le guide étudié. Une étude de la structure par simulation numérique FDTD à 3 dimensions est en cours afin d affiner l analyse des cartes de champs obtenues. Cette étude nous a donc permis de montrer que le champ proche optique pouvait permettre de visualiser les ondes de Bloch de ces structures périodiques dont les dimensions sont inférieures à la longueur d onde. Une résolution inférieure à λ/10 a été atteinte. Ce résultat encourageant donne lieu à de nouvelles études en cours sur les cristaux photoniques qui constitues le cadre de la thèse de M lle Delphine Néel. 145

15 Conclusion et Perspectives : VERS L ETUDE DE COMPOSANTS NANOPHOTONIQUES La microscopie en champ proche optique s avère donc être un outil inégalable pour l étude des composants de l optique intégrée. L obtention de la carte du champ propagé à des résolutions bien inférieure à la longueur d onde nous ouvre les portes de la compréhension du fonctionnement intrinsèque de structures souvent complexes et dont les paramètres physiques ne sont usuellement déterminés que par des voies indirectes ce qui limite la quantité d information accessible. La microscopie en champ proche optique se heurte cependant à un handicap majeur, celui de la reproductibilité des sondes. La taille de l ouverture étant prépondérante sur la résolution. L utilisation de sondes de champ proche sans ouverture constitue une des voies possibles de contournement de ce handicap. Cependant, l utilisation de sondes à ouvertures restant plus facile à implémenter, l effort porté à l amélioration de leur reproductibilité est toujours présent. Ce handicap une fois éludé, les moyens mis en œuvres portant à croire que ce sera bientôt le cas, gageons que la microscopie en champ proche optique s imposera comme un outil incontournable de caractérisation des structures photoniques dont les tailles se voient inexorablement réduites. 146

16 FOLIO ADMINISTRATIF THESE SOUTENUE DEVANT L'INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON NOM : RAOULT DATE de SOUTENANCE : 16 décembre 2003 (avec précision du nom de jeune fille, le cas échéant) Prénoms : Jérémy TITRE : Etude et Modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe. Application à la conception d oscillateurs radiofréquences intégrés NATURE : Doctorat Numéro d'ordre : 03 ISAL Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique (EEA) Spécialité : Dispositifs de l électronique intégrée Cote B.I.U. - Lyon : T 50/210/19 / et bis CLASSE : RESUME : L évolution croissante du marché des télécommunications et plus particulièrement des applications aux communications sans fils dans des bandes de fréquences de 900 MHz à 6 GHz entraîne une forte demande de fourniture de circuits intégrés. Notamment, la tendance actuelle est à l augmentation du niveau d'intégration et à la diminution de la puissance consommée pour obtenir un terminal "bon marché" avec pour objectif l'augmentation de l'autonomie associée à des impératifs de mobilité. La technologie BICMOS répond parfaitement à ces besoins grâce à un compromis coûtperformance très favorable. Dans ce contexte, le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 µm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur conséquence pour la conception d oscillateurs micro-ondes intégrés. MOTS-CLES : Transistor bipolaire SiGe oscillateur contrôlé en tension modélisation électrique Bruit Basse Fréquence modélisation en bruit BF Bruit de phase Caractérisation hyperfréquence Laboratoire (s) de recherches : Laboratoire de Physique de la matière (LPM) Directeur de thèse: Alain Poncet, Christian Gontrand Président de jury : Andréas Kaiser Composition du jury : Daniel Gasquet, Michel Prigent, Andréas Kaiser, Christian Gontrand, Gérard Guillot, Jacques Verdier