Les moyens des plateformes du réseau RENATECH H. GRANIER Colloque INSU R&D pour l astronomie et l astrophysique 10 mai 2011 Grenoble

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1 Les moyens des plateformes du réseau RENATECH H. GRANIER Colloque INSU R&D pour l astronomie et l astrophysique 10 mai 2011 Grenoble IEF-MINERVE

2 Plan de l exposé Bref rappel des principes technologiques Les moyens des centrales Matériaux Dépôts Lithographie Gravure Caractérisation Intégration Quelques exemples de projets Conclusion

3 LES PRINCIPES TECHNOLOGIQUES

4 La fabrication de composants : un empilement de couches pour réaliser une fonction électrique, mécanique, optique.. Exemple du procédé de fabrication d un composant Chaque couleur correspond à un matériau différent ou à un matériau dont les propriétés ont été modifiées localement Pour fabriquer des micros et nano composants il faut donc : disposer de matériaux en couches (dépôts, croissances) structurer ces matériaux (lithographie, gravure) avec les bonnes dimensions à la bonne position

5 Les procédé de lithographie Par projection Avec masque Radiation Masque Radiation Masque Réducteur optique Ecriture directe Laser Electrons UV ion Résine photosensible Résine photosensible Résine photosensible Substrat Substrat Substrat Les propriétés de la résine changent uniquement aux endroits insolés Après développement Résine positive Résine négative

6 Les procédés de mise en forme des matériaux Procédé soustractif Procédé additif Photolitographie Gravure Dépôt Enlèvement de la résine Transfert du motif par gravure Transfert du motif par «lift-off»

7 LES MOYENS TECHNOLOGIQUES EN MATERIAUX

8 Elaboration des matériaux: VISION GLOBALE DES MOYENS Les matériaux élaborés peuvent différer suivant les spécificités des centrales, même si les techniques de base sont souvent génériques: Epitaxie par Jets Moléculaires: 10 réacteurs et plus de 1000 échantillons traités dans l année Epitaxie en Phase Vapeur par Organo-Métalliques: 1 équipement Implantation ionique: 2 équipements et près de 1000 implantations/an Fours d oxydation/diffusion/recuit : une vingtaine de réacteurs et près de 4000 échantillons/an Equipements sous ultra vide de pulvérisation par magnétron pour matériaux avancés (magnétiques, nanofils ): 3 bâtis généralement couplés à des moyens de caractérisation

9 Elaboration des matériaux: LES EQUIPEMENTS D EPITAXIE 1/2 Epitaxie: technique permettant de faire croitre une couche monocristalline sur un substrat lui-même monocristallin 9 réacteurs d Epitaxie par Jets Moléculaires LPN dédiés à la croissance des matériaux III-V Interfaces abruptes Compatibilité avec des techniques d analyses in-situ et sous vide (RHEED, STM...) Matériaux de très haute pureté Maîtrise de la couche monoatomique LPN Self-catalyzed GaAs NWs on Silicon LPN EJM avec couplage du microscope à effet tunnel OMICRON EJM de nanofils III-V Image STM d une surface GaAs (LPN)

10 Matériaux: LES EQUIPEMENTS D EPITAXIE 2/2 De nombreuses structures et applications: HEMTs InGaAs/InAlAs et AlSb/InAs DHBTs InP/InGaAs/InP, InP/GaAsSb/InP quaternaires InGaAsP et structures pour dispositifs optoélectroniques Alliages InAlSb et InGaSb, GaAs basse température Semiconducteurs semimagnétiques, Nanofils III-V Diodes laser, structures VCSEL Matériaux de haute mobilité, etc 2 bâtis d EJM couplés à une analyse XPS Epitaxie en phase vapeur aux organo-métalliques (EPVOM) : 1 bâti Matériaux III-V à base d InP et de GaAs Nano-épitaxie sélective en une seule étape - (Nano-SAG) de boîtes quantiques InAs / InP localisées Flexibilité des sources gazeuses Accès à des vitesses de croissance élevées (jusqu à 10µm/h) Excellente reproductibilité

11 Elaboration des matériaux: IMPLANTATION IONIQUE Deux implanteurs ioniques : Hormis les applications classiques de dopage, elles peuvent être multiples dans le domaine de de la recherche (procédés localisés de dopage et d isolation, synthèse localisée de matériau, sur-dopage, etc ) Quelques caractéristiques, suivant équipement: Energie : de 3 kev à 200 kev Tilt : de 0 à 90 Azimut: de 0 à 90 Twist : de 0 à 360 Température du porte substrat : de 10 C à 300 C LAAS-CNRS -CNRS -CNRS

12 Plus de 20 réacteurs d oxydation, diffusion et de recuit (Si et III-V) De nombreuses applications: - Oxydes, Oxydes dopés - Nitrures, Si polycristallin - Métaux - Polymides - Diamant - Diffusion guide Niobate de Lithium - Recuit de matériaux III-V - Elaboration des matériaux: REACTEURS THERMIQUES LAAS Oxydation sélective dans une héterostructure AlGaAs LAAS Réacteur de recuit Microplume en Poly Si FEMTO-ST LAAS Oxydation humide III-V Four de recuit rapide

13 (5 nm) Elaboration des matériaux: EQUIPEMENTS SPECIFIQUES réacteurs UHV pour des matériaux avancés: -Films et multicouches métalliques par dépôt magnétron -Films d oxydes fonctionnels par ablation laser -Nano plots ferromagnétiques auto organisés -Matériaux piezo -Elaboration de graphène par graphitisation de SiC par épitaxie par jets moléculaires AFM: graphène par recuit de SiC (face Si) Chambre UHV graphène Pulvérisation Magnétron ~9 cibles magnétron Confocales (<10-4 mbar) Préparation / oxydation / gravure IBE-CAIBE +SIMS in situ IEF 50 nm Cluster Multitechniques IEF Ablation Laser oxydes magnetiques, piezoélectriques, multiferroïques Nanoplots ferromagnétiques auto-organisés

14 Elaboration de matériaux avancés pour la nanoélectronique / alliages IV-IV: des équipements spécifiques - Epitaxie par laser pulsé et dopage GILD (gas immersion laser doping) shallow doping ( 10W/ ) SiGe stressor supraconductivité du Si dopage bore dopage phosphore matˇr iau [B] max R min [P] max R min (cm -3 ) (W/ ) (cm -3 ) (W/ ) Si 4x Ź SOI Ź Ź Ge Ź Ź Ge/Si Ź Ź Ge/SOI 1x x GeOI Ź- Ź- Ź intégration hétérogène UHV CVD Ge relaxé/ Si Ge QDs Epitaxie latérale Ge/SiO 2 (technique brevetée) Nano fils en standard: silicium et germanium sur wafer 100mm axe recherche: dopage Mn (=>semiconducteur magnétique dilué GeMn) thermoélectricité IEF (-111) (-113) (001) (110) Ge SiO 2 Si épitaxie latérale de Ge sur silice Tapis homogène de nanofils de Ge obtenus par VLS sur Si(111)

15 LES MOYENS TECHNOLOGIQUES EN DÉPÔTS

16 Dépôts : vision globale Une grande variété de technologies Dépôts sous vide (PVD) Plus de substrats/an Dépôts en phase vapeur basse pression (LPCVD) Plus de 4000 heures de dépôts/an Dépôts en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) Plus de 3000 substrats/an Dépôts de couches atomiques (ALD) 1 réacteur Technique en cours de développement Dépôts Electrochimiques Plus de 1000 dépôts/an POUR Une variété de matériaux, une gamme d épaisseur de quelques nanomètres à plusieurs centaines de microns

17 Dépôts : les équipements PVD Prés de 40 réacteurs Pulvérisation cathodique RF /DC Co pulvérisation magnétron IEF Evaporation Effet Joule Canon à électrons Clusters (dépôts multiples) Grande variété de procédés Métaux et alliages : Au,Ge,Ti,Al,Pt,Ni,Mo,Cr,TaW,Ti/Al/Ni/Au, Ti/Pt/Au, Ni/Ge/Au/Ti/Au, Ti/Pt/Au, TiNi,TiW, Al,Cu, Nb, W, Pd... ITO, AlN... Sur polymères / Pour technologie MOS,... Co-pulvérisation magnétron (Denton ) FEMTO-ST Evaporateur (Plassys) Miroir acoustique pour composant SAW

18 Dépôts : les équipements LPCVD Plus de 10 réacteurs LAAS Procédés PolySi/dopé- SiO2 sec/humide- Si3N4, SixNy LTO SiOxNy Si polycristallin Substrats jusqu à 150 mm Réacteurs de dépôts LPCVD

19 Dépôts : les équipements PECVD Prés de 10 réacteurs PECVD FMNT-PTA Matériaux oxyde, nitrure et oxynitrure de silicium FEMTO--ST IEF Procédés High Frequency, Low Frequency, Mix RF Prospective en Basse Température (40 C-lift-off) Motif LOCOS pour la croissance sélective d îlots de Ge /Si (Masque d oxydation Si 3 N 4 PECVD 50 nm)

20 Dépôts : électrochimie IEF LAAS-CNRS Prés de 10 réacteurs Flexibilité, répétabilité Caractérisation des bains Matériaux Ni Cu Au IEF Dépôts électrochimiques pilotés par PC 1mm Equipement RENA pour dépôts FeNiCo FeNi, FeNiCo 30 µm Exemple de réalisation microbobine en cuivre de 40 spires (7/3/8 µm) Longueur développée : 10 cm

21 DÉPÔTS : ÉQUIPEMENTS SPÉCIFIQUES ALD PVD LPN ALD TFS200 BENEQ : 4 sources chaudes : Hf, Tr, Za, Pt Sources froides : Ti, Al, H 2 O Matériaux : TiN, AlN, HfN, ZrN, TaN, TiO2, Al 2 O3, HfO 2, ZrO 2, Ta 2 O 5, Pt 5 nm Al 2 O 3 Possibilités de Couches minces (1nm) conformes Possibilités de multicouches Procédés de l ambiante à 500 C Thermiques ou plasma 3 µm Plassys MEB 400 : couches minces diélectriques par évaporation (canon à électrons) avec ellipsomètre spectroscopique pour le suivi en temps réel Application : multi-couches anti-reflet et haute réflectivité, de l UV à l IR LPN Fabrication d une cavité optique résonante permettant d analyser le passage d un atome Facette de la cavité avec dépôt haute réflectivité multi-couche

22 DÉPÔTS : ÉQUIPEMENTS SPÉCIFIQUES LPCVD LPCVD Prototype LAAS/AET : réacteur vertical Applications : Si poly dopé Bore in situ Dépôts conformes LAAS LAAS Croissance de nanofils de Si possibilité de dopage par B2H6 ou PH3 in situ Nanofils de Si sur Si (111) Capacités intégrées : Réalisation de dépôts conformes dans un réseau de tranchées de 40µm de profondeur et 5µm de largeur

23 Dépôts : des exemples FEMTO-ST Poutre en nitrure de Si contraint Dépôt métallique sur fibre optique PTA LAAS-CNRS Transistor à Nanofil vertical à grille enrobante MEMS RF

24 LES MOYENS TECHNOLOGIQUES EN LITHOGRAPHIE

25 Lithographie laser 3 Machines Avantage: insolation sans contact Résolution 0.8 µm FEMTO-ST LAAS Résolution 0.8 µm Structure 3D FEMTO-ST Ecriture laser 442 nm Ecriture de masques et réticules

26 Lithographie avec Aligneurs de masque 3-4 Machines par Centrale PTA UV 365 nm -> motifs > 0,8 µm DUV 248 nm -> motifs ~ 0.5 µm PTA LAAS IEF Aligneur de masque Simple face MJB4 IEF MRAM TEST LAAS Double face Bolomètres SU8 200µm

27 Lithographie par projection LAAS LAAS Résolution: 0.35 µm x5 Enduction/développement robotisé FEMTO-ST FEMTO-ST Résolution: 0.35 µm x5 Pistes d enduction automatique

28 Lithographie électronique : objets individuels / petite surface MEB modifiés litho élec.: 4 PTA MEB JEOL-RAITH Contact GaN Nanowires LAAS PTA Cristaux photoniques Nanotrous IEF 80nm FEMTO-ST 20nm / 100nm 40 nm Raith E-line FEMTO-ST

29 Lithographie électronique Grande surface et/ou haute résolution Flowable Oxide HSQ nanodots LPN Cristaux photoniques PTA 2x EBPG 5000 (plus) 100kV Leica (VISTEC) Electron beam lithography JEOL JBX-6300FS * Taille de faisceau 2 nm * Echantillons jusqu à 8 * Réalignement précis PTA Lignes de 7 nm Résine et FOx Leica EBPG 5000plus 100kV Ecart type gaps d alignement: 4.2 nm Réalignement

30 Nano réplication thermique ou UV 8 Equipements LPN Sur Si 4 LPN LAAS NANONEX NXR2500 LAAS Sur GaAs IEF PTA EVG PTA PTA PTA UV-NIL 100/100 nm 8 EVG NIL stepper 2 nd prototype Thermal NIL EVG520HE OBDUCAT 8" Eitre Si mold Imprinted substrate 50/50 nm After plasma etching

31 Lithographie spécifique Excite Analyze Expose 15 µm x 15 µm emission scanning image obtained on CdSe/ZnS nanocrystal grown in the group of B. Dubertret (LPEM ESPCI) Précision de positionnement: qq nm LPN ATTOCUBE

32 LES MOYENS TECHNOLOGIQUES EN GRAVURE

33 Gravure humide PTA Poste de traitement HF FEMTO-ST Gravure anisotropique/isotrope Gravure chimique quartz (BHF) Silicium (KOH, TMAH) Métaux Polymères Oxydes Nitrures Divers FEMTO-ST Micro-accéléromètre 3 axes LAAS LAAS Gravure anisotropique Gravure anisotropique Gravure chimique

34 Gravure vapeur Gravure HF de l oxyde de Si PTA Gravure XeF 2 : isotrope Si Forte sélectivité vis-à-vis du SiO 2 Undercut after Silicon etching Courtesy: Matsushita EW / LETI

35 Gravure plasma: technologies génériques Exemples de matériaux gravés: Silicium Germanium GaAs GaN InP ZnTe/ZnO SiC, C (Diamant) Grenats 2-4 réacteurs par Centrale 4x ICP LPN Gaz: Cl2, HBr, BCl3, O2, N2, Ar LAAS LPN Ruban laser PTA IEF 3x ICP Si et dérivés, III-V, Métaux, polymères Guide à cristal photonique gravé (grenat) RIE-ICP Chloré 12 lignes de gaz

36 Gravure plasma profonde : technologies spécifiques LAAS Gravure profonde du Si LAAS DRIE non Silicium FEMTO-ST Quartz LiNbO3 Verre PbTiO3 PMN-Pt PTA LAAS LAAS DRIE Si super capacités intégrées Cluster 1 chambre Si 1 chambre verre quartz

37 Gravure ionique PTA Avantage/inconvénient Grave tout! Gravure d une junction tunnel magnetique (MTJ) PTA Ion Beam Etch MTJ IBE

38 Gravure par faisceau d ion localisé Pour les nanotechnologies FEMTO-ST FEMTO-ST PTA Focused ion beam LPN Cristaux photoniques LPN FIB Ultra-Focused ion beam Trou dans membrane SiC

39 LES MOYENS TECHNOLOGIQUES EN CARACTÉRISATION

40 Caractérisation: VISION GLOBALE Certaines caractérisations se retrouvent en un ou plusieurs exemplaires dans toutes les centrales, et constituent les outils de base: - microscopes optiques - MEB - profilomètres mécaniques et optiques - ellipsomètres - AFM D autres sont plus spécifiques aux activités des centrales et des matériaux utilisés: - spectroscopies XPS, IR, photoluminescence - diffractomètre RX (simple, double ou triple) - Nanoindenteurs - mesures de contraintes, vibromètres - microsope confocal - MET (Microscope Electronique à Transmission) - FIB (Focused Ion Beam)

41 Caractérisations génériques Microscopes Electroniques à Balayage: Une dizaine d appareils dans le réseau 3 sont équipés d EDX et 1 d EBSD LAAS-CNRS Observation MEB S3700N - Billes de silice - 750nm - x10.0k - pression variable - 30kV - 50 Pa MEB FEG Nanofils de Si VLS - UHV CVD Effet du diamètre du catalyseur IEF (Dept SiGeC) Analyse EBSD PtSi 50nm Cartographie EDX

42 Profilomètres optiques et mécaniques: Une quinzaine d équipements sont dénombrés FEMTO-ST Caractérisations génériques IEF Fogale Nanotech Microsurf 3D Profil 3D MEMS (IEF) LAAS Profilomètre optique Fogale PTA LAAS-CNRS Profilomètre mécanique Reseau GaAlAs épitaxié Microscope confocal

43 Caractérisations génériques Ellipsométrie: Toutes les centrales sont équipées de cette méthode de caractérisation de matériau (mesure d indice et d épaisseur de fines couches) AFM Une dizaine d AFM sont disponibles dans le réseau: microscopes à sonde locale permettant l analyse topographique Ellipsomètre spectroscopique LAAS-CNRS 400nm Graphene sur SiC LAAS-CNRS Il en est de même pour les mesures de contraintes FSM 500TC, Frontier Semiconductor LAAS-CNRS Mesure de marche Profondeur 23nm Pas 50nm Dimension 3100 Analyse sur de grands échantillons (wafer) ainsi que sur des composants polarisés.

44 Caractérisations spécifiques IEF - Caractérisations mécaniques: Selon les spécificités des centrales, une dizaine d équipements de mesures mécaniques sont disponibles: Nanoindenteurs, vibromètres IEF FEMTO Microscope stroboscopique Vibromètre Doppler (Polytec) Membrane avec PZT Nano-indenteur

45 Caractérisations spécifiques Equipements divers de spectroscopie: -XPS -Diffractomètres X - FTIR - Photoluminescence - laser picoseconde IEF XPS IEF FEMTO LPN Diffractomètre X Photoluminescence à 300 et 10K Diffractomètre multi-configurations à anode tournante

46 Caractérisations spécifiques Un Microscope Electronique à Transmission LPN Trois équipements de FIB FIB FEI STRATA DB 235 IEF IEF FEMTO Image STEM de nanofils(croissance VLS) Jeol 2200FS (LPN)

47 LES MOYENS TECHNOLOGIQUES EN INTÉGRATION

48 Intégration : vision globale Les objectifs Montage de composants pour La caractérisation L utilisation finale L intégration dans un système Deux filières Le traitement individualisé des composants Découpe / Report /Soudure filaire, eutectique Flip chip Protection Le traitement des substrats Polissage mécano-chimique Amincissement Soudure de substrats Sérigraphie Plus de opérations/an

49 Intégration : montage de composants Scies diamantées 6 équipements Grande diversité de matériaux Report manuels et semi automatique 10 équipements de Pick and place 3 équipements de report précis Protection (Glob top) Soudure Filaires (une quinzaine d équipements) Wedge, Ball, Ruban Eutectique (deux équipements) Flip chip (3 équipements) Four sous vide IEF Scie Disco DAD641 LPN Four sous vide de report sur embase Micro soudeuse Filaire FEMTO-ST FC 150 : report précis de puces et Flip chip

50 Intégration : traitement des substrats IEF Polissage Mécano-chimique Une dizaine d équipements Planarisation Reverse engineering Polissage Amincissement de substrats LAAS FEMTO-ST Polisseuse de précision Logitech PM 5 IEF LAAS Grinder G&N MPS 300R Polisseuse mécanochimique P400 Bobines en cuivre Le CMP est utilisé pour planariser chaque niveau de métallisation

51 Intégration : traitement des substrats Soudure de substrats 4 équipements Anodique Thermocompression Eutectique Collage epitaxial FEMTO-ST Si LN Si Sandwich Si / LiNbO 3 / Si LPN IEF Substrate bonder EVG 501 LAAS Substrate bonder Suss SB6e Four de collage epitaxial Substrate bonder AML AWB04

52 Intégration : traitement des substrats Préparation des substrats Activation plasma Nettoyage méga sonique Sérigraphie Pate à braser pour montage Planarisation Montage sur flex LAAS FEMTO-ST FEMTO-ST Nettoyage megasonique LAAS Sérigraphie : DEK LAAS Activation plasma Suss montage de composants et réalisation de lignes métalliques sur flex FEMTO-ST Réalisation de BGA billes pour la prise de contacts électriques

53 Intégration : exemples FEMTO-ST IEF FEMTO-ST IEF Microsoudures filaires Mise en boîtier d un gyroscope Capteur d humidité en silicium poreux (IEF/KFM) LAAS FEMTO- ST 3 Si wafer Optoélectronique : Vcells sur PCB avec électronique de traitement des données et lentilles de focalisation Mise en boîtier collective de lignes coplanaires sur wafer de silicium HR Boîtier: film BCB

54 DES EXEMPLES DE PROJETS

55 PROJETS DCMB ET BSD Système de dépôt multi chambres (sputtering) en condition UHV destiné à la réalisation de matrices de micro-bolomètres supraconducteurs et composants d une architecture amont de détection pour missions cosmologiques futures Benoit BELIER, Daniel BOUCHIER CTU IEF MINERVE Institut d Electronique Fondamentale, CNRS-Université Paris Sud 11 ORSAY Ce multi chambres est un système de pulvérisation cathodique DC/RF multi-cibles répondant aux besoins de la recherche expérimentale en science des matériaux pour la réalisation de micro-bolomètres et composants planaires supraconducteurs. 2 chambres de croissance UHV permettent la croissance du Nb, NbN et Al pour l une, et la réalisation d alliages de compositions variables de NbSi, NbSiN pour l autre. Les substrats utilisables peuvent avoir des dimensions aussi grandes que 8 pouces et des épaisseurs jusqu à 40 mm pour un poids de 800 g. Le retournement des substrats de telles dimensions est possible dans chaque chambre. Financements : - réseau national RENATECH des grandes centrales de technologiques - GIS P2I Physique des 2 infinis Organisé dans une configuration de cluster-tool, le magasin assure les fonctions de chargement / déchargement et transfert vers les 2 chambres de croissance (une troisième est également envisageable). Il permettra également des oxydations sous atmosphère contrôlée. Performances : les performances visées suite aux simulations et designs imposés par l IEF sont : - une uniformité optimale en épaisseur de 5 % sur un diamètre de 8 pouces, - une uniformité de composition meilleure que 0.1% sur 8 pouces (ex : pour l alliage Nb 100-x Ti x, x < 0.1 %).

56 MISSION STARDUST Etude de grains cométaires pour remonter à la nature de la matière solide dans le système solaire primitif, avant l accrétion des planètes Les préparations d échantillons de la centrale ont surtout porté sur les barreaux d aluminium dans lesquels des grains cométaires étaient implantés. Il s agissait de prélever des sections transverses pour permettre ensuite une étude à l échelle du nanomètre en microscopie électronique en transmission analytique (chimie, minéralogie des poussières). L effort de préparation a été porté sur des cratères de petites taille (typiquement le µm), ce qui a permis d étudier la gamme de taille de poussière la plus petite. Les travaux ont été publiés dans la revue Science ainsi que dans des revues plus spécialisées. µm-cratères sur les barreaux d aluminium : préparation par FIB pour étude des résidus de matière cométaire en section transverse = accès aux poussières cométaires de taille inférieure au micromètre. Autre exemple : préparations ciblées de matériaux extraterrestres (chondrites primitives micrométéorites, poussières interplanétaires) pour des études en microscopie électronique en transmission analytique (facilité nationale INSU à Lille)

57 HEMTs for high impedance very low temperature readout electronics - 1D ballistic HEMT as switch for multiplexing Collaboration: Alain BENOIT, CNRS/Institut Néel, grant CNES: DCMB specifications: - Low capacitance C GS <1 ff - Low open R DS resistance ~10 kω 1) HEMT balistiques pour caméras de cartographie des rayonnements du fond de l univers 2 )HEMTs cryogéniques pour la future instrumentation électronique à très basse température dans les détections au sol, dans des ballons ou dans des satellites 3) Diode Schottky submicronique pour équiper un satellite pour l observation de l'évolution de l humidité de l'atmosphère. Process at LPN - MBE (Molecular Beam Epitaxy) - 7 levels of e-beam lithography: eching, Metallizations, - Packaging - Low I GS (shot noise) < 1pA - Low power consumption < nw - Characterization at 4.2 K Circuit noise performance 100 mk 100 mk Ongoing: circuits with 256 switches at IN to be supplied to CSNSM for a bolometer array J. Low Temp. Phys. 151, 940 (2008) Cryogenic HEMTs with an input voltage noise below 1 nv/ Hz at 1 khz for preamplifiers at or below 4.2 K Submicron Schottky diode for THz multipliers and mixers Collaboration: Observatoire de Paris C.R. Phys. 11, 480 (2010)

58 PROJET SPAD 4 Photo détecteurs solides pour l astrophysique. l astronomie gamma des très hautes énergies Un télescope Cerenkov actuel est un gros dispositif, couteux. Nous avons conçu un démonstrateur de télescope basé sur une technologie Silicium, utilisant l effet Geiger dans des photodiodes à avalanche. Le futur plan de détection serait donc réduit en poids, permettant un gain important sur le coût final, avec une forte intégration possible du système global. La conception de ces nouveaux capteurs solides a fait l objet de deux thèses réalisées dans la centrale de technologie du LAAS-CNRS. Cette technologie sera proposée à la communauté Cerenkov, qui travaille à la conception d un réseau de télescopes (projet CTA), basé sur l utilisation de PM, mais où l alternative «Geiger» serait très intéressante. Processus de fabrication fabrication de 9 masques par lithographie LASER 9 photolithographies 2 gravures plasma 1 gravure humide 4 implantations 3 recuits 3 dépôts PECVD LPCVD Aluminium Chimie Caractérisation

59 CONCLUSION

60 Pourquoi solliciter appel au réseau Renatech? Des développements dans le domaine des micro et nanotechnologies Une forte expertise scientifique et technique Des équipements au meilleur niveau international Une procédure d accueil simple, réactive avec des modalités d application variées Site web : Demande de soutien :

61 MERCI DE VOTRE ATTENTION

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