11/09/01 Cours d électronique analogique 1
|
|
|
- Christelle Marie-Laure Ménard
- il y a 6 ans
- Total affichages :
Transcription
1 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu
2 EMCONUCTEUR X L amplificatur opérationnl parfait - Z diff A Z Z sorti Gain n tnsion infini mpédanc d ntré différntill, Z diff infini mpédanc d ntré Z infini mpédanc d sorti null ~ 0 3 à0 6 ~ 0 4 à0 9 ~ 0 4 à Ω /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu
3 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE OUERTE - BOUCLE FERMEE Considérons un amplificatur A un circuit d charg C : qui st attaqué par un sourc t qui attaqu lui-mêm ourc Amplificatur Gain : A Charg C montag st dit n boucl ouvrt st l signal n ntré d l amplificatur st l signal n sorti d l amplificatur A. /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 3
4 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE OUERTE - BOUCLE FERMEE (suit) Mais, l gain d l amplificatur put varir à caus d différnts paramètrs xtériurs Tmpératur, ériv ds tnsions d alimntation, Changmnt d un composant, Etc l faut donc trouvr l moyn d stabilisr l gain d l amplificatur. L moyn l plus simpl consist à réinjctr un parti du signal d sorti,, n ntré d l amplificatur (c st à dir sommr ctt parti d avc ). On dit alors qu l on opèr un réaction d la sorti sur l ntré (on parl aussi d assrvissmnt d l ntré par la sorti). L systèm st dit alors n boucl frmé /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 4
5 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE OUERTE - BOUCLE FERMEE (suit) ux cas s présntnt alors :. L signal réinjcté à l ntré st n phas avc l signal d ntré, on parl alors d réaction positiv (qu l on désignra tout simplmnt par réaction). Nous vrrons par la suit qu la réaction st à l origin d la concption ds oscillaturs.. L signal réinjcté à l ntré st n opposition d phas avc l signal d ntré, on parl alors d réaction négativ (qu l on désignra plus simplmnt par contr-réaction ourc - r Amplificatur Gain : A A. Charg C r B. /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 5 B B st l gain d la chaîn d contr-réaction. B comm A put êtr rél ou complx
6 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE OUERTE - BOUCLE FERMEE (suit) ans l systèm contr-réactionné l gain global, comm nous allons l voir, st différnt du gain d l amplificatur utilisé sul. Nous avons n fft : r B. A. A.( B ) A A AB A i A vari d A alors : A oit : ( AB ) A A AB A A onc l systèm contr-réactionné st baucoup plus stabl (division par (AB)) qu l systèm n boucl ouvrt, mais l gain obtnu st plus faibl. l faut donc qu au départ l gain d l amplificatur soit très grand (c st d aillurs pour cla qu l on utilis très souvnt d amplificaturs opérationnls dont l gain put dépassr ls 0 5 ). /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 6
7 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE OUERTE - BOUCLE FERMEE (suit) On put alors définir l factur d sacrific (ou taux d rétroaction) comm étant l rapport d A à A soit : A A AB Nous allons voir maintnant ls différnts possibilités d contr-réaction. our c fair nous allons utilisr un rprésntation quadripolair n considérant ls différnts possibilités d association du quadripol amplificatur t du quadripol contr-réaction. Nous avons ainsi quatr possibilités d association : Association séri Association parallèl Association séri-parallèl Association parallèl-séri /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 7
8 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction Montag séri-parallèl (tnsion tnsion) R g E g i i A i B mpédanc d ntré B. Z Z ( R c Z. Z..( AB) AB) A. A( A Gain B. ) A.( A AB mpédanc d sorti Z Z s s AB B. ) /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 8
9 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction Montag séri-parallèl (tnsion tnsion) Qulqus xmpls A uivur d tnsion 0 R - A T T T T 0 0 R 0 0 B /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 9 A A AB A A
10 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction Montag séri-parallèl (tnsion tnsion) Qulqus xmpls B Amplificatur non invrsur T 0 R 0 R - A T A R R B R R R T T A A A AB R R R /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 0
11 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction Montag parallèl-parallèl (courant tnsion) i i i E g R g A R c i Gain B. A A. A AB B st un admittanc t A un résistanc B mpédanc d ntré Z Z AB Z. Z. << Z mpédanc d sorti Z Z s s AB /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu
12 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction Montag parallèl-parallèl (courant tnsion) Un xmpl (A ) R R A R Convrtissur Courant-tnsion - A A R R R T A R 0 0 C st comm si l on avait un mass virtull sur l ntré invrsus /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu
13 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction Montag parallèl-parallèl (courant tnsion) Un autr xmpl: 0 R - A T T 0 x A R R 0 0 T T T ( R ) A R R 0 0 R R R /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 3
14 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction 3 Montag séri -séri (tnsion courant) i A i Gain R g i i R c B. A. E g B A A AB mpédanc d ntré Z Z. Z. Z.( AB) mpédanc d sorti Z Z.( AB) s s /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 4
15 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction 4 Montag parallèl-séri (courant courant) Gain E g R g i i i A B i i R c A B. A AB A. Z mpédanc d ntré Z. Z. Z AB << Z mpédanc d sorti Z Z.( AB) >> s s Zs /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 5
16 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction 5 Ls différnts montags à amplificaturs opérationnls A uivur d tnsion B Amplificatur non invrsur - R R - R R ( R R ) /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 6
17 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction 5 Ls différnts montags à amplificaturs opérationnls C ommatur non invrsur R R -.R' R' R' onc : R ( ) R R' Et plus généralmnt si l on a n ntrés t n tnsions d ntré i : n R ) i R n ( i /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 7
18 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction 5 Ls différnts montags à amplificaturs opérationnls Amplificatur invrsur E ommatur invrsur R R - R - R R R R Mass virtull à l ntré : R R R R R R R ( ) R Et plus généralmnt : R R n i i /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 8
19 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Contr réaction 5 Ls différnts montags à amplificaturs opérationnls E ntégratur E érivatur R - C C - R R R Mass virtull à l ntré : (t) (t) C R i(t) t i(t)dt 0 RC t (t)dt 0 (t) Ri(t) i(t) C d(t) dt RC d(t) dt /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 9
20 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Réaction positiv - Oscillaturs l xist différnt typs d oscillaturs : Oscillaturs à résistanc différntill négativ. l s agit d circuits oscillants dont ls prts sont compnsés par un amplificatur formé d un dipol à résistanc différntill négativ. Oscillaturs à amplificatur réactionné. l s agit d amplificaturs sur lsquls on opèr un réaction d la sorti sur l ntré c st à dir qu l signal d sorti st n phas avc l signal d ntré. Qul qu soit l typ d oscillaturs, l princip d fonctionnmnt st l mêm à savoir qu la sourc initial qui va donnr naissanc aux oscillations st l bruit élctroniqu (bruit blanc) présnt dans l circuit. Un circuit accordé sélctionn dans c bruit un fréqunc particulièr qu l amplificatur n aval du circuit accordé va s chargr d amplifir. C signal amplifié puis a nouvau filtré par l circuit accordé st alors réinjcté, n phas avc l signal initial, à l ntré d l amplificatur (réaction positiv). /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 0
21 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Réaction positiv - Oscillaturs r Amplificatur Gain : A A. Charg C r B. Gain B Circuit accordé B st l gain d la chaîn d réaction. B comm A put êtr rél ou complx Comm on put l voir sur c schéma, pour qu ls oscillations naissnt puis s amplifint, il faut qu l produit ds gains A t B soit supériur à. Ls oscillations sront ntrtnus lorsqu l produit ds gains sra unitair. C st c qu l on appll la condition d BARKHAUEN. AB /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu
22 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Réaction positiv - Oscillaturs Ainsi : i AB< ls oscillations n puvnt prndr naissanc t si lls xistnt lls s amortiront i AB> l amplitud ds oscillations aura tndanc à croîtr t n sra limité qu par la non linéarité du systèm d amplification. ifférnts typs d oscillaturs iod tunnl, thyratron, R C5 R3 R T C C3 C4 R5 R4 C R6 R7 Oscillatur à résistanc négativ Oscillatur àrésau déphasur /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu
23 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Réaction positiv - Oscillaturs ifférnts typs d oscillaturs (suit) L - HARTLEY R - R4 R C O C R R4 R3 C3 T C4 L L3 C - COLTT R3 C Oscillatur à résau déphasur sélctif C R4 R3 R L C3 T C4 C5 L C6 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 3 Oscillatur à transistors
24 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Réaction positiv - Oscillaturs ifférnts typs d oscillaturs (suit) 3 - CLA 4 - QUARTZ R R3 L T R C3 L C5 C C L C4 R C4 R3 T R C3 C C Quartz Oscillatur à transistors (suit) /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 4
25 REACTON ET CONTRE REACTON BOUCLE FERMEE Réaction positiv - Oscillaturs Oscillatur à transistors - Calculs i v i i Z i Z (L) Z 3 (C ) (C ) i Z i Z i v Z ( Z Z ) 3 3.i v Z i i Z v 3 3 Z Z 3 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 5 ans l cas du montag COLTT Z Z Z 3 jc ω jlω jc ω A la résonanc : ω v B v v C C L C C v C C C C LC ω autr part : A A βr h C Et donc : βrc h B C C
26 LE TRANTOR A EFFET E CHAM (FET) LE FET A JONCTON A LE FET A JONCTON E CANAL N Contact ymbol N fonctionn qu pour G<0 Grill - rain N Barrau d silicium dopé - ourc Zon déplété Contact B LE FET A JONCTON E CANAL Contact Grill rain Barrau d silicium dopé ymbol N ourc N Zon déplété Fonctionn pour G>0 Contact /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 6
27 LE TRANTOR A EFFET E CHAM C LE FONCTONNEMENT U FET A JONCTON i Grill court-circuité rain rain G G - G ourc 0-0 à 0 ourc G rain courant-drain sourc grill court-circuité Tnsion d pincmnt max ourc < < max /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 7
28 LE TRANTOR A EFFET E CHAM C LE FONCTONNEMENT U FET A JONCTON ii Grill polarisé JFETopration Contact G G - G G - G 0 G G0 Tnsion d blocag Extnsion d G t : G0 < G <0 0< < Tnsion d pincmnt G0 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 8
29 LE TRANTOR A EFFET E CHAM C LE FONCTONNEMENT U FET A JONCTON ii Grill polarisé (suit) Résistanc d ntré ds FET à jonction : R ntré G G Exmpl : G na pour G -5 Rntré ~5000 MΩ Rappl transconductanc d un transistor bipolair as baucoup d sns d parlr d gain n courant comm pour ls transistors bipolairs B C On préfèr parlr d transconductanc, c st à dir xprimr l courant d sorti n fonction d la tnsion d ntré our l FET : BE BE. G G0 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 9
30 LE TRANTOR A EFFET E CHAM C LE FONCTONNEMENT U FET A JONCTON ii Grill polarisé (suit) 9/6 --> ~/ /4 G0 0 G /6 G G0 Caractéristiqu quadratiqu Caractéristiqu d transconductanc normalisé /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 30
31 LE TRANTOR A EFFET E CHAM C LE FONCTONNEMENT U FET A JONCTON iii La polarisation standard du FET à jonction n class A G0 G 4 g m G d d G G0 ( G G0 ) Tansconductanc (mho ~/Ω) En posant : g m0 il vint : g g. G m m0 G0 G0 Résistanc différntill d drain (r ) r G cst i >,r ~ kω àmω On donn n général : g O r /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 3
32 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE MOFET (Mtal Oxid miconductor Fild Effct Transistor ~ FET à grill isolé La capacité MO /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 3
33 La capacité MO Métal io ilicium opé W W max Couch d invrsion Métal io Zon déplété ilicium opé Métal io Zon déplété ilicium opé W - WW max - Régim d déplétion Régim d invrsion /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 33
34 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE MOFET (Mtal Oxid miconductor Fild Effct Transistor ~ FET à grill isolé Constitution du MOFET Grill Métal solant oxyd ourc N N rain Contact Contact ubstrat A l invrs du FET à jonction, l MOFET, parc qu la grill st isolé, put travaillr avc un G >0 ou un G <0 à savoir travaillr dans ls dux régims qu sont : LA ELETON L ENRCHEMENT Accumulation /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 34
35 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE MOFET (Mtal Oxid miconductor Fild Effct Transistor ~ FET à grill isolé A LA ELETON G Métal ilicium Efft capacitif N N - Ls chargs - sont rpoussés G G G L canal a tndanc à dvnir isolant N N G < 0 G < G /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 35
36 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE MOFET (Mtal Oxid miconductor Fild Effct Transistor ~ FET à grill isolé B L ENRCHEMENT G Métal ilicium Efft capacitif N N - Ls chargs - sont attirés dans l canal La résistanc du canal a tndanc à diminur /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 36
37 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE MOFET (Mtal Oxid miconductor Fild Effct Transistor ~ FET à grill isolé C ymbols du MOFET rain rain Grill ourc Résistanc d ntré du MOFET Grill ourc u fait d l isolant (oxyd d silicium io ) ntr l silicium t l contact métalliqu la résistanc d ntré du MOFET st très grand : ~ 0 4 à 0 6 MΩ /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 37
38 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE MOFET (Mtal Oxid miconductor Fild Effct Transistor ~ FET à grill isolé E Caractéristiqus du MOFET G >0 ENRCHEMENT G 0 G <0 G G0 tnsion d blocag ELETON Tnsion d pincmnt G G0 G0 G avc G > 0 ou G < 0 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 38
39 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE TRANTOR A EFFET E CHAM, A GRLLE OLEE ET A REGME ENRCHEMENT EUL (n fait c'st l rgim d'invrsion) A rincip Oxyd Grill Métal rain N N N - G N - ubstrat Fabrication L silicium prnd un caractèr d typ N B ymbols ourc Grill rain ourc Grill /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 39 rain ourc
40 LE TRANTOR A EFFET E CHAM LE TRANTOR A EFFET E CHAM, A GRLLE OLEE ET A REGME ENRCHEMENT EUL B Caractéristiqus t transconductanc G3 G 0 G Gsuil G3 > G >G G suil G0 G Estimation d la constant K Equation caractéristiqu d l transconductanc : G Gsuil /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 40 K( )
41 LE TRANTOR A EFFET E CHAM OLARATON E FET A FET à jonction olarisation automatiqu Nous avons déjà vu qu la polarisation la plus simpl n class A d un FET à jonction corrspond à : R (R R ). R G G R.R - /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 4 G G G0 g m0.r i augmnt alors augmnt, mais comm G -, diminu alors. G0 G 4 R C st la polarisation médian
42 LE TRANTOR A EFFET E CHAM OLARATON E FET A FET à jonction olarisation automatiqu (suit) Rprésntation général d la polarisation automatiqu On a vu qu la caractéristiqu d transconductanc normalisé était sous la form : g m0r G0 G g..r m0 G G0 R g. m0 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 4
43 LE TRANTOR A EFFET E CHAM OLARATON E FET A FET à jonction olarisation par sourc d courant R R C l faut C < L transistor bipolair fix l courant drain R B R G C R E R B R E - EE Avc alimntation symétriqu doubl Avc alimntation simpl /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 43
44 LE TRANTOR A EFFET E CHAM OLARATON E FET B MOFET ENRCHEMENT ELETON R RG G0 G olarisation null G 0 R. /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 44
45 LE TRANTOR A EFFET E CHAM OLARATON E FET C Transistor FET à grill isolé t à nrichissmnt sul (réaction d drain) RG ~ 0 0 RG 0 G suil G0 G G /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 45
46 LE TRANTOR A EFFET E CHAM AMLFCATON E FET Comm dans l cas ds transistors bipolairs il y a trois typs d montags : i. ourc commun ii. rain commun iii. Grill commun i. ourc commun CG C G C G R G R C C s CG Capacités parasits du FET chéma équivalnt /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 46
47 LE TRANTOR A EFFET E CHAM AMLFCATON E FET i. ourc commun (suit) A bass fréqunc l schéma équivalnt dvint : RG gm. G R s ans l montag, la résistanc d polarisation d drain st n parallèl avc R. Comm R st très grand, sul la résistanc R st à prndr n compt. onc si R << R v s v v i.r g m.r g m.v.r RG gm. G R R s /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 47
48 LE TRANTOR A EFFET E CHAM AMLFCATON E FET i. ourc commun (suit) i l on mt un résistanc d sourc, R, l schéma équivalnt dvint : RG R G gm.g R s v v A v R v v G. R. g R m m.g m.r g.r.v G /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 48
49 LE TRANTOR A EFFET E CHAM AMLFCATON E FET i. ourc commun (suit) Caractéristiqu d transconductanc normalisé. On avait : G t : g g. G m m0 G0 G0 0 gm gm0 onc : g g m m /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 49
50 LE TRANTOR A EFFET E CHAM AMLFCATON E FET ii. rain commun v v G R. R s v s R. g m.v G A v v g m.r g R m i gm.r >> A Gain n tnsion /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 50
51 LE TRANTOR A EFFET E CHAM AMLFCATON E FET iii. Grill commun i i v s R. R.g m.v G G R s v A v v v G g m.r mpédanc d ntré n grill commun v v G i Z i v i g m.v m G v g.v G G g m C st donc un impédanc très faibl /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 5
52 OE HOCKLEY t THYRTOR Rappls sur jonction N t Transistor i. Jonction N 0 - (0) N R 0 W R Avalanch 0 - N R ~ R W /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 5
53 OE HOCKLEY t THYRTOR Rappls sur jonction N t Transistor ii. Transistor NN R b R c b 0 C 0 N N R b b 0 N N R c RC 0 C 0 b 0 R b R c N N C 0 /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 53
54 OE HOCKLEY t THYRTOR tructur NN iod shockly 0 0 R - R 0 EQULBRE Anod N N J J J 3 Cathod 0 0 R - R 0 OLARATON RECTE Etat non passant Anod Courant d minoritairs d la jonction J J t J 3 polarisés n dirct, J polarisé n invrs N N J J J 3 Cathod /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 54
55 OE HOCKLEY t THYRTOR tructur NN iod hockly AALANCHE Anod 0 0 R - R N N Cathod OLARATON RECTE Etat passant J J J 3 Ls trois jonctions J t J t J 3 sont olarisés n dirct /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 55
56 OE HOCKLEY t THYRTOR tructur NN iod hockly i. Caractéristiqus sur région - sur région N /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 56
57 OE HOCKLEY t THYRTOR tructur NN iod hockly ii. Equivalnt transistor Anod N N N N Cathod NN /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 57
58 OE HOCKLEY t THYRTOR tructur NN iod hockly ii. Equivalnt transistor (suit) ans c montag ls dux jonctions bas-collctur ds dux transistors sont n invrs. l n y a pas d courant xcpté l courant d fuit (d minoritairs) qui st très faibl. Lorsqu la différnc d potntil augmnt, il s produit un phénomèn d avalanch qui s traduit par un brusqu augmntation du courant collctur ds dux transistors t donc ds courants d bas. Ainsi, ls dux transistors passnt rapidmnt à saturation t la tnsion ntr ls dux émtturs chut vrs 0. L systèm rst alors dans ct état passant. L sul moyn d ramnr l systèm dans l état initial st d réduir la tnsion d alimntation pour désaturr ls dux transistors. /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 58
59 OE HOCKLEY t THYRTOR tructur NN Thyristor Anod N N N N Cathod NN Grill /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 59
60 OE HOCKLEY t THYRTOR tructur NN Thyristor Lorsqu un impulsion positiv attaqu la grill (c st à dir la bas du transistor NN) clui-ci s mt à conduir. La bas du transistor N étant alors attaqué par c courant, c drnir s mt à conduir ntrtnant ainsi la polarisation d bas du transistor NN. La tnsion aux borns du sipositif constitué ds dux transsitors tnd alors vrs 0 (ls dux transsitors sont alors saturés). L sul moyn d ramnr l systèm dans son état initial st d réduir l courant d manièr à ramnr ls dux transistors dans l état bloqué. On obtint ctt réduction n réduisant la tnsion d alimntation, comm pour la diod hockly. Un tl dispositif st aussi applé bascul. Ls grandurs caractéristiqus sont: La tnsion d blocag dirct, L courant d déclnchmnt, c st à dir l courant qu il faut appliqur à la grill pour fair conduir l thyristor, L courant minimum d fonctionnmnt, c st à dir l courant n dssous duqul l thysristor rtourn à l état bloqué. /09/0 Cours d élctroniqu analogiqu 60
Guide de correction TD 6
Guid d corrction TD 6 JL Monin nov 2004 Choix du point d polarisation 1- On décrit un montag mttur commun à résistanc d mttur découplé, c st à dir avc un condnsatur n parallèl sur R. La condition d un
Les transistors à effet de champ
etour au menu! Les transistors à effet de champ 1 tructure A TANITO à JONCTION (JFET) Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types de porteurs les trous et les
Exemple de Plan d Assurance Qualité Projet PAQP simplifié
Exmpl d Plan d Assuranc Qualité Projt PAQP simplifié Vrsion : 1.0 Etat : Prmièr vrsion Rédigé par : Rsponsabl Qualité (RQ) Dat d drnièr mis à jour : 14 mars 2003 Diffusion : Equip Tchniqu, maîtris d œuvr,
CSMA 2013 11e Colloque National en Calcul des Structures 13-17 Mai 2013
Enrichissmnt modal du Slctiv Mass Scaling Sylvain GAVOILLE 1 * CSMA 2013 11 Colloqu National n Calcul ds Structurs 13-17 Mai 2013 1 ESI, sylvain.gavoill@si-group.com * Autur corrspondant Résumé En raison
Corrigé du baccalauréat S Pondichéry 13 avril 2011
Corrigé du baccalauréat S Pondichéry avril EXERCICE Commun à tous ls candidats Parti I points. L ax ds ordonnés st asymptot à C au voisinag d ; la fonction étant décroissant sur ] ; + [, la limit quand
Université Mohammed Khidher Biskra A.U.: 2014/2015
Uniersité Mohammed Khidher Biskra A.U.: 204/205 Faculté des sciences et de la technologie nseignant: Bekhouche Khaled Matière: lectronique Fondamentale hapitre 4 : Le Transistor Bipolaire à Jonction 4..
f n (x) = x n e x. T k
EXERCICE 3 (7 points) Commun à tous ls candidats Pour tout ntir naturl n supériur ou égal à, on désign par f n la fonction défini sur R par : f n (x) = x n x. On not C n sa courb rprésntativ dans un rpèr
Contribution à la conception par la simulation en électronique de puissance : application à l onduleur basse tension
Contribution à la conception par la simulation en électronique de puissance : application à l onduleur basse tension Cyril BUTTAY CEGELY VALEO 30 novembre 2004 Cyril BUTTAY Contribution à la conception
Garantie des Accidents de la Vie - Protection Juridique des Risques liés à Internet
Résrvé à votr intrlocutur AXA Portfuill : CR012764 N Clint : 1 r réalisatur : Matricul : 2 réalisatur : Matricul : Intégr@l Garanti ds Accidnts d la Vi - Protction ds Risqus liés à Intrnt J complèt ms
Les transistors à effet de champ.
Chapitre 2 Les transistors à effet de champ. 2.1 Les différentes structures Il existe de nombreux types de transistors utilisant un effet de champ (FET : Field Effect Transistor). Ces composants sont caractérisés
TVA et Systèmes d Information. Retour d expérience d entreprise. A3F - 26 mars 2015 Hélène Percie du Sert COFELY INEO
isr la t l t t zon iqur nt TVA t Systèms d Information Rtour d xpérinc d ntrpris A3F - 26 mars 2015 Hélèn Prci du Srt COFELY INEO Pour Sup Ins À p NB. M 30/03/2015 Sommair isr la t l t t zon iqur nt I
Initiation à la virologie Chapitre IV : Diagnostic viral
Initiation à la virologi Chapitr IV : Diagnostic viral [www.virologi-uclouvain.b] Objctifs du modul Nous disposons d outils d laboratoir nous prmttant d détctr ls infctions virals t lurs ffts. Lorsqu on
TD 11. Les trois montages fondamentaux E.C, B.C, C.C ; comparaisons et propriétés. Association d étages. *** :exercice traité en classe.
TD 11 Les trois montages fondamentaux.,.,. ; comparaisons et propriétés. Association d étages. *** :exercice traité en classe ***exercice 11.1 On considère le montage ci-dessous : V = 10 V R 1 R s v e
Méthodes de Caractérisation des Matériaux. Cours, annales http://www.u-picardie.fr/~dellis/
Méthodes de Caractérisation des Matériaux Cours, annales http://www.u-picardie.fr/~dellis/ 1. Symboles standards et grandeurs électriques 3 2. Le courant électrique 4 3. La résistance électrique 4 4. Le
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
LCTRONIQU ANALOGIQU CALCUL T XPRIMNTATION D UN AMPLIFICATUR A TRANSISTOR BIPOLAIR Joël RDOUTY Mise à jour décembre 2010 AMPLIFICATUR BASS FRQUNC A TRANSISTOR BIPOLAIR L'objectif de ce T est de montrer
CARACTERISTIQUE D UNE DIODE ET POINT DE FONCTIONNEMENT
TP CIRCUITS ELECTRIQUES R.DUPERRAY Lycée F.BUISSON PTSI CARACTERISTIQUE D UNE DIODE ET POINT DE FONCTIONNEMENT OBJECTIFS Savoir utiliser le multimètre pour mesurer des grandeurs électriques Obtenir expérimentalement
Journée d échanges techniques sur la continuité écologique
16 mai 2014 Journé d échangs tchniqus sur la continuité écologiqu Pris n compt d critèrs coûts-bénéfics dans ls étuds d faisabilité Gstion ds ouvrags SOLUTION OPTIMALE POUR LE MILIEU Gstion ds ouvrags
Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies - Basic Sciences Series Vol. (33) No. (2) 2011. Cs - f.(
2011 (2) (33) - Tishrn Univrsity Journal for Rsarch and Scintific Studis - Basic Scincs Sris Vol. (33) No. (2) 2011 * (2011/ 8 / 11.2010 / 10 / 14 ) " - ". Cs. - 200kH 100kH f. 2Cs.( f = 0.1ω p, i ) ω
Introduction : Les modes de fonctionnement du transistor bipolaire. Dans tous les cas, le transistor bipolaire est commandé par le courant I B.
Introduction : Les modes de fonctionnement du transistor bipolaire. Dans tous les cas, le transistor bipolaire est commandé par le courant. - Le régime linéaire. Le courant collecteur est proportionnel
Chapitre 4 : Le transistor Bipolaire
LEEA 3 ème A, C. TELLIER, 28.08.04 1 Chapitre 4 : Le transistor Bipolaire 1. Structure et description du fonctionnement 1.1. Les transistors bipolaires 1.2 Le transistor NPN Structure intégrée d'un transistor
Circuits intégrés micro-ondes
Chapitre 7 Circuits intégrés micro-ondes Ce chapitre sert d introduction aux circuits intégrés micro-ondes. On y présentera les éléments de base (résistance, capacitance, inductance), ainsi que les transistors
au Point Info Famille
Qustion / Répons au Point Info Famill Dossir Vivr un séparation La séparation du coupl st un épruv souvnt longu t difficil pour la famill. C guid vous présnt ls différnts démarchs n fonction d votr situation
Matériau pour greffe MIS Corporation. Al Rights Reserved.
Matériau pour grff MIS Corporation. All Rights Rsrvd. : nal édicaux, ISO 9001 : 2008 atio itifs m rn pos méd int i dis c a u x 9 positifs 3/42 té ls s dis /CE ur r l E. po ou u x U SA t s t appr o p a
Conception. de systèmes électroniques. analogiques
Christian JUTTEN Conception de systèmes électroniques analogiques Université Joseph Fourier - Polytech Grenoble Cours de deuxième année du département 3i Janvier 2007 Table des matières Modèle mathématique
Comment utiliser une banque en France. c 2014 Fabian M. Suchanek
Commnt utilisr un banqu n Franc c 2014 Fabian M. Suchank Créditr votr compt: Étrangr Commnt on mt d l argnt liquid sur son compt bancair à l étrangr : 1. rntrr dans la banqu, attndr son tour 2. donnr l
LE SURENDETTEMENT. a s s e c o. leo lagrange UNION NATIONALE DES ASSOCIATIONS FAMILIALES. union féminine civique et sociale
LE SURENDETTEMENT 1 lo lagrang UNION NATIONALE 2 L'ENDETTEMENT 1984 : 4 ménags sur 10 avaint ds crédits (crédit à la consommation + immobilir) 1997 : 1 ménag sur 2 a un crédit n cours 55 % ds consommaturs
DOSSIER DE CANDIDATURE POUR UNE LOCATION
DOSSIER DE CANDIDATURE POUR UNE LOCATION Ls informations donnés nécssairs pour traitr votr candidatur rstront confidntills. Un dossir incomplt n put êtr xaminé. C dossir d candidatur rst soumis à l approbation
La polarisation des transistors
La polarisation des transistors Droite de charge en continu, en courant continu, statique ou en régime statique (voir : le transistor) On peut tracer la droite de charge sur les caractéristiques de collecteur
Cours 9. Régimes du transistor MOS
Cours 9. Régimes du transistor MOS Par Dimitri galayko Unité d enseignement Élec-info pour master ACSI à l UPMC Octobre-décembre 005 Dans ce document le transistor MOS est traité comme un composant électronique.
e x o s CORRIGÉ 07-01 ... Chapitre 7. La conduite du diagnostic 1. Bilan fonctionnel par grandes masses Bilan fonctionnel de la société Bastin
................................................... Chapitr 7. La cnduit du diagntic CORRIGÉ 07-01 1. Bilan fnctinnl par grand ma Bilan fnctinnl d la ciété Batin Empli tabl 3 900 Rurc prpr 3 870 Actif
Florence Jusot, Myriam Khlat, Thierry Rochereau, Catherine Sermet*
Santé t protction social 7 Un mauvais santé augmnt fortmnt ls risqus d prt d mploi Flonc Jusot, Myriam Khlat, Thirry Rochau, Cathrin Srmt* Un actif ayant un mploi a baucoup plus d risqus d dvnir inactif
Juin 2013. www.groupcorner.fr
r p d r i Do Juin 2013 www.groupcornr.fr Contact Pr : Carolin Mlin & Jan-Claud Gorgt Carolin Mlin TIKA Mdia 06 61 14 63 64 01 40 30 95 50 carolin@tikamdia.com Jan-Claud Gorgt J COM G 06 10 49 18 34 09
Les ressources du PC
Modul 2 Ls rssourcs du PC Duré : 2h (1 séanc d 2h) Ctt séanc d dux hurs suit l ordr du référntil d compétncs du portfolio rattaché à c modul (v. portfolio du modul 2). Votr ordinatur PC st un machin composé
ÉLECTRONIQUE NUMÉRIQUE
ÉLECROIQUE 4 ÉLECROIQUE UMÉRIQUE 1. IÉRÊ DES SIGAUX UMÉRIQUES 1.1 ransmission du signal L traitmnt du signal st réalisé ar ds circuits élctroniqus (analogiqus ou numériqus). La grandur hysiqu à msurr :
SOMMAIRE. B5.1 Première approche
APPROCHE THEORIQE LES COMPOSANTS ELECTRONIQES B5 LES IOES SOMMAIRE B5.1 Première approche B5.2 e la jonction PN à la diode B5.3 Caractéristique d'une diode B5.4 Mécanisme de conduction d'une diode B5.5
UNE AVENTVRE DE AGILE & CMMI POTION MAGIQUE OU GRAND FOSSÉ? AGILE TOVLOVSE 2011 I.VI VERSION
UN AVNTVR D AGIL & CMMI POTION MAGIQU OU GRAND FOÉ? AGIL TOVLOV 2011 VRION I.VI @YAINZ AKARIA HT T P: / / W WW.MA RTVIW.F HT T P: / / W R WW.KIND OFMAG K.COM OT @ PAB L OP R N W.FR MARTVI. W W W / :/ P
Amplificateur à deux étages : gains, résistances "vues", droites de charges, distorsion harmonique
Problème 6 Amplificateur à deux étages : gains, résistances "ues", droites de charges, distorsion harmonique Le circuit analysé dans ce problème est un exemple représentatif d'amplificateur réalisé à composants
Cours d électricité. Circuits électriques en courant constant. Mathieu Bardoux. 1 re année
Cours d électricité Circuits électriques en courant constant Mathieu Bardoux mathieu.bardoux@univ-littoral.fr IUT Saint-Omer / Dunkerque Département Génie Thermique et Énergie 1 re année Objectifs du chapitre
Donner les limites de validité de la relation obtenue.
olutions! ours! - Multiplicateur 0 e s alculer en fonction de. Donner les limites de validité de la relation obtenue. Quelle est la valeur supérieure de? Quel est le rôle de 0? - Multiplicateur e 0 s alculer
Convertisseurs statiques d'énergie électrique
Convertisseurs statiques d'énergie électrique I. Pourquoi des convertisseurs d'énergie électrique? L'énergie électrique utilisée dans l'industrie et chez les particuliers provient principalement du réseau
Sommaire G-apps : Smart fun for your smartphone!
Sommair G-apps : Smart fun for your smartphon! Sommair Présntation G-apps Pourquoi choisir G-apps Sctorisation t sgmntation d marchés Votr accompagnmnt clints d A à Z ou à la cart Fonctionnalités G-apps
A. RENSEIGNEMENTS GÉNÉRAUX. (Adresse civique) 3. Veuillez remplir l'annexe relative aux Sociétés en commandites assurées à la partie E.
Chubb du Canada Compagni d Assuranc Montréal Toronto Oakvill Calgary Vancouvr PROPOSITION POLICE POUR DES INSTITUTIONS FINANCIÈRES Protction d l Actif Capital d Risqu A. RENSEIGNEMENTS GÉNÉRAUX 1. a. Nom
Institut Supérieur des Etudes Technologiques de Nabeul
Ministère de l enseignement supérieur, de la recherche scientifique et de la technologie Institut Supérieur des tudes Technologiques de Nabeul Département : Génie lectrique Support de cours : LCTRONIQU
Vu la loi n 17-99 portant code des assurances prom ulguée par le dahir n 1-02-238 du 25 rejeb 1423 (3 octobre 2002), telle qu'elle a été complétée ;
Arrêté du ministr s financs t la privatisation n 2241-04 du 14 kaada 1425 rlatif à la présntation s opérations d'assurancs (B.O. n 5292 du 17 févrir 2005). Vu la loi n 17-99 portant co s assurancs prom
Transmission de données. A) Principaux éléments intervenant dans la transmission
Page 1 / 7 A) Principaux éléments intervenant dans la transmission A.1 Equipement voisins Ordinateur ou terminal Ordinateur ou terminal Canal de transmission ETTD ETTD ETTD : Equipement Terminal de Traitement
Bloc 1 : La stabilité, une question d équilibre
Bloc 1 : La stabilité, un qustion d équilibr Duré : 3 hurs Princips scintifiqus Ls princips scintifiqus s adrssnt aux nsignants t aux nsignants. Structur Un structur st un form qui résist aux forcs qui,
Le transistor bipolaire
IUT Louis Pasteur Mesures Physiques Electronique Analogique 2ème semestre 3ème partie Damien JACOB 08-09 Le transistor bipolaire I. Description et symboles Effet transistor : effet physique découvert en
Projet de synthèse de l'électronique analogique : réalisation d'une balance à jauges de contrainte
J3eA, Journal sur l enseignement des sciences et technologies de l information et des systèmes, Volume 4, HorsSérie 2, 20 (2005) DOI : http://dx.doi.org/10.1051/bibj3ea:2005720 EDP Sciences, 2005 Projet
efelec NOTES D'INFORMATIONS TECHNIQUES LES TESTS DIELECTRIQUES LES ESSAIS DE RIGIDITE ET D'ISOLEMENT
NOTES D'INFORMATIONS TECHNIQUES LES ESSAIS DE RIGIDITE ET D'ISOLEMENT efelec Parc d'activités du Mandinet - 19, rue des Campanules 77185 -LOGNES - MARNE LA VALLEE Téléphone : 16 (1) 60.17.54.62 Télécopie
Le guide du parraina
AGREMENT DU g L guid du parraina nsillr co t r g ra u co n r, Partag rs ls mini-ntrprnu alsac.ntrprndr-pour-apprndr.fr Crér nsmbl Ls 7 étaps d création d la Mini Entrpris-EPA La Mini Entrpris-EPA st un
Le triac en commutation : Commande des relais statiques : Princ ipe électronique
LES RELAIS STATIQUES (SOLID STATE RELAY : SSR) Princ ipe électronique Les relais statiques sont des contacteurs qui se ferment électroniquement, par une simple commande en appliquant une tension continue
Produits à base de cellules souches de pomme
Soins Visag Produits à bas d clluls souchs d pomm NEW! Profssionnal & Rtail Shakr Mask pl-off Shakr Mask cristally (wash-off) Srum Crèm A Full Srvic : Formulation R&D Manufacturing Packaging Soin Visag
CHAPITRE IX : Les appareils de mesures électriques
CHAPITRE IX : Les appareils de mesures électriques IX. 1 L'appareil de mesure qui permet de mesurer la différence de potentiel entre deux points d'un circuit est un voltmètre, celui qui mesure le courant
La transformation et la mutation des immeubles de bureaux
La transformation t la mutation ds immubls d buraux Colloqu du 14 févrir 2013 L group d travail sur la transformation ds immubls d buraux a été lancé n novmbr 2011 à la dmand du consil d administration
Compatibilité Électromagnétique
Compatibilité Électromagnétique notions générales et applications à l électronique de puissance Ir. Stéphane COETS 18 mai 2005 Journée d étude en Électronique de Puissance 1 Plan de l exposé La Compatibilité
CHAPITRE IX. Modèle de Thévenin & modèle de Norton. Les exercices EXERCICE N 1 R 1 R 2
CHPITRE IX Modèle de Thévenin & modèle de Norton Les exercices EXERCICE N 1 R 3 E = 12V R 1 = 500Ω R 2 = 1kΩ R 3 = 1kΩ R C = 1kΩ E R 1 R 2 U I C R C 0V a. Dessiner le générateur de Thévenin vu entre les
Molécules et Liaison chimique
Molécules et liaison chimique Molécules et Liaison chimique La liaison dans La liaison dans Le point de vue classique: l approche l de deux atomes d hydrogd hydrogènes R -0,9-1 0 0,5 1 1,5,5 3 3,5 4 R
Références pour la commande
avec fonction de détection de défaillance G3PC Détecte les dysfonctionnements des relais statiques utilisés pour la régulation de température des éléments chauffants et émet simultanément des signaux d'alarme.
Réseau des bibliothèques du Pays de Pamiers Guide du Numérique
Réau d bibliothèqu du Pay d Pamir Guid du Numériqu Sit Intrnt du réau d lctur http://www.pamir.raubibli.fr C qu vou pouvz fair dpui notr it Intrnt : EXPLORER LE CATALOGUE : Plu d 80 000 documnt ont à votr
LES MONTAGES D AMPLIFICATION: ANALYSE ET SYNTHESE
1 Guillaume LAMY Fabrice DECROP 1G1 TD1 LES MONTAGES D AMPLIFICATION: ANALYSE ET SYNTHESE A ENSEA 1 ère A Electronique Analogique 2 Introduction A ce point d avancement sur les cours d électronique analogique
Eléments constitutifs et synthèse des convertisseurs statiques. Convertisseur statique CVS. K à séquences convenables. Source d'entrée S1
1 Introduction Un convertisseur statique est un montage utilisant des interrupteurs à semiconducteurs permettant par une commande convenable de ces derniers de régler un transfert d énergie entre une source
THESE DOCTEUR. Génie Electrique. Maxime MOREAU
N d ordre : 117 ECOLE CENTRALE DE LILLE THESE présentée en vue d obtenir le grade de DOCTEUR en Génie Electrique par Maxime MOREAU DOCTORAT DELIVRE PAR L ECOLE CENTRALE DE LILLE Modélisation haute fréquence
PHY2723 Hiver 2015. Champs magnétiques statiques. cgigault@uottawa.ca. Notes partielles accompagnant le cours.
PHY2723 Hiver 2015 Champs magnétiques statiques cgigault@uottawa.ca otes partielles accompagnant le cours. Champs magnétiques statiques (Chapitre 5) Charges électriques statiques ρ v créent champ électrique
MAISON DE LA RATP 54, quai de la Râpée -189, rue de Bercy - 75012 Paris. M Gare de Lyon. M Gare de Lyon
i d r c r m 3 1 0 2 r 9 octob s i a n n o c u? t è b a i d mon MISON D L RP 54, quai d la Râpé -189, ru d Brcy - 75012 Paris M Gar d Lyon È B I D L R U S N N O I C S L M R O D O F N I L D D N URdNlaÉRapé
Union générale des étudiants de Tunisie Bureau de l institut Préparatoire Aux Etudes D'ingénieurs De Tunis. Modèle de compte-rendu de TP.
Union générale des étudiants de Tunisie Modèle de compte-rendu de TP Dipôle RC Ce document a été publié pour l unique but d aider les étudiants, il est donc strictement interdit de l utiliser intégralement
Circuits RL et RC. Chapitre 5. 5.1 Inductance
Chapitre 5 Circuits RL et RC Ce chapitre présente les deux autres éléments linéaires des circuits électriques : l inductance et la capacitance. On verra le comportement de ces deux éléments, et ensuite
MEMOIRES MAGNETIQUES A DISQUES RIGIDES
MEMOIRES MAGNETIQUES A DISQUES RIGIDES PARTIE ELECTRONIQUE Le schéma complet de FP5 est donnée en annexe. Les questions porterons sur la fonction FP5 dont le schéma fonctionnel de degré 2 est présenté
Les nouvelles orientations politiques du budget 2015 du Gouvernement prévoient
GO NEWSLETTER N 1/2015 19 janvir 2015 L «Spurpaak» du Gouvrnmnt t ss réprcussions sur la formation ACTUALITÉ L «Spurpaak» du Gouvrnmnt t ss réprcussions sur la formation Allianc pour la qualification profssionnll
CONVERTISSEURS NA ET AN
Convertisseurs numériques analogiques (xo Convertisseurs.doc) 1 CONVTIU NA T AN NOT PLIMINAI: Tous les résultats seront exprimés sous formes littérales et encadrées avant les applications numériques. Les
SINEAX V 611 Convertisseur de mesure température, programmable
SINEX V 611 raccordement à 2 fils, pour entrées RT et T, pour montage sur rail en boîtier K7 pplication Le SINEX V 611 est un convertisseur de mesure en technique à 2 fils. Il permet des mesures de températures
Études et Réalisation Génie Électrique
Université François-Rabelais de Tours Institut Universitaire de Technologie de Tours Département Génie Électrique et Informatique Industrielle Études et Réalisation Génie Électrique Chargeur de batterie
papcardone@papcardone.com CASIO D 20 Mémoire du grand total CASIO ECO Affichage 8, 10 ou 12 chiffres Tous les calculs de bases Calcul de taxes
iv r a is o n assu L Li cardon Calculatrics d burau v ra i s o n a ss u CASIO D 20 M02690 M02672 M02667 CASIO DM 1200 (12 chiffrs) CASIO DM 1400 (14 chiffrs) CASIO DM 1600 (16 chiffrs) M02689 CASIO D 20
Université de Caen. Relativité générale. C. LONGUEMARE Applications version 2.0. 4 mars 2014
Université de Caen LMNO Relativité générale C. LONGUEMARE Applications version.0 4 mars 014 Plan 1. Rappels de dynamique classique La force de Coulomb Le principe de moindre action : lagrangien, hamiltonien
Equipement. électronique
MASTER ISIC Les générateurs de fonctions 1 1. Avant-propos C est avec l oscilloscope, le multimètre et l alimentation stabilisée, l appareil le plus répandu en laboratoire. BUT: Fournir des signau électriques
L ÉLECTROCUTION Intensité Durée Perception des effets 0,5 à 1 ma. Seuil de perception suivant l'état de la peau 8 ma
TP THÈME LUMIÈRES ARTIFICIELLES 1STD2A CHAP.VI. INSTALLATION D ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE SÉCURISÉE I. RISQUES D UNE ÉLECTROCUTION TP M 02 C PAGE 1 / 4 Courant Effets électriques 0,5 ma Seuil de perception -
LES CARACTERISTIQUES DES SUPPORTS DE TRANSMISSION
LES CARACTERISTIQUES DES SUPPORTS DE TRANSMISSION LES CARACTERISTIQUES DES SUPPORTS DE TRANSMISSION ) Caractéristiques techniques des supports. L infrastructure d un réseau, la qualité de service offerte,
Précision d un résultat et calculs d incertitudes
Précision d un résultat et calculs d incertitudes PSI* 2012-2013 Lycée Chaptal 3 Table des matières Table des matières 1. Présentation d un résultat numérique................................ 4 1.1 Notations.........................................................
Évaluation de performance et optimisation de réseaux IP/MPLS/DiffServ
AlgoTl 2003 (dpt-info.labri.fr/algotl03) Banyuls-sur-mr, 12-14 mai 2003 Exposé invité, mardi 13 mai, 9h-10h Évaluation d prformanc t optimisation d résaux IP/MPLS/DiffSrv par Fabric CHAUVET Jan-Mari GARCIA
2.1 Le point mémoire statique Le point mémoire statique est fondé sur le bistable, dessiné de manière différente en Figure 1.
Mémoires RAM 1. LOGIUE STATIUE ET LOGIUE DYNAMIUE Le point mémoire est l élément de base, capable de mémoriser un bit. Il y a deux approches possibles. L approche statique est fondée sur la l'utilisation
Charges électriques - Courant électrique
Courant électrique Charges électriques - Courant électrique Exercice 6 : Dans la chambre à vide d un microscope électronique, un faisceau continu d électrons transporte 3,0 µc de charges négatives pendant
THÈSE. présentée à. par Nicolas Palix. DOCTEUR Spécialité: INFORMATIQUE. Langages dédiés au développement de services de communications
N o d'ordr: 3623 THÈSE présnté à L'UNIVERSITÉ BORDEAUX 1 Écol Doctoral d Mathématiqus t Informatiqu par Nicolas Palix pour obtnir l grad d DOCTEUR Spécialité: INFORMATIQUE Langags dédiés au dévloppmnt
CONDUCTEURS EN EQUILIBRE ELECTROSTATIQUE
Chapit II CONDUCTEURS EN EQUILIRE ELECTROSTTIQUE En élcticité, un conductu st un miliu matéil dans lqul ctains chags élctiqus, dits «chags libs», sont suscptibls d s déplac sous l action d un champ élctiqu.
TP6 : ALIMENTATION A DECOUPAGE : HACHEUR SERIE ET CONVERTISSEUR STATIQUE ABAISSEUR DE TENSION
P6 : ALIMNAION A DCOUPAG : HACHUR SRI CONVRISSUR SAIQU ABAISSUR D NSION INRODUCION Le réeau alternatif indutriel fournit l énergie électrique principalement ou de tenion inuoïdale de fréquence et d amplitude
C est signé 11996 mars 2015 Mutuelle soumise au livre II du Code de la Mutualité - SIREN N 780 004 099 DOC 007 B-06-18/02/2015
st signé 11996 mars 2015 Mutull soumis au livr II du od d la Mutualité - SIREN N 780 004 099 DO 007 B-06-18/02/2015 Édition 2015 Madam, Monsiur, Vous vnz d crér ou d rprndr un ntrpris artisanal ou commrcial
Introduction à l électronique de puissance Synthèse des convertisseurs statiques. Lycée Richelieu TSI 1 Année scolaire 2006-2007 Sébastien GERGADIER
Introduction à l électronique de puissance Synthèse des convertisseurs statiques Lycée Richelieu TSI 1 Année scolaire 2006-2007 Sébastien GERGADIER 28 janvier 2007 Table des matières 1 Synthèse des convertisseurs
7. Droit fiscal. Calendrier 2014. 7.1 Actualité fiscale 7.2 Contrôle et contentieux fiscal 7.3 Détermination du résultat fiscal.
7. Droit fiscal 7.1 Actualité fiscal 7.2 Contrôl t contntiux fiscal 7.3 Détrmination du résultat fiscal 7.4 Facturation : appréhndr ls règls juridiqus t fiscals, t maîtrisr l formalism 7.5 Gstion fiscal
D ETECTEURS L UXMETRE SUR TIGE C OMPTEUR DE FRANGES A FIBRE OPTIQUE. Détecteurs
D ETECTEURS L UXMETRE SUR TIGE Capteur luxmètre à sonde détachable, idéal pour les expériences de polarisation, il permet de quantifier simplement et rapidement les principales sources et phénomènes lumineux.
DEMANDE DE GARANTIE FINANCIÈRE ET PACK RCP
DEMANDE DE GARANTIE FINANCIÈRE ET PACK RCP ADMINISTRATEURS DE BIENS ET AGENTS IMMOBILIERS Compagni Europénn d Garantis t Cautions 128 ru La Boéti 75378 Paris Cdx 08 - Tél. : +33 1 44 43 87 87 Société anonym
Quantification Scalaire et Prédictive
Quantification Scalaire et Prédictive Marco Cagnazzo Département Traitement du Signal et des Images TELECOM ParisTech 7 Décembre 2012 M. Cagnazzo Quantification Scalaire et Prédictive 1/64 Plan Introduction
TEST D ALIMENTATION CONTINUE
TEST D ALIMENTATION CONTINUE Pour vérifier et tester la conception, le besoin en alimentations conformes aux normes ne cesse de progresser au niveau technologique. C est plus ou moins devenu une nécessité
Les résistances de point neutre
Les résistances de point neutre Lorsque l on souhaite limiter fortement le courant dans le neutre du réseau, on utilise une résistance de point neutre. Les risques de résonance parallèle ou série sont
IUT DE NÎMES DÉPARTEMENT GEII ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE CONVERSION AC/DC AMÉLIORATION DU FACTEUR DE PUISSANCE
IU DE NÎMES DÉPAREMEN GEII ÉLECRONIQUE DE PUISSANCE AMÉLIORAION DU FACEUR DE PUISSANCE Yaël hiaux yael.thiaux@iut-nimes.fr 13 septembre 013 able des matières 1 Généralités 3 1.1 Historique........................................
Module d Electricité. 2 ème partie : Electrostatique. Fabrice Sincère (version 3.0.1) http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere
Module d Electricité 2 ème partie : Electrostatique Fabrice Sincère (version 3.0.1) http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere 1 Introduction Principaux constituants de la matière : - protons : charge
Murs coupe-feu dans maisons mitoyennes à une famille
Maison A Maison B FERMACELL Murs coup-fu ans maisons mitoynns à un famill Eition suiss Murs coup-fu qui assurnt un résistanc 90 minuts ans ls maisons mitoynns à un famill construits n ois (1HG100) Murs
EMETTEUR ULB. Architectures & circuits. Ecole ULB GDRO ESISAR - Valence 23-27/10/2006. David MARCHALAND STMicroelectronics 26/10/2006
EMETTEUR ULB Architectures & circuits David MARCHALAND STMicroelectronics 26/10/2006 Ecole ULB GDRO ESISAR - Valence 23-27/10/2006 Introduction Emergence des applications de type LR-WPAN : Dispositif communicant
Les odeurs. é ens M. d e. sur. / janvier-février 2010. Informations sur la Qualité de l Air en Picardie
n 73 / janvir-févrir 21 Informations sur la Qualité d l Air n Picardi Ls odurs n u ' d c la p n Mis sur v i t c a f l o l l vil o p o r t é ns M Ami Pags 4 à 9 : rtrouvz ls chiffrs d la qualité d l air
BORNE DE RECHARGE SUPERVISION GESTION D ENERGIE DIVA BORNE DE VOIRIE NOTICE D INSTALLATION
DIVA BORNE DE VOIRIE NOTICE D INSTALLATION 1 INTRODUCTION L objet de ce document est d accompagner les installateurs, mainteneurs électriciens dans la mise en œuvre des infrastructures de recharge de type
Les maisons de santé pluridisciplinaires en Haute-Normandie
Ls maisons d santé pluridisciplinairs n Haut-Normandi tiq Guid pra u EDITO Dans 10 ans, l déficit d médcins sra réllmnt problématiqu si l on n y prnd pas gard. D nombrux généralists quinquagénairs n trouvront
CORRECTION TP Multimètres - Mesures de résistances - I. Mesure directe de résistors avec ohmmètre - comparaison de deux instruments de mesure
Introduction CORRECTION TP Multimètres - Mesures de résistances - La mesure d une résistance s effectue à l aide d un multimètre. Utilisé en mode ohmmètre, il permet une mesure directe de résistances hors
Titrages acidobasiques de mélanges contenant une espèce forte et une espèce faible : successifs ou simultanés?
Titrgs cidobsiqus d mélngs contnnt un spèc fort t un spèc fibl : succssifs ou simultnés? Introduction. L'étud d titrgs cidobsiqus d mélngs d dux ou plusiurs cids (ou bss) st un xrcic cournt [-]. Ls solutions