QUESTIONNAIRE. L1 : énergie électrique. Pousse-seringue (+ seringue) L7 : Raccordement du pousse seringue au prolongateur
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- Anne-Laure Pépin
- il y a 5 ans
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1 PARTIE B - ELECTRONIQUE MISE EN SlTUATI0N DE L'ETUDE ELECTRONIQUE L'éude élecronique porera noammen sur les équipemens assuran la commande du moeur qui pousse la seringue suivan le disposiif éudié en consrucion. QUESTIONNAIRE DIAGRAMME SAGITTAL DU SYSTEME Alimenaion en énergie L1 : énergie élecrique L2 : remplissage de la seringue L3 : mise en roue e raccordemen au prolongaeur L4 Pousse-seringue ( seringue) L7 : liquide L5 L6 : liquide L7 : SYSTEME DE PERFUSION (PROLONGATEUR) Raccordemen du pousse seringue au prolongaeur Compléer le diagramme sagial ci-dessus en donnan un nom aux 2 élémens du sysème qui n en on pas. Indiquer la naure des liaisons L4 e L5. L4 :.. L5 :.. Préciser quels son les paramères de l injecion qui son programmés par le praicien. POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 1
2 I - ETUDE DE FP2 I-1 SCHEMA FONCTIONNEL DE 2 EME DEGRE : SOURCE EXTERIEURE SECTEUR 220V CONVERTIR 1 CONVERTIR 2 FS23 FS22 STABILISER ET CONTROLER FS21 6,6V FP2 I-2 ETUDE STRUCTURELLE FS23 : SOURCE EXTERIEURE C14 TR2 R1 R2 Vers FS21 C13 C13 : anale goue 4,7µF/25 V C14 chimique 100µF /??V TR2 régulaeur LM317 T 0V ON ADMET UNE CHUTE DE POTENTIEL AUX BORNES D'UNE DIODE DE 0,6 V. QUESTIONS QI-1 - Choisir dans l'annexe le condensaeur chimique qui convien (C14), envisager le cas exrême (voir FP2). QI-2 - D'après l'annexe calculer la valeur de R2 pour obenir 7, 2V en sorie (R1 = 240Ω ). Dimensionner R2 dans la série E24 (annexe). QI-3 - L'alimenaion exérieure es de 12 V (12 V efficace). Quelle ension maximum apparaî aux bornes de C14? POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 2
3 QI-4 - Des mesures fournissen 16 V aux bornes de C14 7,2 V aux bornes de C13 I =0,5A (inensié débiée par TR2) Quelle es la puissance dissipée par la microsrucure TR2? QI-5 - Quelle puissance devra dissiper TR2 lorsque la source exérieure es 30 V coninu, dans les mêmes condiions de débi e de ension de sorie que QI-4? QI-6 - La prise d'alimenaion «source exérieure» doi-elle indiquer une polarié pour l'arrivée d'une ension coninue? Jusifiez vore réponse. I-3 ETUDE STRUCTURELLE FS21 : B D11 FS23 T4 : ransisor MOS (voir annexe) R11=R12=560Ω D1=D11=1N4004 R[I] conac relais de mise en service de l OT FS22 A D1 C R[I] R11 g s T4 d R12 - Fusible E Charge R DL4 DL3 QI-7 En adopan les convenions suivanes : Tension présene au poin A : A=1 (idem pour B e C). Tension absene au poin A : A=0 (idem pour B e C). Présence baerie E=1 (absence E=0). Compléer le ableau ci-dessous : A B E I C DL4 DL X 1 X X Conac du relais fermé I=1 (ouver I=0). DL allumée =1 (éeine =0). X éa indifféren QI-8 De fai DL4 e DL3 son recensées dans FP3, compe enu de leur foncionnemen en déduire la couleur respecive de ces diodes. POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 3
4 II ETUDE DE FP6 II-1 SCHEMA FONCTIONNEL DE 2 EME DEGRE : FP4 PB7 Cde IC1 CK CD GENERER PHASE MOTEUR FS61 4 INTERFACER (PUISSANCE) FS MOTEUR FP5 4 INTERFACER (SURVEILLANCE MOTEUR) FS63 FP6 II - 2 ETUDE STRUCTURELLE FS61 : QII-2 Compléer le chronogramme ci-dessous : CK=PB7 S Q D CK R PB7 Q S Q D CK R Q FS61 Ph1 Ph2 Ph3 Ph4 Table de vérié de la bascule uilisée CK D R S Q n1 Q n X 0 0 Q n Q n X X X X X X QII-1 Quel es le ype de bascule uilisé? Ph1 Ph2 Ph4 Ph3 POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 4
5 II - 3 ETUDE STRUCTURELLE FS62 : QII-3 - Quel es le ype des ransisors uilisés (NPN ou PNP)? QII-4 Quel niveau de ension doi-on rouver en ph1 pour excier L1? QII-5 D après le documen MC1413 join (voir annexe) Quel es le ype de monage uilisé? Quelle es la principale caracérisique de ce monage?. QII-6 - Jusifiez la présence des diodes branchées aux colleceurs des ransisors. QII-7 Indiquez ci-dessous (dans la case en poinillé) par une flèche le sens de roaion du moeur, compeenu du chronogramme éabli en QII-2. N S L3 L4 Le roor (un aiman permanen ) s aligne sur le champ crée dans le saor par les quare bobines. L exemple es fourni par le schéma en considéran les polariés suivanes : L1 au 0V L2 au ou en l air L4 au 0V L3 au ou en l air NB : la convenion adopée pour ce schéma es la suivane : S F N N F S L1 L2 0V 0V POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 5
6 III - ETUDE FP5 (GESTION DES ALARMES) Parmi la lise décrie dans l'analyse foncionnelle nous éudierons : FS 51 : surveillance de l'alimenaion, FS 52 : surveillance d'un foncionnemen correc du microprocesseur, FS 53 : déecion présence seringue, FS 54 : inerface sonore, FS 55 : iniialisaion de l obje echnique. III-1 - ETUDE STRUCTURELLE FS 51 : Les comparaeurs son alimenés enre 5V e 0V T7 = BC 171B DZI = zéner de 5 V DZ2.= zéner de 2,5 V IC 14 = LM 358 R16 = 160Ω R17 = 1kΩ R18 = 100KΩ R19 = R20 = 10KΩ R22 = 1MΩ R27 = 3KΩ R29 = 1,l KΩ R30 = 75 KΩ R31 = 4,7KΩ III-2 - ETUDE PRELIMINAIRE III-2 1 Soi le schéma srucurel suivan : R2 E R1 V U - Vs E e U son des ensions coninues (au sens élecronique du erme). L'amplificaeur représené es idenique à ceux de la foncion FS51, e nous considérerons son gain infini e ses courans d enrée nuls. Il es alimené enre Vcc e la masse POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 6
7 QUESTIONS QIII-1 - Exprimer V en foncion de E, Vs, R1 e R2. La valeur de E es fixé à Vcc pour les quesions suivanes 2 QIII-2 - Exprimer V 0, valeur de V lorsque Vs = 0 vol. QIII-3 - Soi V 1 la valeur aeine par V quand Vs = Vcc. Exprimer V 1 en foncion des seules variables Vcc e V 0 e des consanes R1 e R2. QIII-4 - Applicaion numérique R1 = 4 KΩ R2 = 1 KΩ E = 2,5 V Vcc = 5 V Sur la feuille réponse, racer la courbe1 vs=f(), sachan que u() évolue en foncion du emps comme indiqué sur le documen réponse. QIII-5 Commen appelle -on ce ype de monage quand V1 es différen de V0? III-2 2 Applicaion sur FS51 : On uilisera 2 couleurs disinces pour chacun des racés demandé, e on inscrira les poins caracérisiques (noammen, la valeur de Ve() au changemen d éas de UP2(). QIII-6 Compe enu de l évoluion de la ension Ve, racer sur la feuille réponse : (voir schéma srucurel FS51). L évoluion dans le emps des ensions au poins L e P1. (courbe 2) L évoluion dans le emps des ensions au poins N e P2. (courbe 3) POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 7
8 III-3 ETUDE STRUCTURELLE FS52 R4 = 33 KΩ ; R5 = 15 KΩ ; C3 = 100 nf ; C4 = 22 nf; IC5 = MC14538 QIII-7 - En foncion du documen consruceur (voir annexe) calculez T, durée de l'éa insable de l'élémen IC5-1. QIII-8 - Effecuez le même calcul pour IC5-2. QIII-9 - Compléez le chronogramme ci dessous : H 1cm 1ms H RS2 QIII-10 Sachan que RS 2 indique une alarme de dysfoncionnemen du microprocesseur, ce dernier expédie régulièremen à FS52 l impulsion H. Quelle es la fréquence minimale de H pour évier l alarme RS 2? POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 8
9 III-4 - ETUDE STRUCTURELLE FS53 III Mise en siuaion DETECTION POSITIONNEMENT MAINTIEN SERINGUE Schéma srucurel K1 e K2 Fourches opoélecroniques K1 Cap.4 K2 Cap.5 Caracérisique de ransfer d une pore du CD 4030 Vs V DD Ve V DD /2 V DD QIII-11 - Le fabrican de l'appareil a opé pour des TIL 145. Pour ce composan Vd = 1,5 V Calculer R39, R40 e choisir les valeurs dans la série E12. (Voir spécificaions consruceur en annexe). POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 9
10 QIII-12 - Compléer le ableau ci-dessous dans lequel vous indiquerez : - dans la colonne X : la ension V XM, - dans la colonne Y : la ension V YM, - dans la colonne S : un niveau logique S. K1 K2 VXM VYM S Libre Libre OBTurée Libre OBTurée OBTurée NB : Libre signifie qu'aucun obsacle n'inercepe le faisceau qui par de la diode pour excier le ransisor ; Oburée signifie qu'un obsacle masque le faisceau émis par la diode. III-5 - ETUDE STRUCTURELLE FS54 III Schéma srucurel : C10 = 10nF D10 = D6 =1N4148 IC4 = NE 555 R1=5,6KΩ R2 = 33KΩ R3 = 100KΩ R14 =10Ω R32=1MΩ RN4=10KΩ T1 MOS canal N T2 MOS canal P QIII-13 - F es le signal qui enre sur la broche Rese de IC4. PA6 issu de FP4 e TA issu de FP1 son des signaux de ype logique (1 = 5V e 0 = 0V). Compléer le ableau ci-dessous (on se servira de l annexe pour remplir la colonne Sorie Q). PA6 TA F Sorie Q de IC Quelle es la foncion logique réalisée par l'ensemble D10, D6 e R32? POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 10
11 QIII-14 - En s'appuyan sur la documenaion du NE555 (annexe ) e en considéran que le signal F valide IC4, calculer la fréquence du signal de sorie (broche 3) de IC4. QIII-15 - En uilisan les signaux précédens e caracérisiques de Tl, T2 (MOS annexe 3 ), compléer le ableau ci-dessous : NB : Devron figurer : 1 ) une ension dans les colonnes expriman une ension. 2 ) les indicaions "sa" ou "bloq" dans les colonnes Tl e T2 3 ) l'indicaion HP lorsque le HP es excié, HP lorsque le HP n'es pas excié. SORTIE Q DE IC4 0 1 TRANSISTOR T1 TRANSISTOR T2 VGS VDS ETAT T1 VGS VDS ETAT T2 HAUT PARLEUR HP IV - ETUDE DE FP4, UNITE DE TRAITEMENT ETUDE FS4.3 : mémoire EPROM, circui IC3, schéma srucurel général (annexe). QIV-1 En analysan le bus d adresse du circui IC3., exprimer en Kilo-oces, la capacié de cee mémoire. QIV-2 Le sysème comprend deux programmes : - Le programme 1 es socké dans l espace adressable, pour A11=0 (K en posiion 0). - Le programme 2 es socké dans l espace adressable, pour A11=1 (K en posiion 1). - Compléer en binaire les adresses exrêmes - Les converir en hexadécimal. A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 HEXA A11=0 programme 1 A11=1 programme 2 QIV-3 Exprimer en décimal IC3 le nombre maximal d oces qui pourron êre sockés dans chaque programme.. POUSSE SERINGUE BAC Parie élecronique Numérisaion GDA 11
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